El material de germanio (Ge) monocristalino es un importante material óptico infrarrojo duro y quebradizo, que pertenece a los semiconductores de transición indirecta con alta movilidad de agujeros y movilidad de electrones. Es ampliamente utilizado en la industria aeroespacial, electrónica de ultra alta frecuencia de alta frecuencia, comunicación de fibra óptica, óptica infrarroja, células solares y otros campos.PAM-XIAMEN puede ofrecer material de germanio monocristalino con tamaños de 2 pulgadas a 8 pulgadas. Más obleas de germanio por favor visitehttps://www.powerwaywafer.com/germanium-wafer/germanium-single-crystals-and-wafers.html. A continuación se adjuntan los parámetros específicos de la oblea semiconductora de germanio monocristalino de 8 pulgadas:
1. Sustrato de germanio monocristalino de 8 pulgadas
PAM221222-GE
| Artículo | Oblea Ge monocristalina de 8 pulgadas |
| Diámetro | 200mm |
| Conductividad | N/A (sin dopar) |
| Espesor | 725+/-25um |
| Muesca semi estándar | 110 |
| Resistividad | >1ohm.cm |
| GBIR/TTV | 15um máx. (basado en WEE: 5 mm) |
| Arco/urdimbre | 50um máx. (basado en WEE: 5 mm) |
| Partícula (>=0.2um) | 30 máx. |
| Acabado de la superficie | Doble cara pulida |
| Contaminación por metales (Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Na, Ni, Zn) | Todos los metales <2E10 átomos/cm2 |
2. Asuntos que requieren atención durante el proceso de corte del material de germanio monocristalino
En el proceso de corte de germanio monocristalino, el calor de corte generado tiene un gran impacto en la tolerancia de mecanizado, la formación de virutas, la vida útil de la herramienta y la integridad de la superficie de procesamiento. Por lo tanto, es necesario prestar atención a la temperatura de corte y la distribución del germanio monocristalino en el proceso de corte.
A través del estudio y análisis del corte de cristal único de germanio mediante la tecnología de micromecanizado mediante simulación variable de un solo factor, se encontró que:
- La temperatura máxima de corte disminuye con el aumento de la velocidad del husillo; Con el aumento de la velocidad de avance, también aumenta la temperatura de corte; Con el aumento de la profundidad de corte, también aumentará la temperatura máxima de corte;
- La temperatura máxima de corte disminuye con el aumento del ángulo de ataque de la herramienta, y la temperatura del ángulo de ataque negativo de la herramienta es mayor que la del ángulo de ataque positivo; La temperatura de corte no disminuye significativamente con el aumento del ángulo posterior de la herramienta; La temperatura máxima de corte aumenta con el aumento del radio de la punta de la herramienta.
Por lo tanto, le recordamos amablemente que debe seleccionar los parámetros de procesamiento adecuados para la velocidad del husillo, la velocidad de avance, la profundidad de corte, etc. cuando utilice la tecnología de micromecanizado para procesar el material semiconductor de germanio.
Se informa que seleccionar el siguiente valor teórico para la herramienta de corte puede reducir efectivamente la temperatura de microcorte del germanio monocristalino, mejorando así la precisión y la eficiencia del procesamiento del material semiconductor de germanio monocristalino:
Velocidad del husillo: 3000r/min
Velocidad de avance: 12 mm/min
Profundidad de corte: 3 μ M
Radio de arco de la punta de la herramienta: 1 mm
Ángulo de ataque de la herramienta: – 10 °
Ángulo trasero de la herramienta: 20 °
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
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