CUARTA EDICION Donald R. Askeland University of Missouri—Rolla, Emeritus Pradeep P. Phulé CE University of PitsburghTHOMSON SS. Ciencia 6 ingenieria de los materiales, 4a. ed. Donald FE. stane Pradeep ®. Prost Director genarat: Gorents de produceién: Traduecion: taiguel Ange! Toledo Castefarnos René Garay Argue Virgo Gonzhlaz y Paro y Gabriel Sénchez Gercia Director editorial y de produccién: —_Eltor de producci6n: dosh Temas Pérez Banaa Alsjandra A Gomez Ruiz Revision teenies: Ulises Figueroa Lopes Eudtor de desarrotle: Supervisors de manufacture: lrnpia Salas Martinez Podro de ta Garza Rosales Claucka Caldertn Valderrama FTESM-Campus Estado de MAbleo COPYRIGHT © 2014 por DERECHOS RESERVADOS. Queda Traduclo del bro The Science and Intemational Thomson Estores, S.A. orohibiia la reproducion o Enginowring of Matera, at. ‘38 C. V., une division de Thomson Iranamistn total © parcial de veto pubiicada en inglés por Brooks Cole, Leeming te doa presente obra bajo 2008 ‘Thomson Leaming es ura. mavea cualesquere mas, eleciOnce © ISBN O-S3-989725 regisireda usada bajo permiso. ‘mecdnica, mciupendo folocopiado, Datos para caialogecion, ‘almaoecamionto en algin sikome da bilogrdfca Irmpreso en Maaieo ‘recuparacion de iformacstn, © Askeland. Goreld F.. Phu, Pradsep P. Printed 7 exten ‘rabada sin el consentmienta previo Glencia w ingenrta ce kos 3406 08 Y por escrito dol eitor. raters 4a ectecn ISBN 970-6t6.361-3 Para mayor informacion contctanos 4. Gienciae ingeniera de los en meteraies. 2. Anais Jo la Stiecs num. 83 estructura aterica da bos maneriais, Col Polanco us propiadades, a resistencia #108 ‘Misco. 0. F 11560: fstueceos y su comportarert© 8 ointnane unde visitas esto sito en Ip fre nomeontearring com mx ‘Bivisidn tberoamaricana México y América Central: América del'Sur: Thomson Learning ‘Thomson Learning Seneca nom. 53 Calle 38:ndm. 24.09 Col Poiance (La Soledad Misco, DF. 11880 Bogoid. Colombia Tei (52-55) #500 6000 Tat (71) 340 9470 Fax (52-55) 5281 2658, Fax (971) 340 9475 ‘aitorghoresonisaming com mx ClonteGthamsonioarring com oo Bi canbe: Espana, ‘Thomson Learning ‘Thomson Leeming 196 Aldobaran Calle Magallanes 25 ‘tarriva, San Juan 20015 Masa Puen Reo Espana ip Coo O0620 ‘Te, 34 (0) 91 448 3950 “el. (787) GAT 112 Fax 34 (0) 81 445 6218 a (787) 41 1118 lente Bparanintaes Cono Sur: Ena ob sa ern oa gine Boone Ares, Arectina on mex reo de 008 ‘re ates ce Deg Granta. 8 OV. tromsangthomsoniaaming.com.or ‘Min OFResumen de contenido Coptulo 4 Coptulo2 Coptalo 3 Copiula 4 Coptulo 5 Introduccion a la eiencia e ingenieria de los materiales 5 Estructura atémica 29 Arreglos atimicos y idnicas 67 Inperfecciones enlos arregios atimicos y idnioos 129 Movirnientos de atomas y iones en los materiales 173 Conti 6 Coptulo 7 Capt 8 Copal § Copia 10 Cantal 1 Propiedades y comportamienta mecénico 231 Endurecimiento por deformacién yrecocida 315 Principios de solidficacion 957 Soluciones sdlidas y equilbrin de fases 407 Endurecimiento por ipersin yhagramas de fases eutécicas 454 Endurecimiento par dispersion mediante trensformariones de fase ytretamiento térmico 497RESUMEN DE CONTENIDO vit as Copii 18 Materiales electrons _ 789 Capito 19 Materiales magnétions 849 Capitulo 20 Materiales fotonioos 683 Captuin 21 Propedades termizas dels matersles 921 SS 8S |eCopyrighted materialContenido a Qué es la ciencia e ingenieria de los materiales? 6 12 Glnsificacién de los matariales 11 18 Clasificacién funcional de tos materiales 17 14 Clasificaciéin de los materiales con hase en su estructura 19 15 Efectos ambientates y de otra indole 20, 6b Disefio y selecci6n de materiales 22 FESUMEN 23M GLOSNR 24 Wm INEDRMADO ANIONS 25 wm PROBLEMAS 27 joe Estructura atomica 29 Introduecién 29 21 La estructura de los materiales: importancia tecnolégica 30 22 Laestructura del dtoma 37 3 2 24 La tabla periédica 41 25 Enlazamiento atémica 44 26 Energia de enlace y distancia interatémica 55 GESUMEN 52 mm GLOSARD 6D mm (NEDRMACW ANIONS, 63 wm PROBLEMAS 69 3 Arrenios atimicns yidnicns 67 lntroducciin 47 H Orden de corto alcance versus orden de largo alcance 68 32 Materiales amorfos: principios y aplicaciones tecnolégicas 72 23___Redes, celdas unitarias, bases y estructuras cristalinas 76x CONTENIDO 4 Transformaciones alotropicas 0 polimorfas 84 25 Puntos, direcciones y planes en la celda unitaria 87 34 Sitios intersticiales 97 aD - 34 Estructuras covalentes 106 28 Técnicas de diftaccién para el andlisis de 1a estructura ‘existalina_110 4 Imperfecciones en los arreglos atémicosyidnicos 129 Intreduceién 129 42 Otros defectos puntuales_137 Ei Disiocact 133 4 —o 7 a 8 45 Importancis de las dislocaciones 148 4__Ley de Schmid 149 2] _influencia dela estructura cristalina 161 48 Defactos superficiales 153 23 Importancia de los defectos _ 169 5.4 Energia de activacién en ta difusion 185 55 Velocidad de difusién [primera ley de Fick] 187 38 Factores que afectan |a difusién 191 57 Parmesbilidad de los polimeros _202 58 Perfil de composicién [sequnda ley de Fick) 203 58 Difusién y procesamiento de materiales 2106 Jades y comportamienta mecanioa 231 lntroduceién 231 61__importancia tecnolégiea_ 232 6&2 Terminologia de las propiedades mecanicas 234 63 El ensayo de tensién: uso del diagrama esfuerzo-deformacién, vars 4 jedades obtenidas en ol nsidn 5 Beata &6__ El ensayo de flexién para materiales fragiles 254 G7 Dureza de los materiales 257 8 Efectos de la velocidad de deformacién y comportamiento alimpacto 260 89 Propiedades que se obtienen en el ansaye de impacto 262 7 ai Bil Importancia de la mecinica de fracturas 269 G12 Propi ledades microestructurales de la fractura en materiales metilicos 272 10 __Propiedades microestructurales de las fracturas en cerdmicos, vidrios sadist 15 Fatiga 283 616 Resultados del ensayo de fatiaa 287 E47 Aplicacién de tos ensayos de fatiga 288 x E18 Termofluencia, ruptura por esfuerzo y corrosién bajo esfuerzos 292 10 __Evaluacién del comportamiento de termofivencia 294 G2) Uso de datos de termofiuencia 286 621 Superplasticidad 298 Capitulo? Endurecinianto por deformacion y resocida 215 lotroduccién 315 74___Relacién entre el trabajo en frio y la curva esfuerzo-deformacion : ; 72__Mecanismos de endurecimiento por deformacién 322 1a 1 dal porxii CONTENIDO Microestructura, endurecimiento por textura y esfuerzos cesiduales 326 5__Caracteristicas del trabajo en frio_331 25 Las tres etepas del recocido 334 Control del recocido 337 Recocido y procesamiento de materiales 339 Trabajo en caliente 341 ‘0_Formade superplastico 343 FESUMEN 244 mi GUOSARO 345 mi INMORMACONADICONAL 347 li PROBLEMAS 248 lntreductién 357 8 Importancia tecnolégica 358 82 Nucleacién 360 83 Aplicaciones de la nucleacién controlada 364 24 __Mecanismos de crecimiento 366 85 Tiempo de solidificacién y tamano de dendrita 368 EE Curvas de anfriamienta 373 82 Estructura de la piezs colada 374 2__Defectos de solidificacién _376 83 Procesos de vaciado para fabricar componentes 381 310 __Colsda continua y vaciado de lingotes_383 S11 Soliifieacion jento de monocristales Solidificacién de palimeras y vidrios inorgénicos 390 E13 Unidn de materiales metélicos 391 Ho 9 Soluciones stlidas y equitbrio de fases 407 Introduceién an? S41 Fases y diagrama de fases 408 $2 Solubilidad y soluciones solidas_415 $3 Condiciones para la solubilidad ilimitada 419 4 Endurecimignto por solueién sélida 421 36 __Relacién entre las propicdades y el diagrama de fases 432 7 aan eee 88 Solidificacin fuera de equilibria y segragacién 435 AESUMEN 440 mf GLOSARID 44) mi WNFORMACONADIOONAL 449 mi PROBLEMAS 443,CONTENIDO xiii 0. Endurecimiento por cispersidny diagrams de fases evtéctices 451 = 101 __Principios y ejemplos de! endurecimiento por dispersién 452 i02 Compuestos intermetélicos 453 ‘03 Diagramas de fases que contienen reacciones entre tres fases 456 104 El disarams do fases eutécticas 460 ‘06 Eutécticos y procesamiento de materiales 477 {G7 Solidificacién del sistema eutéetico en desequilibrio 480 ytratamienta térmico 497 lntraduccién 497 ‘1-1 Nucleacian y crecimiento en reacciones en estado salido 498 12 ‘ 502 114 Aplicaciones de las aleaciones endurecidas por envejecimienta 505 775” Evolucién microestructural en el endurecimiento por envejecimiento ‘@ por precipitacién 507 ‘14 Efecto de ta temperatura y del tiempo de envejecimiento 510 ‘i7__Requisitos para el endurecimiento por envejecimiento 611 ‘13 Use de aleaciones endurecibles por envejecimiente a altas temperaturas 511 ns i is ‘9 La reaccién eutectoide 512 THO Control de ta reaccién eutectoide 517 {LN La reaccién martensitica y el revenido 523 sr ‘ESUMEN 529 im GLOSERN 530 mi INATRMACONADIIONAL 532 mi PROBLEMAS 523 p12 Aaciones ferrosas 843 lntroduccion 543 "241 Designaciones'y clasificacién de los aceros 545xiv CONTENIDO ‘22 Tratamientos térmicos simples 549 124 Tratamientos térmicos de templado y revenido 555 126 Aplicacién de la templabilidad 563 127 _Aceros especiales 566 128 Tratamnientos superficiales 567 128 Seldabillidad del acero 569 ‘240 Aceros inoxidables 571 B11 Hi dos 674 13 Alescionesinoferrosas 594 (ntroducci4n 554 nm t eee 12 _Aleaciones de maanesio y de berilio 600 183 Aleaciones de cobre 602 134 __Alesciones de niquel y de cobalto _606 ‘136 __Metales refractarios y preciosos 617 ‘44 Materiales cerdmicos 625 Introduccion 625 1-1 __ Aplicaciones de los materiales corémicas 626 M42 _Propiedades de los materiales ceramicos 629 ‘143 _ Sintesis de 10s polvos cerdmicos 630 144 Procesamiento de los polvos 634 146 __Vidrios inorgénicos 644 187 Process y aplicaciones de los vidrios 647 ‘108 Materiales vitrocerdmicos 651 145 Procesamiento y aplicaciones de productos de arcilla 653 (010 Refractarios 655CONTENIDO: ~ %5_Polimeros 669 Introduccian B69 151 __Clasificacién de los polimeros 670 152__Polimerizacién por adicion 674 ‘83 Polimerizacién por condensaci6n 677 154 Grado de polimerizacion 679 ‘$4 Termoplasticos comunes 681 ‘54 Relaciones estructura-propiedades en los termoplisticos 683 ‘157 _ Efecto de la temperatura sobre los termoplisticos 687 1S Propiedades mecdnicas de los termoplasticos 699 159 Elastémeras [hules] 698 ey Polimeros termofijos o termoestables 703 (G\l_Adhesivos 706 ‘B\2 Aditivos para los plasticos 707 1513 Procesamiento y reciclaje de los polimeros 708 16. Materiales compuestos: trabajo en equipo y sinergia en los materiales 721 Introduecién 721 (6 Materiales compuestos endurecidos por dispersion 723 ‘62 Materiales compuestos particulados 725 163. Materiales compuestos reforzados con fibras 730 ‘4 Caracteristicas de los materiales compuestos reforzados: con fibras 735 ‘B5 Manufactura de fibras y de materiales compuestos 742 ‘166 Sistemas reforzados con fibray sus aplicacionas 748 ‘6-7 Materiales compuestos |aminares 753 168 Ejempios y aplicaciones de materiales compuestos laminares 755 tt Capitulo 17 Materiales para la construccidn 765 lnteoducclén 765 ‘17-1 Estructura de la madera 786 12 Contenido de humedad y densidad dela madera 769 1 . 