Общие характеристики
Тип памяти
DDR3.
Форм-фактор
DIMM 240-контактный.
Тактовая частота
1600 МГц.
Пропускная способность
12800 Мб/с.
Объем
2 модуля по 4 Гб.
Поддержка ECC
нет.
Буферизованная (Registered)
нет.
Низкопрофильная (Low Profile)
нет.
Тайминги
CAS Latency (CL)
9.
RAS to CAS Delay (tRCD)
9.
Row Precharge Delay (tRP)
9.
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка.
Напряжение питания
1.65 В.
Радиатор
есть.
Количество ранков
2.