114 Dilatacién y contraccién dela madera 773 17-5 Madera contrachapada otriplay 773 ‘17/6 Materiales de conereto 774xvi CONTENIDO 17) __Propiedades del concreto 776 {78 Concreto reforzado y preesforzado 78) 179 _Asfalto 781 cj 18 Materiales electronicos 789 Introduccion 789 ‘BI__Ley de Ohm y conductividad aléetrica 791 ‘82 Estructura de las bandes en sdlidos 797 “3 Conductividad de los metales y aleaciones 600 ‘84 Supercondustivided 804 5c ‘3 . ‘BS Semiconductores 811 ‘27 Aplicaciones de los semiconductores 819 ‘83 _Aislantes y sus propiedades dieléctricas 826 ‘TS Polarizacion en los materiales dieléctricos 827 (240 Electrostriccién, piezoelectricidad, piroelectricidad yferroelectricidad 833 RESUMEN 899 mf GLOSARO 840 mi INRORMACIONADICONAL 842 im PAOBLEMAS 843 49° Materiales magnéticos 849 Introduccion sag ‘84 __Clasificacién de tos materiales magnéticos _850 ‘E2 Dipolos y momentas magnéticos 850 ‘3 Magnetizacién, permeabilidad y el campo magnético 852 ‘14 Materiales diamagnéticos, paramagnéticos, ferromagnéticos, ferrimagneticas y superparamagnéticos 856 125 Estructura del dominio y el ciclo de histéresis 859 ‘135 ta temperatura de Curie 961 TET Aplicaciones de los materiales magnéticos 963 138 Materiales magnéticos metélicos y cerdmicos 869CONTENIDO xvii Capituio’€0 Materiales fotinicos 883 fateodiceian BS3 20 Elespectre elactromagndtico #84 202 _Refracci6n, reflexion, absorcién v transmision 885 203 Absorcién, transmisién o reflexion selectiva 898 204 Eiemplos v uso de los fenémenos de emisién 899 205 Sistemas de comunicaciones por fibras épticas 911 EN 94 GLOSAAD 914 JOON ADIOONAL 215 021 des iricas de ag materials 924 Introduccion 921 21-1 Capacidad de calor y calor especifico 922 21-2 __Expansién térmica 825 214 Choque térmico 934 22 Corrosion ydesgaste 943 Introduccifin 43 224 Corrosién quimica 944 222 Corrasién electroquimica 946 223 _Potencial del electrodo en las celdas electroquimicas 949 22:4 La corriente de corrosién y la polarizacién 954 225 Tipos de corrosién electroquimica 954 226 Proteccién contra la corrosin slectroquimica 959 ee? in microbii imaros bit bi 228 Oxidaci6n y otras reacciones gaseosas 967 229 Desgaste y erosién 970 BESUMEN 972 Mi GLOSARD G73 wm INFORMADONADIOONAL S75 mi PROBLEMAS 975xviii CONTENIDG Apéndice Ac Propiedades seleoconades de los metaias 978 Apéndice B: Radios atdmicos.yiGnicgs de elementos seleccionades 980 Apéndice C: Configuracion electrdnice de cada uno de los elementos 982 Respuestas alos orablemas seleccionados 984 (orine 989Prefacio Esta cuart edickon de Clencta e ingenteria de los materiales tiene dos objetives principales. EI primero continda con 1a idea de Ias ediciones: anteriores: dar a comprender Is relaciGn en- tre estructura, procesamiento y propiedades de los materiales (véase el cupftulo 1). Las metas principales de tin cientifico y un ingenierd en riiteriales son mejorar los materiales existen- tes inventar o descubrir ferssmenos que permitan desarrollar materiales, dispositivos y apli- caciones nuevos. Todos los ingenieros de todas las especialidades pueden beneficiarse con un ‘conocimiento detallado de la ciencia de los materiales, Esta-ciencia subyace en muchos avan- ces tecnolégicos relacionados con la energia, la informacién y el medio ambiente, Una com- prensién bésica de fos materiales y de su aplicacién no sdlo hace mejor al ingenicro, sino ‘ambien ayuda en el proceso de disefio de cualquier dispositive o aplicacién que se consl- dere, En Ia actualidad, es importante que los ingenieros compreadan las restricciones: del comportamiento de los materiales, para seleccionar el mejor para determinada aplicacién, ‘Creemas qué también los ingenieros que camprenden detalladimente los Conceptos basicos de estructura atémica y-molecular y que conocen qué propiedades de los materiales se pres- tan para que los. procesos sean mis eficientes.y econémicos, tomarin las decisiones adecua- das para desarrollar los mejores productos y aplicaciones. E] segundo objetiva de este texto es motivar « los estudiantes de ingenieria para que deseen estudiar y comprender la ciencia de materiales. usando los exeitantes desarrollos actuales-en-el campo, Se ha dedicado un esfuerzo considerable para presentar aplicaciones in- teresantes y modernas.en las explicaciones sobre las bases teSricas, part vincular la teorfa con lis aplicaciones en Ia realidad, La diversidad de aplicaciones y los wsos Gnicos de los mate- Fiales se presentan en las secciones de Ejemplo-de exda capt, para contribuir a ilustrar por ‘qué un buen ingeniero necesita comprender con detalle y saber c6mo aplicar los principios de I cicncia e ingenierfa de los materiales. Kn las dreas de nanotecnologia, tecnologia de la infor- maciéa, tecnologia de energia ¢ ingenierfa biomédica han ocurride progresos considerable, En ests edicidn verd el lector muchos ejemplos que se relacionan en forma directa con estas ‘reas de la tecnologia Este texto esti dedicado a los estudiantes de ingenieria que hayan terminado cursos de quimi ca general, fisica, ingenieria y cdlculo. La mayarfs de lox alumnos tomarin este curso cuando sean de primer ingreso 0 de los primeros. grads, y se ha palido euidadosamente la presenta cién para adaptarla a ese péblico. Para facilitar la comprensidn, s¢ presenta una descripcigin breve de los conceptos clave. de los curses prerequisit, para ayudar a qu kas estindiantes re fresquen su memoria, El libre supone que los alumnes no han tomado alguno de los cursos rerrequisito para ingenieria: de estadistica, dinémica 0 meciinica de materiales. xix,xe PREFACIO ‘Creemos que al leer y usar este libro, los alumnos encontrardn que la ciencia ¢ ingenieria de los materiales es en realidad muy interesante. y verdn con claridad la importancia de lo que estén aprendiendo. Hemios preseniada muchos ejemplos de aplicaciones modemas de la cien- ia e ingenierfa de los materiales que tendrén impacto sobre la vida de Jos alumnos, Nuestro semtir es que, si los alumnos reconocen que muchas de las maravillas tecnolégicas actuales dependen de la disponibilidad de los materiales disefiados, estarin més motivados y permane- ccerd su inter’s en el aprendizaje de la ciencia de los tnariales y la ingenierfa de los materiales. Cambios en a cuerta ediciines. ~ "Dy Lo. Esta curs edicin de Ciencia ¢ ingenieria de tos materiales se ha revisado meticulosamente para incluir deseripciones de los avances recicuies en el campo, como son los nanomateriales y los sistemas microelectromecdnicos (cxpitulo 1), microcineuitos eldctricas flexibles hechos de polimeros (capitulo 18), materiales inteligentes (capttulos 11 y 18), fibras Spticas (capftu- los 2 y 20) y materiales ekectronicas, magnéticos ¥ fotnicos avanzades, s6lo por mencionar ‘unos cuantos, Cada cap(talo presenta ejeraplos de las dltimas y sorpreadentes aplicaciones cen el mundo real Nuestro texto comtinda dividido en cinco partes, como en las ediciones anteriores, y e- ‘mos combinado muestras discusiones acerca de las fallas con las de las propiedades y compor- tamiento, pura crear un capitulo 6 revisado. Se ha eliminado el capitulo 23 de la tercera edicidn, acerca de la falla. Con base en la retroalimentacién de los usuarios, hemos decidide que la descripciGn de este tema se adapta mejor para presentarse com la deseripciGn de las pra iedades y las pruebas de los materiales, Esos temas se han integrado con los eapitulos 6 y 22. Hemos ampliado y actualizado en forma minuciosa nuestras descripciones de kos céréimi- 0s (capitulo 14), los polimeros (capitulo 15), los materiales compuestos (capitulo 16), los ‘materiales electrnicos (capitulo 18), 1os materiales magnéticos (capétulo 19) y los materiales fotdnicos (capitulo 20), para que reflejen los desazrollos y las aplicaciones recientes. Tambien hemos hecho un esfuerzo deliberado para integrar Ins aplicaciones de los concepts funda- mentales, y no-sélo ciasificarlas come cerdmicos, metales y polimeres. Novedades Me ON Hemos agregado caracterfsticas nuevas y dinicas.en Ia cuarta ediciGn: En la pagina de este libro, dentro del sitio www:thomsonleaming.com.mx usted encon- ‘rand wn. conjumie de archivos con los siguientes elementos, que son. apoyos para el curso de cieneia ¢ ingenierta de materiales: * Una de las-herramientas mas dtiles es una versién para estudiantes del pequete de apli- cacién CaRine Crystailography™. Bste es un paquete compatscional de ciencia de materiales disefiado para auxiliar a los estudiantes en la visualizaciGm de fos conceptos de estructura molecular y atémica, asf como el de las propiedades de los materiales. Sentimos que la insercién del paquete CaRIne serd invaluable en la ensefianza de los ‘concepios relacionados con estruciuras cristalinas, © Una coleccién de visualizaciones animadas en QuickTime™ desarroliadas por el Dr. John Russ (North Carolina State University) que abarca conceptos de !a ciencia de materiales importantes como deformacién de eristales, diagramas de fases, cizalts- miento y enlace molecular,Novedades xxi Fotografias y leyendas al inicio de los capitulos Cada capitulo contienza con tna fotografia y pie de foto que ilustra una splicacicn interesante, De este mode se proporcio- nan informaciones adicionales. disefadas para despertar la curioxidad del lector acerca del material que se presenta en ese capitulo, ‘Secciones “2Alguna vez se pregunté...2” La fotoen el inicio del capitulo estd acom- ppaitada con una de estas secciones, lus cuales tienen por objeto despertar el interés del lector, [poner las casas en perspectiva y proporcionar el marca de referencia de lo que aprenderi en el capitulo. introducciones de los capitulos Las intreducciones de los cupitulos proporcionan una descripciéa de In forma en que se presentaré el material en elles, y offecen infortnaci6n in. ‘portante para conocimiento del alumao mientras fee'e! capitulo, Esta seccién no es gratuita, [porque el material del capitulo se desarrolla partiendo de estas descripciones preliminares. mpios Como se mencions antes, se han integrado muchos ejemplos del mundo real, que acompaiian las descripciones de los capttalos. Estos ejemplos cubren ea forma espectfica con- sideraciones de diseflo tales como temperatura de funcionamiento, presencia de materiales ¢o- rmosivos, consideraciones econdmicas, reciclabilidad y restricciones ambientales. También se «aplican Jos ejemplos a las materiales de teoria y & los edleulos numéricas, para reforear Ia pre sentacién posterior, Resiimenes de capitulas Se han aumentado los restimenes al final de las cupttulos, y son més detallados. que los.de las ediciones anteriores, Glosarie Los términos del glosario al final de los capitulos se hin detallado. Todas los te minos del glosario que aparecen en e! capitulo se imprimen en negritas la primera vez que aparecen én el texts, Esto permite tener waa referencia fil a las definiciones que se presen tam en e! glosario al final de cada capitulo. Infortiacién edicionat Al final de cada cxpitulo hemos proporcionado una lista de refe rencias. Los alumnos o las profesores pueden usar estas referencias para conocer mds acerca de los temas del capitulo, No hemos citado en forma espectfica a sitins Web, ya que cambian con frecuencia y la mayoria de los usuarios encuentran fcilmente la informacién en Internet. Problemas de final de capitulo Se han agregado més de 150 problemas de final de ca- pitulo para que el slumno adquiera préctica en la aplicacién de los principios presentados en el mismo. Hemos agregado ms problemas de diseiio-y de cémputo, siendoel instructor el que decida si los asigna come requisitos 6 como material adicianal a los eréditos. Més adelante, Jos empleadores considerania deseable tener mayores conocimientos de eémputo y habilidad con el uso-de programas y bases de datos, y sentimos que los problemas de eémputo prcden ayudar a que los alumnos desurrolien esos conocimientos, El uso de tas computadaras puede ser una consideracin importante én él proceso de acreditacién ABET. Consideramos que los problemas que aqui se sugieren tambien podrian ser tiles en este respecto, Nuevas fotografias y micragrafizs Las lustraciones se han cambiado per completo y se han agregado ms de 50 fotografias y micrograffas nuevas. Hay muchas fotografias. nue- ‘vas que ilustran aplicaciones reales fascinantes. Muchas de las ilustraciones nuevas comuni= can Jos concepts téenicos en tina form ms clara. Anexo @ cuatro colores El ancxo a colores mucsira fotogrificamente la relacim entre laestructura de un material, su procesamiento ia forma en que pueden usarse sus propiedades cen un producto fia,vedi PREFACIO Tabla periddica Hemos presentado Ia tabla periédica en das paginas en el capitulo 2, y ‘hemos marcado las paginas en su orilla para tener una referencia ripida y ficil de este impor~ ‘ante tema, Esta tabla periédica incluye informacién Gti: mimero atémice, configuraciones. ‘electronicas, punto de fusidn, punto de ebullicién, masa atémica, estadas de oxidacién, den- sidad y electronegatividad. Respuestas a problemas seleccionados Las respuestas a los problemas selecciona- dos se presentan al final del libro, para ayudar al alumno a resolver los problemas de final de ssapitulo. Apéndices & informacion en tas cubiertas El apéndice A contiene una lista de algu- ‘nas propiedades fisicas de los metales; el apéndice B contiene los radios atémicos y iGnicos dde algunos elementos y el apeéndice € presenta la configuracién clecirénica de cada uno de ‘os clementas. Las cubiertas contienen tablas de conversicn del SI y propiedades fisicas se- ‘leccionadas de los elementos. Una de las cubiertas contiene una iustracién ttl que ayuda a ‘contestar la pregunta que hacen los alimnos con mas frecuencia: “, Qué ¢s la clencia e inge- rnierta de materiales?” _ Desorpién genera por cape =" ‘La pane 1 introduce al alumno a la estructura atémica, los arregios atémicas y los movimien- tos atmicos: Capitulo |. Introduccién a Ja ciencia ¢ Ingenieria de los materiales: Este capttule pre- senta una introduccién al estudio de la ciencia ¢ ingenieria de los materiales mediante-el letracdrey CIM (Ciencia ¢ Ingenieria de los Materiales) para explicar lis intemrelaciones ‘entre composicién, estructura, sintesis, procesamiento y funcionamiento. El capitulo -explica la clasificaciGn (funcional y de:estructura) de los materiales, al igual que-e! di- sefioy Ia selecci6n del material. Estas bases de la ciencia ¢ ingenierfa de materiales se ilustran mediante varias aplicaciones en el mundo real. Captuto 2. Estructura atémica: £1 capitulo teva al alumno a tas bases de la estructura, atémica y los mecanismos de enlace de wn material. Se describen muchos ejemplos de lamanera en que los enlaces afectan las propiedsdes de los materiales. Capitulo 3. Arreglos atémicos y idnicos: En el capitulo se describen los ordenamientos atémicos y idnicos, incluyendo el orden a corto y a largo alcances; los reticulos, las cel ‘das unitarias, las estructuras cristalinas, los puntos, las direcciones y los planos, Este -capftulo también describe los materiales amorfos, las transformaciones alotrépicas y polimérficas y las estructuras cristalinas de los compuestos con enlaces iénicos -covalentes, Capétuto 4. Iniperfecciones en los arreglas atémicos y idnicos: Aquf contin la descrip cid de los amegios aiémicos y iénicos con descripciones de imperfecciones del reticu- Jo, como por ejemplo, defectos puntuales, dislocaciones, esiructuras cristalinas. efectos de superficie, Capitulo 5, Movimiento de diomos y iones en tox materiales: El capitulo cubre los con ceeptos bésicos de-difusisn: el movimiento de dtomos y iones. En ta descripcién de Ia difusida, se incluyen aplicaciones, mecanismos, energia de activacidn, velocidad y factores que afectan a la difusién. También incluye la deseripcién de la primera y la segunda leyes de Fick y la permeabilidad de los polimeros,Descripeién general por capitulo xxill La parte TT introduce los conceptos de propiedades mectinieas dé los materiales y el contro! de Ia microestructara: Captiuto 6. Propiedades y comportamiento mecdnico: Introduce al estudiante en las propiedades y el comportamiento de diversos materiales, con el examen de los mé- todos de prueba y las razones de la falla. Entre las descripciones, se incluyen la ter- minologia de las propiedades mecénicas, Ia prueba de tensién, la prueba de floxién, e1 esfuerzo-deformacién verdadero, la dureza. el impacto, la mecénica de fractura, 1a estadistica de Weibull, Ia fatiga, la termofluencia, la ruptura par esfuerzo y la corro- sign bajo esfuerzo. Capitulo 7. Endurecimienta por defarmacicn y recocido: Este capitulo explica las can- ‘septa: de endiurecimiento por deformacién y recocida, con descripctones de trabajoen fifo, la curva esfuerro-deformacisn, los mecanismos de endurecimiento por deforma- cid, el reforzamiento por el desareoilo de textura, las tres etapas del recocido, el con- trol del recocido, el trabajo en caliente y el formado superplistico. Capitulo 8. Principias de solidificaciéa: Exptica el concepto de la solidificacisn, Las descripciones incluyen lu nucleacidn, los mecanismos de crecimiento, el tiempo y el tamafio de las dendritas, las curvas de enfiiamiento, la estructura de la pieza colada, efectos, procesos de furdicién, colada continua y de lingotes, solidificaciGn direccio- nal, crecimiento de monoeristales, crecimiento epitaxial, solidificacion de polimeras y vvidrios y la unign de materiales metiicos. Capitulo 9. Saluciones sdlidas y equilibria de fases: Este capttulo introduce al estit- diame en los importantes conceptos de diagramas de fase y solucianes sdlidas, Se presentan descripciones de fases, diagramas de fase unario, solubilidad y soluciones sélidas, condiciones para la solubilidad s6lida ilimitada, reforzamiesto par solu- ida s6lida, diagramas de fases isomorfas, propiedaces y diagramas de fases, soli- dificacién de aleaciones por solucién sélida, solidificacién fuera de equilibric: y segregacida, Entre Ios ejemplos, se encuentrun las descripciones de diagramas de fs- ses de sistemas metilicos, cermicos y polimérias. Capitulo 10. Endurecimiento por dispersién y diagrama de faxes euiécticas: En este ‘capitulo continis Is descripeisn de los diagramas de fase, para presentar y deseribir el reforzamiento por dispersidn, fos compuestos intermetilicos, las reaceiones en tres fases, el diagrama de fases eutéctico, las aleacianes cotécticas, los materiales ex- ‘éeticas y su procesamiento, soliifieacidn fuera de equilibrio y los diagramas de fases ernarios, Capttute 11, Endurecimiente par dispersién mediante transformaciones de fase y tra- tamieruo térmico: Cotinda la descripciéa de reforzamiento por dispersién mediante ‘ronsformacién de fases; también incluye una descripcién de tratamiento térmico. Las descripciones abarcan nucleaciGn y crecimiem en reacciones en estade slide, endu- recimiento por precipitacion y envejecimiento, efectos de fa temperatura y del tiempo de envejecimiento, reacciones etitectoides. fa transformaci6n martensitica y las alea- clones con memoria de forma, La parte II introduce a alumno-en la ingenierfa de materiales: Capitulo 12. Aleaciones ferrosas: Presenta las designactones, clasificaciones y trata- ‘mientos térmicos que se usan con los aceros, hierros coludos y aleaciones metilicas. ‘También presenta la sintesisy ol procesamiento de ¢s0s materiales. Capitulo 13. Aleaciones no ferrosas: Presenta las designaciones, clasificaciones y trats- ‘mientos de las aleaciones no ferrosas.xxiv PREFACIO Capitula 14. Materiales cerdmicas: Esie capttalo introduce al estudiante en las aplicacio- nes, propiedades, sintesis y procesamiento de materiales cerimicos avanzados; también explica los conceptos relacionados con sintesis y procesamiento de polvos. Capitulo 15. Polimeros: Presenta al ahimno las clasificaciones, estrictuira, propiedades mecainicas, téenicas de procesamiento y reviclabilidad de los polimeros. Hay varios ejemplos que ilustran Tas aplicaciones de los plisticos disetiados, Capitulo 16, Materiales compuesto: trabajo én equipo y sinergic: en lox materiales: Explica los conceptos de materiales compuestos refarzados por dispersisn, con par- tfculas, con fibra y laminados, Capitulo 17. Materiales para ta construecién: Presenta las propiedades bisicas y el com- Portamiento de materiales de construccida, como madera, concreto y asfalto. La parte IV introduce al estudiante en las propiedades fisicas.de Jos materiales. de ingenieria: Capitulo 18. Materiales electrénicos: Este capitulo introduce al estodiante en el co ortamiento y las propiedades eléctricas y la manera de aplicarios a la ctencia de ma- teriales, Entre las descripciones, se encuentran las de a ley de Ohm y la conduetividad eléctrica; estructaras de bantlas de los slides; conduetividad de metales y aleaciones; superconductividad; conductivided en otros materiales, como plisticas, semiconduc- tores-y aislantes; propiedades dieléctricas; electroestriccién; piezoelectricidad; ferroe- lectricidad y piroelectricidad. Caplio: 19. Materiales magnéticas: Este capitulo presenta los conceptos de magnetismo ‘en Jos materiales y sus clasificackunes. Entre las explicaciones, estén las de dipolos y ‘momentos magnéticos, magnetizacidn, permeabilidad, materiales diamagnéticos, pa ramagnéticos, ferrimagnéticos, ferromagnéticos y superparamagndticos: la estrachira de dominios y el eiclo de histéresis, Ia temperatura de Curie y los materiales magné- ticos metélicos-y cerdmicos, También describe las aplicaciones de los materiales mag- néticamenite duros y staves. (Capinuto 20: Materiales fotdnices: En este capitulo, ¢} alumno conoce el comportamien- to y las propiedades de los materiales fotsnicos y la forma de usarlos en {a industria, ineluyendo los sistemas de comunicaciones por fibea. éptica, Capitulo 21. Propiedades térmicas de los materiales: Este capttulo describe las propie- dades térmicas de los materiales, incluyendo capacidad calorifica, calor especitico, dlilatacién vérmica, eonductividad térmica ¥ choque térmico, La parte V contiene una descripcia de la proteceidin contra ef deteriora y la falla de los materiales: Capinulo 22, Carrosiin y desgaste: Cubre los temas de eorrosidn y desgaste, Las descripcio- nes incluyen la-corrasidn quimica, corrosidn electroquimica, degradacisa microbian polfmeros biodegradables, oxidacién, reacciones con gases, desgaste y erosiGn. También describe estrategias para evitar la corrosién, Estrategias de ensefanza cgiv@lbra- “Sy. Reconocemos que todo el material que aqui se presenta no poede o no debe ser cubierto en un solo cue seta normal Sin embargo a lectonr os temas adeados, el pfesr pu de destacar los materiales que desce (metales, aleaciones, cerémicas, polimeros, matcriales ‘compuestos, ete.) asf coma proporcionar una perspective. de los materiales, o concentrarseAcerca de los autores Donald R. Askeland es un distinguido profesor emérito de Ingenieria metaldrgica en le Uni- versidad de Missouri, Rolla, Recibié sus grados en Ia Thayer School of Engincering en el Dartmouth College y en la Universidad de Michigan, antes de ingresar ala facultad de la Uni- versidad de Missouri, Rolla, en 1970. El Dr. Askeland ensefié en varios cursos de Ingenieria de materiales y de manufactura a estudiantes ce diversos planes de estudio de ingenieria y ciencias. Recibié varios premios a la excelencia en la enseitanza y par asesorias en la UMR. Se desempetié como Profesor Clave en la Foundry Educational Foundation y recibié varios premios por sus servicios en esa organizacidn, Su enseftanza investigaciones se dirigieron principalmente a la fundiciGn y unign de metales, en particular la fundicién en maxlelo de €3- puma perdida, que originaron mas de 50 publicaciones y varios premios por servicios y me~ jores trabajos, por parte de la American Foundry Society.voovili ACERCA DE LOS AUTORES Pradeep # Phuié es profesor de Ciencia ¢ ingenierfa de materiales en ia Universidad de Pittsburgh. Ingresé a esa universidad en 1989, fue promovido a Profesor asociado en 1994, _y después a Profesor titular en 1999. El Dr. Phulé recibié un doctorado, Ph. D.. en Ciencia ¢ ingenieria de materiales en 1a Universidad de Arizona (1989) y un B. Tech (1983) y M. Tech (1984) en Ingenieria metaldrgica en el Indian Institute of Techaclogy de Bombay (Mumbai), India. Es autor de cerca de 60 publicaciones y sc le otorgaron dos patentes.en Estados Unidas. Ha recibido premios de investigaciGn de In Fundacién Alcoa y de la Fundacién Fond, Es un notable profesor y educador y, en fecha reciente, apareciG en la lista de Faculty Honor Roll de 1a Universidad de Pittsburgh (2001) por sus destacados servicios y ascsorfas. De 1992 a 1999, fue el miembro del William Kepler Whiteford Faculty en la Universidad de Pittsburgh. De agosto a diciembre de 2002, el Dr. Phulé fue cientifica visitante en el Labora- ‘orio Ford de Investigaeign Cientffica, en Dearborn, MI. Los campos principales de investigacién del Dx. Phulé son sintesis y procesamiemto qui- ‘micos de cerdmicas, cerimicas electrGnicas y materiales magnéticos, desarrollo de materiales 1y sistemas inteligentes, Parte de la tecnologia MR de Muidos que ha desarrollado ct Dr. Phulé se esti transfiriendo a la industria. Fue el vicepresidente del Ceramic Educational Council (2001-2002) y miembro del Comité de programa para la Divisién Ekectrdnica de la American ‘Ceramic Society, desde 1996, ‘También ha sido editor asocindo del Journal of the American Ceramic Society (1994-2000). Principal organizador de simposios sobre cerdmicos para procesamiento sol-gel, comunica- ‘ciones inalimbricas y estructuras y sensores inteligentes. En 2002, fue clegido miembro de la "American Ceramic Society. Las investigaciones del Dr. Phulé han sido respaldadas por la Na- ‘tional Science Foundation (NSF) y por muchas otras organizaciones.xvi PREFACIO ‘Tenemos una deuda especitl con nuestros revisores, que nos tan acompafiado en todas las ctapas del manuscrito y galeras: Ia profesora Susan James, de Colorado State University y liprofeaor Norman B. Dowling, de Virgina Tech. Su intenso trabajo, dedicaciéa y perspectivas tos ayudaron a crear este texto de calidad. También deseamos reconocer # Richart McAfee yaal Dr. lan Nettleship, de ls Universidad de Pittsburgh, Gracias también al Dr. Cyrille Bou ‘dias y al Dr. Daniel Monceau, autores del programa CaRine, Nuestro agradecimiento muy especial a cada persona de Brooks/Cole Publishing ‘Company, por sus dnimos, conocimienins y paciencia hasta que este libro rindi frutes: Valerie Boyalian, Mary Vezilich, Tom Ziolkowski y Vernon Boes, Deseamos agradecer en especial a tres personas, por sus diligentes esfuerzos: muchas gracias a Bill Stenquist, nuestro editor, quien estableciG el tono de excelencia y proparcioné la visién, conocimientos y liderazgo para crear un producto de tal calidad; a Rose Kernan, nuestra editora de desirrolie y produccién, quien past largas horas mejarando. nuestra prasa y produciendo este texto de calidad, desde las primeras puiginas del manuscrito hasta llegar al producto final, ya encuadernado; y al Dr. Deepa Godbole, de la Universidad de Pittsburgh, ‘cuyos valiontes esfuerzos, trabajo intenso y dediicacién munca podremos pagar, Pradeep Phulé agradece de manera especial a su esposa, la Dra, Jyotsoa Phulé, y a sus hi- jos, Aarohee y Suyash, por su paciencia, comprensiia y énimos. También las debidas gracias al profesor §.H. Risbud, de Ia Universidad de California en Davis, por su asesoria y dnimos, asf como a todos nuestros colegas que nos proporcionaran muchas ilustraciones dtiles Donald R, Askeland Untversidad de Missouri, Rolla, Emérito Pradeep P. Phialé Universidade PirtsburghReconocimientos — xxW en el comportamiento o énfocar las propiedades fisicas, Ademds, el libro es una referencia itil para el alumno en sus cursos posteriores de manufactur, diseBo y seleceicin de materiales. Para Jos alumnos que se especialicen en la ciencia e ingenierta de los materiales, en campos amy relacionadas, se pueden exponer con mayor detalle las secciones relacionadas con la sintesis yel procesamiento, Este libro: cuenta co una serie de complementas para el profesar, los cuales estin en inglés 1ys6lo se proporcionan 2 los docentes que adopten la presente obra como texto para sis CuFSOS, Para mayor informacidn, favor de comunicarse com las oficinss de nuestros representantes 0 alos siguientes correas electrénioos: * Thomson México y Centroamérica: clientes@thomsonlearning com.mx. * ‘Thomson América del Sur: clithomson @andinet.com * Thomson Caribe: amy-reyes@thomsonlearing.com ‘Se necesita un equipo de muchas personas, asf como trabajo intenso, pars crear un libro dé texto de buena calidad, Estamos en deuda con todas las personas que nos ayudaron, animaron {ever on fre connate pate areperron de a an ct Primero, deseamas reconocer a los numerosos profesores que han leido y usado el texto, bene propercionde os ewwlinemaria leo mesea ewe na \C. Maurice Balik, North Carolina State University. Bran Cus, Univers of Tsai Ari ia, San Jove Se Uiesiy Richard S. Harmer, University of Dayton Prashant N. Kumta, Carnegie Mellion University Rafael Manory, Royal Melbourne Institute of Technogy Sharon Nighi, Uaivesiy of otlongong Asala Christopher K. Ober, Cornel! University Danis Pine, ivy of Anon Ram Pritaaran, O44 Donon Usiesy Lev Ratesbeg The Univesity of Tena a Austin Wie Rei, Nok Bak Se University John Schlup, Kansas State University Rober. Saye, Rieter Ineo Techoolgy Las personas siguientes revisaron los capitulos individuales y nos proporcionaron indicaciones especfficas: Harvey Abramowite, Purdie University en Calumet; Arthur F. Diar, ‘San Jose State University; Hassan M, Rejali, California State Polytechnic University, Pamons; Judy Schneider. Mississippi State University y Supapan Secaphin, University of Arizona.Ciencia e ingenieria de los Materiales CUARTABe kul Le eonsolidacién de particulas de poives es un método frecuente para fabricar materiales mo- tulices, ceramicos y compuestos. La difusion de los: itomos hacia los puntos de contacto entre las particulas, que en este caso son pol- ‘vos de cobre esféricos, durante la sinterizacién, hace que tas particulas se peguen. La sinteri- zacién y Is difusion continues hacen que los pofos entre las particulas finalmente desana- razcan. (Tomado de "Metals Handbook’, vol. 9, Metallography and Microstructure (1985), ASM International, Materials Park, OH 44073.)CAPITULO 4 Ke Introduccion a la ciencia e~ ingenieria de los materiales 2 % CAPITULO 2 ty atomica : CAPITULO 3 Areestincrinews ——Fstrctuna, arreglo CAPITULO 4 meateonee "ey movimiento de los CAPITULO 5S A imientos de étomos y de ianes atomos "et Jos materialesIntroduccidn a la ciencia e ingenieria de los materiales En este capitulo describirernos primero el cam- po de Ia ciencia @ ingeniarta de los materiales con diversos ejemplos del mundo real. Después presentaremos una introducci6n a la clasificaci6n de los materiales. Aunque la mayoria de los programas de ingenieria piden que los alumnos ‘tomen un curso de ciencia de los materiales, of actor debe considerar que su estudio en este ‘campo es més que sélo un requisito. Un cono- cimienta detallado de ta ciencia ¢ ingenieria de los materiales le permitiré ser mejor ingeniero y disehador. La ciencia dé materiales as bésica én todos los progresos tecnologices, y |a compren- ‘sidn de los fundamentos y las de los. materiales na sélo le permitiran ser mejor inge- niero, sino que le ayudarén durante @l proceso opyrighted m&erial6 en. de diseno. Para ser buen ingeniero, uno debe aprender qué materiales serén adecuados pa su empleo en distintas aplicaciones. El aspecto més importante de los materiales 8 que son los Medios: los materiales hacen que ocurran cosas. Por ejemplo, en la historia de la civilizecién, tos materiales come la pledra, el bronee y el hierra deserpefiaron un papel clave en el desarrolia de la humanidad.{2] En el aesterado mundo actual, el dascubrimiento de los monocristales.de-silicio y la comprensién de sus propiedades ha hecho Introduccién a la ciencia e ingenieria de los materiates materiales disefiados en ol mundo real. La diver- sidad de iss aplicaciones y los usos Gnicos de los materiales ilustran por qué un buen ingeniero hecesita comprender con detalle, y saber como aplicar, 108 principias de la ciencia & Ingenieria de los materiales, En cada capitulo comenza- remos con una seccién titulada Alguna vez se preguntd ...? Estas preguntas sa disefiaron para desportar la curiasidad del lector, para poner las cosas en parspectiva y para crear un marco de la que se aprender on el capitulo, posible la era de Is informacién. En este capitulo, y 6n todo el libra, deseribi- ramos ejamplos motivadores de aplicaciones de i {Qué es la ciencia e ingenierjatde:ios-mate‘tales? Boe: [La clencia ¢ ingenieria de los materiales es un campo interdisciplinario que se ocupa de inven: tormevos aster sya soos, diane esate de an cance | ‘mais profundo de las relaciones entre microestructura, composicién, simesis ¥ procexamiento, termine competi inc a sowsttacign quica det maria El Sng etree Shyu une dein el aegl smc, van en dnnon ges delle incon 008 y los ingenicros en materiales no sdlo tienen que ver con el desarrollo de materiales, sino también com In sts el procesamleno de masini yc Tos precise bin correspondientes a la produccin de los componentes. El xérmino sintesis indica la manera de fabricar los materiales a partir de elememos naturales o hechos pore! hombre. El término pro- cesamienic indica el Todd en que sé conformnan los miaieriales en components tiles y para causar cambios en las propiedades de distimos materiales. Una de las funciones mas impor- tots de iefienseingerse rts en sles laciones ete le opi dades y el funcionamiento de un material o de un dispositive, asf como la microestructora, la coniposiciéa y li forma en que el material se sintetizs y process. En la clencia de muiteria- Tes ae vara las elaine sabyacenss eel sei el procesamie a esta yy las propicdades de los materiales. En la ingenieria de materiales cl enfoque ex hacia cémo ‘convertir o transformar las materiales en dispesitives o estructuras tiles Cho efor apes is cnet de inca de marae eI investiga de a estructura de un material. La estructura de los muteriales tiene waa influeacia profunda ea tran dens propleds um eando canbe eomponso per! Por eps se toma tn alambre de eobre puro y se dobla ea forma repetida, el alambre no s6Io se endhu- rece [sino también se vuelve cada vez ms frigil! Al final, e] alambre de cobre puro se vuel- ‘Ve bins ina y Sigil jque se rompel La sestsienicla eléctrica del alaiabae tatublé aisticita al “bvlro cn fra wept Ee ee ecaplosenclovese quem cami a copes cién del material, ex decir, su constitucién quiinica. Los cambios em las propiedades del ma- | terial eden au cambio cou esrctr inten ive ekarina el ana Sespus blr Se vr igel que anes sn emg, nuestra ha cambiados ra eala Py{Qué es ta ciencia e ingenieria de los materiales? = 7 Figura 1-1 AplicaciGn dal tetreedra de Is ciencia e ingenieria de los materiales 2 los supercon- ductores cerémicos. Obsérvese que la ricroestructura y la sintesis, y al procesamients y la com- posicién se intereoneetan entre si y afectan la relacién entre desempefo y costo. PPequetia o microseépica. A ls estructura en esta escala microscéipica se le llama microestruc- tara. Si se puede comprender Jo que cambid) microscOpicamente, se comenzaré a descubrir formas para controlar las propiedades del material. ‘Veamos, con tna perspectiva todavia mejor, el tetracdra de la ciencia © ingenieria de los ‘materiales que se presents en la pégina inicial del capitulo, exeminando un producto de mues- tra: superconductores cerdimicos inventados en 1986 (Fig. |-1). El lector sabe que los materia- Jes certimicas no suelen conducir Ia electricidad. Los cientificos encontraron por casualidad ue ciertas compuestos cerémicos a base de Gxidos de itria, bario y cobre (Ilamados YBCO) en realidad pueden conducir Ia corriente ckéctrica, sin ofrecerle resistencia, bajo ciertas condi- ciones. Con base en lo que entonces se conoeia de los superconductores. metilicos y las pro- priedades eléctricas de Los cerdmicos, na se consideraba que el comportamiento superconductor de éstas tuviera grandes posibilidades. Asi, en este caso, el primer paso fue el descubrimien- ‘0 del comportamiento superconductor de los materiales cerimicos. Una de las limitaciones que se descubrieron fue que e508 materiales s6lo pueden superconducir a bajas temperatu- ras (<150 K).capt Introduceién a 15 ciencia e ingenieria de bos materiales EI siguiente paso fue determinar edimo mejorar esos materiales. Por “mejor” se entiende ba fortna como se puede conservar ef comportamicato siperconductor en esos materiales, a temperaturas cada vez mayores, 0 cémo se puede transportar una gran cantidad de corriente a una gran distancia. Esto implica hacer estudios cuidadosos.de procesamiento y propiedades -estructurales. Los cienttficos en materiales deseaban saber cémo afecta la composicion y Ia mmicroestructura (el areglo de la estractura atGmica, et.) al comportamiento superconductor; también deseaban saber si existfan otros compaestos que presentaran una superconductividad similar. Mediante experimentos, los cientificos desarrollaron la sintesis controlada de polvos ultrafinos con los cuales efear un material cerdmico superconductor. Desde una perspectiva de ingenierta de maceriales, se desea saber si se pusden fabricar motores, imunes mity poderosos (que se pudicran tsar. por ejemplo, para obtener imagenes de resonancia magnética), alambres de superconductores cerdmicos que se usen en aplicu- ciones clecurinicas 0 dispositivos microelectrénicos diminutos. Digamos que, en la aplicacién de transmisidn de energia eléctrica, se desea conocer, en dltime término, si se pueden fabri- car tramos largos, fables y reproducibles, de alambres superconductores mejores que: los actuales alambres de cobre y de aluminio, {Se pueden producir esos alambres en forma ccondmica? El siguiente desaffo fue fabricar ramos langos de alambres superconductores ceramics. Eistos supetconductores son frigiles, por lo quc era todo un reto fabricar tramos largos de alambre. Entonces debicron desarrollarse las técnicas de procesamienta de materiales para crear esos nuevas alsmbres. Se encontraron buenas salucianes mediante prueba y error. Una forma eficaz de crear estos almbres superconductores fue llemur tabos huecos de plata con polvos de cerdmica superconductors, para despucs tefilarlos, ‘Aunque el descubrimienta de los superconductores cerimicos sf capsé gran expectativa, larruta de la conversicin de ese descubrimiento en productos tiles ha encontrado muchos de- saflos relacionados con la sfntesis y el procesamiento de esos rasteraies,(3-6} En fecha re- ciente se ha observido Ia superconductividad en un compuesto lamado diboruro de magnesio (MgB,). Este compuesto parece no tener las limitaciones de algunos de los demds super- conductores cerdmicos usados antes, pero se necesitarén mis. prucbas y desarrallos para fabricar este material en forma econéimica.{7] [A veces s¢califican como zevalucionarias los descubrimientos de nucvos materiales, Fend- menos dispositivos. Hoy, al ver hacia atrés, se considera revolucionario el descubrimiento el transistor de silicio que se usa en los chips de computadara. Por atra parte, los materiales {que han evolucionado durante cierto tiempo pusden tener la misma importancia; a esos ma- teriales se lex Hama evoliscionarios. Muchas aleaciones basadas en hierro, cobre y elementos parecidos som ejemplos de materiales evolucionarios. Naturalmente, es importante reconocer que los que hoy se consideran materiales evolucionarios, hace muchos afios fueroo avances revalucianarios. No es raro que primero se descubran materiales o fendmenos y después de muchos afios aparencan en el mercado los producios o procesos. La transicién del desarrollo cde materiales 0 procesas nuevas, hasta las aplicaciones comerciales 0 industriales tiles, puede ser lenta y dificil.(8) ‘Examinemos otro ejemplo de Ia aplicacidn del tetraedro de ls ciencia e ingenieris.de los ma- teriales que se presents en la pagina inicial. Veamos los aceras faminadas que se san en la fa- bricaciGn del chasis de sutomévil en Ia figura 1-2. Los aceros, como sabe el lector, se han vsado en fa manofactura durante més de cien afios, pero es posible que existieran en una forma primitiva durante la Edad de Hierro, hace miles de aiios{2.3] En ta manufctura del chasis de ‘automdyil se necesita un material que posea una resistencia extremadamente alta, pero-que fi- cilmente se conforme a contomos serodinimicos. Otre consideracién es la de laeficiencia de la ‘gasalina, por Io que Is liming de acero también debe ser delgada y ligers. Los sceros laminados también deben ser capaces de absorber cantdades impartantes de energia en un chaque, y a8 mentar asf la seguridad del vehiculo. Estos uitimes son requisites un tanto contradictorios.Desempeno | + {Cust es la formabilidad? Coste | * {€6m0 se releciona hy anterior | con tas propicdades del vebiculo | _ entos choques? + (Cuil es el eostorde fabricacién? C: Sintesis y procesamiento :Ciimo se puede controlar la. fabri- ‘eacién del acero para obtener un alto {grido de tenacidad y formabitidad? + Como se puede conformar el chasis 2 Aplicacién del tetraedro de la Giencia 6 ingeniria dé los materiales a 108 aceros lami- inados pare chasis de automdvil. Obeérvese que ls microestructurs Ia sintesis,y el procesamienta ‘y la composicién se interconectan entre siy afectan la ralaciin entre desempetie y costo, Ast, en el casa del scero laminado, los cientfficos en materiales se ocupan de Ia composiciGn, Ia resistencia, el peso, "las propiedades de absorcién de enengia y © Ja maleabilidad (formabilidad). Los cientificos en materiales examinarian el acero a un nivel microseépice para deter- ‘minar si s¢ pueden alterar sus propiedades para cumplir toxos estos requisites. También0 CAP.1. Introduccién » la ciencin # ingenieria de-los materiales: _a base de silicio? Figura 1:3. Aplicacién del etreedro de la clencia ingenierla de los materiales a polimeros 96- rmiconductores para microclectrénica deberfan tener en cuenta el costo de procesar este acero, junto con otras consideraciones. Como se pueden afectar las propiesades mecéinicas del acera? {Qué clase: de pinturas se pucden desarrollar para que cl acero resista la corrosién’ En algunas aplicaciones se nece- sita saber si ¢s0s aceros se pueden soldar con facilidad. En esta deseripcidn se padré ver que se deben tener en cuenta varios temas durante el disefio y Ia seleccién de! material pa- ra eualguier producto. ‘Veumos otro ejemplo mis, el de una clase relativamente nueva de materiales lamados palimeros semiconductores (Fig. 1-3). Alan J. Hegger, Alan G. MacDiarmid y Hideki Shi- rakawa obtuvieron el Premio Nobel de Quéntica en 2000 por su descubrimiento de polimeros conductores eléctricos. Ahora se han procesado: muchos polimeros semiconductores para fa- bricar diodos emisores de luz (LED), La mayorla de nosotros hemos visto LEDS en des- Pertadores, relojes y otras pantallas, En esas pantallas s¢ usan con frecuencia compuestos inorgénicos a base de arseniuro de galio (GaAs) y otros materiales. La ventaja de wsar pliisti- cos en la microelectrdnics es que soa ligerns y flexibles. Las preguntas que deben contestar los cientificos e ingenieros.en materiales en las aplicaciones de los polimeros semiconduc- tores som:Clesificacién de fos materiales = 0 = {Cusles som las relaciones entre Ia estructura de los polimeros y sus propiedades eléc trieas? = Cémo se pueden hacer dispositives que usen 30s plisticas? = {Serin compatibles es0s dispositivos com In tecnologia actual de chips de silicio, 0 crearin por sf mismos una tecnologia nueva? = Qui tan robustos o fetes serdin esos dispositivos? = {Cémo se comparan el desempeito y el casio de esos dispositives con los tradickonales? Estos som sélo algunos de los factores que deben tener en cuenta los ingenieros y los cien tfficos durante el desarollo, disefio y manuifactura de dispasitivos xemicondictores polimeéricas, 12 Client os malades = =<" Hay varias formas de clasiicar los materiales. Una de ells consist en deseriirclaco grupos (table 1-1): |, metales y alenciones; 2. cenimicas, vidrios y vitrocersimicos; 3. palfmeros.(plisticos), 4. semiconductores y ‘5. materiales compuesto, [Los materiales de cada uno de estos grupos poseen distintas estructuras y propiedades. Las diferencias de resistencia, que se comparan en la figura 1-4, ilustran el amplio margen de propiedades de donde pueden Seleccionar lox ingenieras. Como los materiales metilicas se ‘usan mucho en aplicaciones de cargas dindmicas, sus propiedades mevinicas soa de un gran interés prictico. Aquf las presentaremos en forma breve. El término esficerzo indica una car- A 0 tna fuerza por unidad de Sea. Deformeacion unitarta se refiee al alatgamiento 0 & un cambio de dimensi6n, dividido entre la dimensiGn original. La aplicaciém del esfuerzo causa 1a deformacion initaria. Si esa deformacidn winitaria desaparcce despues de haber quitide lit carga 0 el esfuerzo aplicado, se dice que la defarmaciéa es eldstica. $i ta deformacién unitaria permaneve después de eliminar el esfuerzo, se dice que la deformacicn unitaria es plastica. (Cuando 1a defermaciGn es elistica y ei esfuerza y tu deformacién guardan una relaciéa tineal, Ja pendiente det diagrama esfuerzo-deformacién unitaria se le lama médulo de elasticidad o médulo de Young. Al valor de esfuerzo necesurio para inictar la deformacién plistica se le Mama resistencia de cedencia. La deformacién porcentual maxima que sc puede alcanzar es luna medida de ta dectilidad de un material metélice, Todos estos conceptas se describen con detatle en el capitulo 6, Metales y aleaciones Incluyen aceros, sluminio, magnesia, zinc, hier colado, ttanio, cobre y niquel. En general, las metales tienen buena conductividad eléctries y térmica. Los metales y tus aleaciones tienen una resistencia relativamente alta, gran rigides, ductilidad o- formabilided y buena resistencia a los choques térmicos. Tienen utilidad especial en aplicacio- nes ectructurales o bajo cargas dinémicas. Aunque a veces se usan metales puros, las mezclas de metales lamadas alesciones permiten mejorar determinsdas propiedades 0 mejares combi naciones de propiedades, El come longitudinal de un motor de reaccidn que se ve en la figura. 15 ilusira cl uso de materiales metilicos en varias aplicaciones crfticas120 CAP Introduecién a la siencia e ingeri da los matoriales TABLA 1-1 m Ejemples repcesontativos, aplicaciones y propiedades para cada categoria de materiaies Ejeenplos do aplicaciones Propiedaes Motales y alneciones Cobre Conductores eltctricos ‘Alta conductivided eléctrice, buena Hierro cotado gris Bloquos de motor para automdvil Tormabilidad Se puede fundir y maquinar; emortigua vibraciones Acoros sleados Herramiontas, chasis. Se endurece bastante con de automéviles tratamiente térmico Covi y vidrios Si0,-Na,O-Ca0 Vidrio de ventanss jarente: sialante ‘A1,Q,, MgO, S10, Refractariog (as decir, forra de horos resisteate al calor) para ‘contener metal fundido térmico; resiste altas ‘temperatures, relativamente inerte al metal fundido: Titanate de berio Capaciteres para microelectronica Gran capacided de almacenamiento carga Silice Fibres Gpticas para tecnologia Indice de retraccién, bajas pérdides ‘do Io Informaeién pticas Patinarss Polictileno Empeque de alimentos Se moldea con fecilided en pelicula delgade, exible y hermatica al aim Epaxicos Encapsulamiento de circuites: Alslante elctrica y resistente a la intagrados humadad Fendios Adhesives pare unircapas‘en _Fusrteyresistente @ la humedad smodera tercads Semeniariores Silicio Transistoras y circuites integrados = Compartamiento eléctrico unica Gate Sistemas optoslectronicos Conviere ssfisleseltctricas en lu: Véeeree, diodos de lier, etesters, Motonates compuesios Grafte-resina ondixca Componentes de aviones ‘Ata rolacién da rositencia a pe60 Carburo da tungsteno-cobalto Herramientas de corte de carburo Alta durezs pera buena resistencia (weco) ‘para maquinedo a choque ‘Acero revestido de titanio Recipiontes de reactor Bajo costo y alta resistencia del ‘cero La ciencia y la ingenierta de los materiales coastituyen un campo interdisciplinario que se ocupa de inventar nuevos materiales y dispositivos, y de mejorar los materisles que ya se coanocen, desarrotiando: una comprensién més profunda de las relaciones entre su mi- croestructura, composicién, sintesis y procesamicnto, » Los materiales disetiados soa los que se disefian y fabrican teniendo en cventa los princi- pios de la ciencia ¢ ingenieria de los materiales. > Las propiedades de los materiales diseados dependen de su composicién, estructura, st tess y procesamiento, Un fndice importante de desempefo de los materiales 0 disposit vos es su relacidn de costo a desempefo, > Laestructurn de un material se refiere al arreglo utdimico de los > La estructura a nivel microsedpico se conoce come microestructura. » Muchas propicdades de-los materiales dependen en gran parte de la estructura, aun euan- do su composicidn sea la misma. Es la razéa de la importancia extremadamente grande que tienen las relaciones entre estructura y propiedades 0 microestructura y propiedades. > Los materiales se clasifican en metales y aleaciones, ceriimicos, vidrios y vitrocerdmicas, ‘materiales compuestos, palimeros y semicanductores, 1 en el mismo, > Los metales y las aleaciones tienen buena resistencia, buena ductilidad y buena malea- bilidad, Los metales tienen buena conductivided eléctrica y térmica, Las metales y las24 CAP. Introduccion ala ciencia ¢ ingenieria de las materiales -aleacianes desempefian un papet indispensable en muchas aplicaciones, como automdwi- les, edificios, puentes, aeroespaciales, etcétera » ‘Los cerdmicos son materiales cristalinos inorgénices, Son resistentes, sirven ome buenas aislantes eléctricos y térmicos y, con frecuencia, son resistentes a das por altas tempe- raturas y ambientes corrosivos, pero mecdnicamemte son frégiles. Los cerdmicos moder- 1 forman ta base de muchas de las tecnologias de microelecuGaica fotCnica > Las polimeros tienen una resistencia relativamente baja; sin embargo, sa relacin de resis tencia a peso es muy favorable, No son adecuados para esos a altas temperaturss, Tener una resistencia ala corrosién muy buena y, como los cerimicos, forman buenos aislamientos ‘eléctricns y térmicos, Los polfmeros. pueden hacerse dictiles @ frégiles, dependtendo de su estructura, temperatura y rapidez de deformacin, » Los semiconductores poscen propiedades eléctricas y Opticas dnicas que los hacen esen- ‘ciales en la manufactura de componentes de dispositivos elecininicos y de comunicacio- nes. » Los materiales compuestas se obtienen a partirde muchas clases de materiales, Permites combinar propiedades mecénicas y fisicas en forma Gnica que no pueden encontrarse en tan solo material + En la clasificacién de los materiales segtin sus funciones, se incluyen los materiales ac- roespaciales, biomddicos, clecinénicos, energéticos y ambientales, magnéticos, épticos (Fotnicos) y extructurales. » Los materiales también se pueden clasificar en cristalinos y amorfes. Loos materiales cris talinos pueden ser monocristalinas o policristalinos. » Las propiedades de 10s materiales dependen de Ia temperatura, nivel y tipa de estuer- 70 aplicado, rapide de-deformacién, oxidacién y corrosidn, y otros factores ambien- tales, » La seleccidn de wn material que tenga las propiedades necesarias y el potencial de fabri- carse en forma econdmica y con seguridad, para eblener un producto Wil es un proceso | complicado que-requiere conocer las relaciones entre su estructura, propiedades, procesa- lento y composicisn, ES= glenn Aleaci6n Material metilico que se obtiene mediante combinaciones quimicas de distintos elemen. tos (por ejemplo, el acero se hace con hierro y carboao). Cominmente, las aleaciones ticaea mejores [Propiedades reecinieas que los metales puros, Geramicos Grupo de materiales cristalis inorginioos earacterizado por su buena resistencia, en es- pesial ala compresiéa y temperaturas de fusiin alas. Muchos cerdmicos eacn propirdades muy bucaas de-ailamiemto eléctrica y sérmico, Ciencia de materiales: Campo de Ia ciencia que se coupa de los estudios de las relaciones entre la festnsctura interna © microesirctura, ta sfntesis y el procesamiento de: los. materiales ¥ Iss propiedades deséstos Ciencia @ ingenieria de materiales Campo interdisciplinarin que se ocupa de inventar materia- Tes nvevns y mejorar Ios que-ya se conocen, desarrollandgo wna comprensin mds profuada de las rela- Sones calre microestructura, compasicién, sintesis y procesamicato de los distntos materiales. Composicion Constitucién quimica de un material.Glosario | 25 Densidad Masa por unidad de wolumen den material. que suele expresarseen pic! en thipulg" Estructura Deseripeidn de los arreglos de bos stamos o ls ies an material La estructura de los materiales tiene una influencia profunda sobre muchas de sus propiedades jsunque no camie su com- posicida quimica general! Estructura cristalina Ameplo de los itomos on un material cristalino, Falla por fatiga Falla de un material debida a ta carga y descarga repetida Granos Cristules de un material policistalino, Ingenieria de materiales Campo orientado ala ingenicria, que ¢ enfoca en la forma de coovestir © transformar materisles para obtener un dispositivo o estructura iil, Limites de grano Regiones entre los granos de un material policristaline. Material cristalino Material formado por uno o muchos crstales, En cada erstal, lo dion 6 lat ines tienen un areglo peridico en gran escala, ‘Material inteligente Material que puede sentir un estimulo exter, com un cambio de tempera- tra, ta aplicacide de un-esfuerz0 0 un cambia de humedad o de ambiente quimico, y responder w él ‘Matorial policristalino. Material formad por macbos cristae, lo eontrario de um material mono crstalino, qoe so tese un cristal Materiales compuestos (o compositas) Grupo de materiales obtenidos con mezclas de meta- es, cerimicns o polimeros, de tal forma que xe obvengan combinaciones no frecuentes de propiedages (por ejemplo, el plistico reforrada con fibra de vidrio). Metal Elemento que tiene enlace metilico y en general buens ductilidad, resistencia y conductividad eldetriea, Monoeristal Material cristlino formadi por solo un cristal. No contiene Limites de gran, lasticos Materiales polimericas que coniencn eos aditivos. Polimerizacion Proceso por el cua ls moléculas orpdnicas ve unen y forman molgeuas gigantes 0 polimeros. Polimeros Gropode materiales que normalmente x obicnenunicndo moléculas ergénicas para for- rar cadenas o redes moleculares gigantes, Se caracterizan por tener baja resistencia, baja temperatura de fuse y mala conductividad elctrica Procesamiento Distintas formas de coaformar materiales o cambiar sus propiedades para obtener componentes ities Propiedades fisicas Las que describen caracterfsticas como color elasticidad, conductividad elgtrica 0 vémmica, magnetismo ¥ el comportamiento pico, que ea general no est ifhukdas en for= 1a sinificativa por ins fuerzas que actdsn sobre un materi. Propiedades mecénicas Propledades de un material, como la resistencia, que describen qué tanto resis las fuerzas aplcadas, ncluyendo fuereas de teosin o-de compresion. de impacto, ciclieas ode fatiga,o las Foerzas a alas temperaturas. Relacidn de resistoncia a peso Resistencia de un material dividida entre su densiad. Los mate- ales com gran elacin de resistencia a peso son fueres, pero ligeros. Semiconductores. Grupo de materiales cuya conductividad elictrica es intermedia enie Ia de los metals y ls cerdmicas normales (por ejemplo, Si, GaAs). ‘Sintesis. EL proceso de foricar materiales apart de elementos 0 de quiicos echos pore hombre.CAP.1 Introduccidn a la ciencia e ingen! de los matoriales ‘Termofijos Grupo especial de polimeros que al caleniarlos se descomponen en vez de fundirse. Nor- ‘malmente son bastante frigiles, debido a que tienen una estructura de red tridimensional relativamente rigida (por ejemplo. poliuretano). ‘Termoptisticos Grupo especial de polimerasen los cuales las cadenas moleculares estén enredadas, [pero no interconectadas, Se pueden fundir-con facilidad y moldear en formas tiles. En el easo normal, estos polfmerns tiene una estructura de cadena (por ejemplo, polietilena). ‘Tetraedto de la clencia e Ingenieria de los materiales Diagramna en forma de tetracdto que ‘muestra la forma en que la selaciéa de desempeto a costo de los materiales depend de la composicién, 1a microestructur, la sintesis y el procesamiento de los mismos. Vidrio Material amorfo derivado del estado fundido, en general, pero no siempre, a base de sce. Vitroceramicos Clase-especial de materiales que se obtienen moldeando un video y taténdalo des- pots coo calor para formar crstales pequedios. Cones, R. The coming of Science, Pergamon, 20 2 Bronowstc, J. The Ascent of Man, Bock Bay Books, 1973, pp: 124-131 3. owes. Bd. The Materials Revolution, MIT Press, 1988. LLesssoomrr, B.R."High T_ Superconductors for Magnet and Energy Tectmology”. Springer Tracts ‘Modern Physics, Spriages, 2001, 5. Livinoston, AD. Dring Fore, Harvard Press, 1996, 6 Maxsooary, J. y P CHALnsant “High-7, Bicystal Grain Boundaries”, Plysie Taday (noviembre). 2001, pp.48-5, 7. Coots. LD. era. “Poecil Appictions of Magneshum Diboride fo Accelerator Maynet Applica ‘Wons”, Prec. of the 200! Particle Accelerator Conf., Chicago, IEEE, 2001. A. Materials Sclence and Engineering: Forging Sivonger Links ro Users, National Academy Press, 199, 9. rows, FH, “Materials foe Sports, MRS Bullern, 1998, 28(3). 10. Muscar, AJ. er a. “Interdsciptinary Teaching and Learning ina Semiconductor Processing Course”, J. Engineering Education, 1998, 87, p. 43. 1, Gavus, BW. y M. Gooowex. “Precipitation Hardening inthe Fit Aerospace Aluminum Alloy: The Wright Fiyer Crankease",Setence, 266147}, 1904, pp, 1015-1017. 12. 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Sefale un descubrimieato revolucionasie, Sefale un descubrimiento evolocionario, Seacidn 1-2 Clasificacion de los materiales. Seceidn 1-3 Clasificacién funcional de los materiales Seccidn 1-4 Clasifica: nde los materiales con base en su estructura Seccién 1-5 Efectos ambientales y de otra indole 15 16 Ww 14 El acero se recubre con frecnencia coa una capa del- ‘gia de zinc, cuando se va a usar ala internperie. {Qué caracteristicas cree que aporta zine 4 ese acero re- cablerto.o galvaaizade? Se desea producir un toldo trunsparende par un avi, ‘Si-seusara un toldo cerimico (estos, vidio normal de ‘ventana, las roca o fas plans to rompertan, Dise- fhe un material quc minimice bos dafias o que cuando menos evite que el toklo se rorapia y se-desiotegre, Law resomtes belicoidales deben ser muy nesictentes y rigidos. EI Si,N, es un material resistemt y rigido, .Se- Awoces se fabric indicadores de temperatura con un bonds metiica enrolinda. que se desenolla de- teminada casidad condo aumenta li temperatoa. i Cémo funciona, de qe cise de atrial se dberin hacer el indicadory cules son ls propiedad in pemantes que debe tener? Ustad or diver we svi. ie psd lee Gm ta enengia de un hombre, una distancia de 30 km sin esce- las, {Qué cle de propiccades recomendaria para los imarinler? Codie werian loc masses adecuos? 0 Le gusta ponee en dita ua miceosailite de 90 ca. El satlite tendré equipos elécricas delicados que mandarin y resibirin sefiales de radio desde y hacia la Tierra, DiseBe la coraza extema (comtenedor) dentro del que se eolocari clequipo cleciico. Que propiodades se necesitanin y que clase de materaaes dram teenie en cet! Qué propiedades debe poseer Is cabera de un marti- lose earpintero? ; eno fabricariadicha cabeza? El casco den transbordador espacial comsta de lo- sets de cenimico pegadat a una cubiema de sluminio Descrit los requisites de diseta de-casco que deter ‘minaron ef uso de esti combinaciGn de materiales {Qué problemas habrin afromtado los sinefdores fabricantes para producir ese casco? Usted desea selecionar un material pura los cootas- tos eléctricos de un dispositivo coomtdar eéctrico «que abee yciesra con frecuencia y con fuerza, {Qué eopendades debe poscet el material de tos coatscton? Qué clase de materia] recomendaria? Seria bueno tae Al,0,? Explique por qué La densidad del alurninio es 2.7 lem’. Supoaga que desea produsar un mutenal compuesto a base de alums rio que tuviers una densidad de 1.5 plem?. Disede un material que tenga exa densidad. Seria fate La pos ssa de ise e8e alumi peas de pote Jeno cuya densidad 6s 0.95 pcm? Explique por qué. Diesen identifica dstitentieraks sin eur al ad lisis quimico nia extensos easayos. Describa algunas Aonicas posible de put y clneficciin gue pelrian Uusarse, con Base en las propiedad fsicas de bs ma tecales. Desea separar fisicamente diversos outeriales en ‘una: plants de recictado de chatarra. Describa lgu- ‘nos métodos-que s¢ puedan usar para Separar mate- Files como policros, aleaciones de aluminio y ssceros entre si Algunos pistones de motores. sutomoutees podrian {abricarse con ue material compuesto que cuntenpa particolas pequetias y duras de carburo de silicio en ‘una mates de aleacién de aluminio. Expligue Ins ven ‘aja que cada material podria aportara la parte en ge eral, {Que problemas posian cmusar las distintas propiedades de los dos materiales en ls pistones?Lake ee ere es ee ee a eet os ee ee ne eee eeeEl abjetive de este capitulo es describir los conceptes fundamentales relacionados con la estructura de la materia, Examinaremos la es- tructura atémica con objeto de establecer una base para comprender la forma en que afects las propiedades, los comportamientos y las apli- caciones consecuentes de los materiales de in- enieria. El lector aprenderd qué la estructura de las atomos afecta los tipas de enlaces que man- tienen unidos a los materiales. Estos distintos tipos de enlace afectan en forma directa ta aptitud de los materiales en las aplicaciones ingenieri- les en el mundo real, Tanto la compasicién como la estructura de_un material tienen una influencia profunda sobre sus. propiedades y su comportamiento. Los ingenieros y los cientificos que estudian y sdosarrollan materiales daben comprender su @s- tructura atémics. Veremos que las propiedades do los materiales se pueden controlar y que, en Pateria80 CAR.2 Estructura stémica realidad, se pueden adapter a las necesidades de daterminada aplicacién, mediante el cantrot de su estructura y composiclén, La estructura de los mater ar y describir en cinco exai 1. macrosstructura, 2. microestructura, 3, nanoestructura, 5, estructura atémica. Los ingenieros y los cientificos que se ocu- pan del desarrollo y las aplicaciones practice de materiales avanzados deben comprender la microestructura y la macroestructura de di- ‘versos materiales, asi como la forma de cont lartes. Le microestructura es 1a estructura det material 6 una @scala de longitud de -10 a 1000 nm. La escale de tongitud es una longitud © intervalo de dimensiones caracteristicas den- ‘tro de la que 8@ describen las propiedades de un material o los fendmenos que suceden en los ma- tariales. En ol caso normal, ia microestructura ‘comprende propiedades como el tamafo pro- medio del grano, la distribucién de ase tamafo, ta ortentackén de los grangs y otras propiedades relacionadas con los defectos en los mate (Un grano 68 una parcién del material dentro de (a cual el arreglo de ios étomos es casi idéntica.) La macroestructura es la estructura del mater ‘a nivel macroscépico, donde la escala de longitud = 1000 nm, Entre las propiedades que cons- vituyen la macroestructura estén la porosidad, les recubrimientas superficiales y las microgrie- tas intornas 0 extemes. También 6s importante comprandor la 6s- ‘tructura atémiea y |a forms en que los enlaces atémicos producen distintos arreglos atémicos 0 Idnicos én los materiales. La estructura atd~ mica incluye todos los étomos y sus arreal ‘que constituyen los bloques estructurales de la materia. A partir de estos bloques esteucturales ‘amergen todos los nano, micro y macroniveles de ‘estructura. Las perspectivas obtenidas al com- prender Ia estructura atémica y |as configuracio- nes de enlace de los somos y moléculas son ‘esenciales para una busna seléccién de mate les de ingenieria, asi como para deserrollar nue. ‘vos materiales avanzados, Un examen detenida del arreglo atémice per- imite distinguir entre materiales que son amortos que carecen de un orden de largo alcance de los ‘tomes 0 jones) 9 eristalinos {los que tienen atreglos geométricos periddicos de dtomos o jones). Los materiales amorfos s6lo tienen arre~ gles atémicos de corto alcance, mientras que los materiales cristalinos tienen arregios. de corto y largo alcancs. En los arragios até- micos de corto alcance, las atomos o los iones muestran determinade orden s6t0 dentro de dis tancias relativamente cortas. Para los materiales cristalinos, el ordan atémice de largo sleance tigne la forma de dtomos © lones ordenados en tun arreglo tridimensional que se repite a lo largo de distancias mucho mayores (desde ~>100 nen hasta algunos centimetros), En e] mundo actual hay muchas ress, come la tcenologia de la informacién, la biotecnolo- ia, la tecnologia de la energia, del ambiente y muchas mis, donde se requieren dispositivos cada vez més pequefios, més ligeros, ms ripidos. portétiles, més eficientes, fiables, durade- ros y poro costosos. Se requieren beterfas que sean mais pequetias, més ligeras y durubles. Se necesitan automdviles que sean relativamente asequibles,ligeres, seguro, con alte rendimien- to de combustible y equipados con muchas funciones avanzadas. desde sistemas tke posicio- nnamiento global hasta complicados sensores: para nctivar fa bolsa de aire Algunas de esas necesidaces han generido hastante interés en la nanoteenologia y en los sistemas micro-electromecinicas (MEMS por sus sighas en inglés) [1.2] Un ejemplo de estosLa estructura del itoma = 31 @ ) Figura 2-1 Los sensores de silicio micromaquinado se usan en los automdviles para controlar ef inflado te las bolsas de aire. (Cortesia del Dr John Yasaiti, Analog Devices, inc.) ‘timo en el mundo real se ve en la figura 2-1, la cual muestra un pequeflo sensor de acelera- cid que se obtiene con micromaquinando de silicio (Si). Este sensor se usa para medir la ace- Jeracidn en automéviles, La informacién se procesa en una computadora central, y despues se ‘isa para controlar la act vaciéin de la balsa de aire, Las propiedades y el comportamient dé los ‘materiales a estos niveles “micro” pueden variar macho. en comparaci6n con los que tienen a ni- vel “macro” o em el volumen, En consecuencia, comprender Ia estructura a nanocscala, que € Ja nanoestructura (es decir, la estructura y las propiedades de los materiales a una manoescala, ‘ovuna escala de longitud de ~1 a 100 mm) y la microestructura son amas que han recibido con- siderable atencidn. El término nanotecnolo-eta se usa para describir un conjunte de teenologias que se besan en fenémenos fisicos, quimicos y biolégicas que suceden en la nanoescala. Las aplicaciones que se muestran en Ia tabla 2-1 yen sus figuras (2-2 a 2-7) ilustram a importancia de los distintos niveles de estructura en las propiedades de un material. Las apli= ceaciones. que se muestran se descomponen por sus niveles de estructura y escalas de longitud (a longitud earacterfstica aproximada que es importante para determinada aplicaciGn). Ademés de la ilustracién, también se incluyen ejemplos de Ia forma. como esa aplicacin se usaria en Ja industria. ‘Abora dirigiremos nuestra aiencidn a los detalles concernienies a Ia estructura de los &to- ‘mos, el enlace entre ellos y el modo en que forman una base de las propiedad de lox mate~ rales. La estructura attmica influye sobre la forma en que se enlazan los étomos entre s{. La comprensién de esto ayuda aclasificar los materiales en metales, semiconductores, cerdmicas ‘© polimeros. Tambien nos permite llegar a ulgunas conclusiones generales arerca de las pro- pPiedades mecénicas y los comportamienins fisicas de estas cuatro clases de materiales. 22 | Laestuctiratel atom 9 Un dtomo esté formado por un niicleo rodeado por electrones. El mécleo contiene neutrones: Protones, estos ditimos con carga positiva, y tiene una carga neta positiva. Los electrones tienen ‘carga negativa y se mantienen cerca del ndcleo por atruccidn clectrostitica. La carga eléctrica q ‘que lleva cada electrin y exda protin es 1.60% 10° coulomb (C). Camo las eantidades de elec tones y protones en tn ndcleo son iguales, el stoma como un todo es eléetricameme neutro, El ndmero atémice de un-clemenia es igual ala cantidad de electrones 0 protanes en ¢a- a Gtomo, Ast, un étoma de hierra, que cantiene 26 electrones ¥y 26 protanes, tiene ndmero atémico 26. La mayor parte de 1a masa del stomo esté contenida en el nicleo. La masa de cada protén 1 ¢xda neutrén es 1,67 x 10 g, pero Ia masa de cada electrén sélo es de 9.11 x 10-*g. La ‘masa atémica J, que es igual a la cantidad promedio de protones y neutrones en wn somo, también es la masa, en gramos, del nimera de Avogadro iV, de dtomos, La cantidad N, = 6.02 x 10 Gtomos/mol ¢s la cantidad (0 el niimero) de stoinos © moléculas en un mol. Ea32 CAP.2 Estructura atomica ‘TABLA21 Bt Wiveles de estructoras vel do estructura Empl de tocaslgien Estructurs atomica Arragios atémicos: orden de largo alzanes Arragios atémicos: orden ‘de corte alcance Diamante: El diemente se besa en enlaces covelentes carbono-carbeno (CCl. Se espera que los materiales con esta clase de anlaces sean rofativamemte duros. Se usan policulds delgadas do diamante para proporcionar un filo re sistonte ol desgaste para herramientas de corte. 1] o PZT-cusndo los iones en este ‘material se arreglan de modo que tengan estructuras cristalinas tetragonales © rombosdricas, el material es piezoatéctrico: desarrolla un voltaje al some terlo @ presién o estuerzo. Las cerdmices PZT se usan mucho en diversas aplicaciones, que inciuyen encendedores de gas, generacign de ultrasonide y cantral de vibracionas, Jones on vidro de siticw ($i0,) edo tienen orden de corto akcance, donde lor ones Sit y O-* so arragian de cierta manera: cada $i"* esta anlazado con io- nas 4 O-? en cootdinasién tetraédrica, Sin embargo, este orden na ge man tiene en grandes distancias, y entonces el vidrio.de silice 68 amorto. Los vidrios de silice emorls, a bese de silice y de otros éxidos metélices, gon la base de toda la industria de comunicaciones por fibrag dpticasGa estructura del domo = 38 Escala aproximada de longitwd hasta 10" motA Figura2-2 Herramientas de corte de diamante. (Cortesia de OSG Tap & Die, inc) 10a 10° m (1a 10 A); puede existir ordenamiento hasta an va- log em, en los cristales mayores. Figura 23 Encendedlores de gas con basa en compuestos pie- -roeléctricos PZT. Cuando el material plezoeléctrico se somate a Ln esfuerzo laplicandole una presién} se produce un voltajey se forma uns chisns entre las electrodos. (Cortesia de Morgan Electro Ceramics, Inc} 10° haste 10° m (de 1.8 10 A) Figura 2-4 Fibras Spticas basadas en una forma de silice ‘amorta. (Costesia de Corning Incorporated.)34 CAP.2 Estructura atomica ‘TABLA2-1 (comtinvacién) Nivel de estrectara Ejemple de tocnologias Nanoestructura Microestructura Macroestructura Particulas con nanatamafo (-5 a 10 nm) de éxido de hierro; se usan en ferro. fluidos 0 en imanes liquidos. Estas particulas de dxido de hierro, de nenota- ‘mafo, s@ dispersan en liquidos y se usan comerciaimente como ferrofiuidos. Una aplicacion de esos imangs liquidas ¢s coma medio de entriamiento. Utrensferencis de calor} en los altavoces. Li resistencia mecéinica de muchos metales y sleaciones depende mucho del tamaio de grano. Los granos y los limites de grano de la microgratia edjunta 4p scero son parte de i caracteristicas micropstructuralas dp este material eristaline. En general, « tempersture ambiente un grene més fine conduce @ ‘una resistencia mayor. Muchos propiedades importantes de los materiales 200 sensibies sts microestructura yamente gruesos, como las pinturas en automdviles y 80 usan no sélo por estética, sing para dar resistencia(oesiucture del stoma 39 Escala aproximada de longed 10% 2 10°? m (1 100 nm} Figura25_ Ferroluido,(Cortesia de Forro Tec, nc) 10° mm (40 nem 1000 nn} Figure 2-6 Microprafia de acara inaxidable que muestra los ora ros y los limites de grano. (Cortesia del Dr: Hus y ef Or. Deardo. Universidad de Pitesburgh} =>10-# nm (4000 nm) Figure 2-7 Varios recubrimiantos organieos @ inorgénicos prote- ‘gen al acero dal autorn6vil contra la earrasién y le dan un aspec- ‘to agradable. (Corrasia de Ford Motor Company)CAP.2 Estructura stomica consecuencia, la masa atémica tiene las unidades g/mol. Una unidad alternativa de massa atd= mics ¢s la unidad de masa atémica, uma, que es 1/12 de la masa del carbono 12 (es decir, de un dtome de carbono con 12 protones). Por ejemplo, un mol de hierro contiene 6.02 x 10” tomos y tiene una masa de 55.847 g, o de 55.847 uma, Las cdiculos donde interviene la ma- sa atdmica de un material y el ndmero de Avogadro son wifes para comprender més acerca dle Ja estructura de un material, En el ejemplo 2-1 se ilustra la forma de calcular la cantidad de dtomos de plata, que es un metal y un buen conductor de la electricidad. Los ejemplos 2-2 y 2-3 ilustran aplicaciones a materiales magnéticos y semiconductores, respectivamente. ah “Avogaudro, En ef apéndice As ‘mas 107.868 whol La canta de dtomon ex: (100g)(6.023 10" stomos/mol) 107.868 g/mol = 558 « 10” ‘Cantidad de dtamos de Ag = ‘Volumen de cada nanoparticuls magnetica de hieero = (4/3)n(1.5 x 10-7 em) " = 14137 x 107 em? ‘Densidad det hierro = 7.8 g/cm, Le-mase atémica del hierro es $6 g/mol. ‘Maxa de cada nanoparticula de hierro = 7.8 gicm’ x 14137 x 10" cm* = 1102 10" g. Un mat o 56 g de Fe contiene 6,023 x 10® atomos; en eonsecuencia, a cantidad de ‘iomos en una nanoparticula de Fe serd 6.023 x 10° fg mol x (1.102% 10°" g/S6 ghmol) = 1186, Es-una-cantidad muy pequefia de étomos, comparada con la cantidad de étomos ‘en una particula de hierro de 10 micrdmettos de didmetro. Exss particulas mayores de hie~ Jc pe eles nt op eerie a ee ee eeLa estructura electronica del drome 38 fo 3 Rosa29 Et conjunta com- elecuin 11 m= 3, 1=0, m=0, m= +4.0-) ptetade ndmeros cuinticos de ‘cade uno de lot 11 electrones. electri 10 w= f= 1, m=4lm=-) Ger socio fetecuin? n=, t= 1, mest m= +h elecuin8 a=2 Pet, m=O, m, — elecinin? \ fesse lectrda 5 [ 2s? Selectrin 4 lectin 3 3st 2 fe n=, 120, m=0, m=-} elecmin 21, 120, 20, m=44 TABLA 2-2 Si Pautw para asignar electrones a aiveles de energia tno Tet tad t23 bez tes (ah eh (a wh (a) i nati) 2 n= ail) 2 6 n= 3(My 2 6 0 n= ain) 2 6 10 14 n= 610) 2 6 © 14 18 n= 61?) 2 6 10 4 18 Fe Nota: 2, 6. 19, 14, ...,indican la cantidad de electrones an-el nivel de energia. Desviaciones structuras: electronicas esperadas No siempre se sigue ta cconstruceién ordenada de la estructura electrénica, en especial cuando el niimero atdimica es ‘pfinde Y s€ contienzan a flenar los niveles d y/ Por ejemplo, cabria esperar que la estructie ‘a electrGnica del hierro, de iaumero atmico 26, fuera: 1s25?2p*3s23p* Ba Sin embargo, la estructura real es: Is?2s?2p3s73p* aa) El nivel 3d que queda sin Henar es el que causa el comportamiento magnético del hierra, co- mo se veri en el capitulo 19, Valencia La valencia de un tomo es la cantidad de electrones de un tomo que participan en el enlace o en reacciones quimicas. En general, la valencia es la cantidad de-electrones en los niveles de energia extemos.s y p. La valencia de un dtomo se relaciona con su habilidad para paiticipar en una combinacién quimmica con otros elementos. Algunos ejemplos de valencia sex ‘Me: 1s?2s72p [357 valencia = 2 Al: 182372p* [3523p valencia = 3 Ge 1222 Ipt3s73pe3d" [Feapy valencia = 4a CAP.2 Estructura atimica La Valencia también depende del ambiente inmedisto que rodee al domo 0 de los étomos vecinos disponibles para enlararse. El fésforo tiene una valencia de cinco cuando s¢ combina con el axigenc. Pero la valencia del fésfaro s6lo es tres: los electrones en el nivel 3p, cuando reacciona.con el hidrgeno. ;E! manganeso puede tener valencias de 2, 3, 4,6 0 7! Estabilidad atomica y electronegatividad Si un étomo tiene valencia cero, el ele- mento ¢s inerte (no es reactive). Un ejemplo de este caso es el angén, que tiene la estructura electrénica: Ls?2s2p* Otros dtomos prefieren comportarse como si sus niveles extemos sy p eshivieran total- mente llenos, con oche electrones, o completamente vacios. El aluminio tiene tres electrones en sus niveles extemos s y p. Un dtome de alumminio cede con facilidad sus tres electrones ex- termes, y quedan vacios sus niveles 3s y 3p. El enlazamiento atémico y el comportamiento quimico del aluminio estén determinados por e! mecanismo de intersccién de esos electrones con los étomos que los radean. Por otra parte, el cloro.contiene siete electrones en los niveles externas 3s y 3p. La reseti- vidad del cloro se debe a su aptitud de Henar su nivel externo de energia aceptando un electréa. La electromegatividad describe la tendencia de vin étome para ganar o-aceptar un elec- trén. Los dtomos con los niveles de energia externos casi totalmente llenos, como el clore, son fuertemente electronegativos y aceptan electrones con facilidad. Sin embargo. los étomos con hiveles externos casi vacfos, come el sodio, eden con facilidad electrones y tienen baja elec- tronegatividid. Los elementos con ndmeto atémico grande tambien tienen baja electronega- \ividad, porque los electrones extemos esti a mayor distancia del nicleo positive, por lo que 1a son atrafdos con tanta fuerea al étemo. En la figura 2-10 se mitestran las electronegativi- dades para algunos elementos. En el ejemplo 2-4 se ilustra una comparacidn de estructuras electrénicas con lo que acabamos de aprender acerca de la.electronegatividad. Los elementos con baja electronegativided, es decir, <2.0) a veces se llaman electropositivos, inenes w Electronegatividad po am HA WA IVA VIA VILA Vv sip0 slp! slp? slp? slp gp Posiciéa en la tabla periddica of +——_—Gases Figura 2-10, Electrons periddica smentos an funcién de su posicién en la tabla \videdes de algunosCAP.2 Es vuetura atémica 5 Figura 28 Estructura atbmica Kn=I tall op xe} del sodio, nidmara atémico 11. Muesira los electrones en las, 7 Capa Linea) capaseudiicasK Ly Mt Capa M (n= 3) 1. Al mimero cusatico principal m se le asignan valores enteros |, 2,3, 4,5, .. que ine dican la capa cudintica a la que pertenece el electrén (Fig. 2-8). Una eapa cudntica es.un conjunto de niveles de energfa fijos a los que pertenece cada electrén, A cada clectrén de la capa se Je designa con cuatro raimeros cudnticns, ‘A las-capas cudnticas tambign sc les asigna una letra respectiva; a la capa en que n= Ise lama K, para n = 2s. para nm = 3.es My asf sucesivamente. 2. La cantidad de niveles de energia en cada capa cufntica esti determinada por el ndimero cudntico azimutal | y por el niimero eusintico magnético ,. El adme- ro cudntico magnético describe el némero de niveles de enengia para cada némero ccuintico azimutal. los niimeros cuinticos azimutales también se les asignan niime- ros: = 0,1, 2, ...n = 1. Sim = 2, entonces hay también dos nimeros euinticos azimutales: = Los nimeros cusnticos azimutales.se representan con letras: mindsculas: «para = 0: d paral = 2 pparal=1 fparat=3. 3. Elindimero cufintice magnético mr, expresa la cantidad de niveles de energia u arbitae Jes para-cada nimero cusntico azimulal, La cuntidad total de mimeros cusnticos mag- ‘éticas para cada/ es 2/ + 1A los valores de m se les asignan niimeros enteros entre No todas las propiedades de los materiales son sensibles a la mictoestructura; el midulo de elasticidad es una de elas. + Aldiseflar materiales para componentes, s¢ debe prestar atenci6a a la camposiciGn bisica de! material. También se debe comprender el enlazamiento en-el material y ratar de adap- tarlo para cumplit con determinades requisitos de funeioeamiento, Poe vltirho, tambien debe tenerse en cuenta el costo de las materias primas, los costos de manafgetura, ef im- pacto ambiental y los factores que afectan la duraciéa, =i ‘Anién ton can carga negativa que se produce cuando wn deem, por lo general de un no-metal cepa no mds electrons. ‘Arreglos atémicos de corto aleance Ordenamicnios akimioos a una distancia de pocos mr Arreglas atomicos de largo alcance Patroaes tridimensional re fordenaa lor ésomos o jones en fos materiales eristalinos. vos ten Hos cuales se Copa cudintica Conjunto fijo de niveles de energia al que pertenecen los electrones, Cada elecirda en la capa se especifica con cuntro mlimeros cudeticus Cation Ion con carga positiva que se produce cusnde ua tome, por lo general de metal, cove sis electrons de vale Cosficiente de diletacién térnvica Cantidad que varia las dimensiones de un material cuando ccambia Ia temperatura. Un material con bajo-coeficiente-de dilstaciéin térmica tlende a revener uz dimensiones cugndo cambia Ia temperatura. Composicion Constiwcitn qufmica de wn material, Compuaste intermetitico Compuesto coma el Al, V formade por das 0 mis étnmos met cenlazamiento suele ser una combinacion de enlaces metilices y iGnicos, jstancia interatémics Distancia de equilibrio entre los centros de dos stoma, En Ios elementos sélidos, Ia distancia interatGmica es igual al difmetro aparente del ftomo.Glosario, 61 Dopante Elemento que se agregs en forma deliberada a un semiconductor (por ejemplo, Pen el Si. ‘Buctiticiad Capucidad de os materiales de ser estirados © doblados sin romperse. Electrenegativicad Teadencia rlativa de un dtomo para acepuar unelectada y wansformarse en un anidn, Los iromes Tuertemente ¢lectronegatives aceptan ebectrones con facifidad. Elementos 66 teonsicién Conjunto de elementos casas comfigurationes clectricicas won ales ue comicnzan a lenarse sun niveles dy / intemos. Esos clementos suelen tener varias valencias,y son dies cenaplicaciones electrénécas, magnéticas y dpticas Energia de entace Bergin necesaria pura separa dos dtoriis dice su distancia de. oquiirio hasta ‘ona distancia infinita, También ela Fuerza del enlace entre dos Somos. Enlace covalente El que se forma entre los. dos étomos cuando comparten sus electroncs dé valencia Entoce da van der Waals Enlace secundarto formado entre stomos y moléculas, como consecuencia de interacciones entre dipolos que sean inducides o permanentes. Enlace iomico Enlace que se forma entre dos especies atdmnicas distinas extnda wa Gioeno (el eatin) dona sus electrones de valencia al segundo dteano (cl anién}. Las Sones qoedan unidos entre sf por una arsccide elecisidticn, Enlace metiliea Atracciém electrostitica emir los electrones de valencia y los centins iiniees con ceamga positiva, Enlaces primarios Enlaces fuertes entre dtomos adyacentes; se deben a la transferencia 0 a com: ‘ati lox electrones en orbitales externos. Enlace secundarie Esluce débil, como los de van der Waals, que suele uni moléculas entre sf Escala de longitud Distancia o intervato relativo de distancia: se usan para deseribir la estructura, las propiodades o Tos fensenenos relacionados con el materia Estructura Descripcidn de los arreglos espaciales de bos étomos 9 los tones en un material, Estructura atémics Todos Joe dtomas y sus arregios que constituyen los blogues de eonstrccidn de Ta materia, Fuerzas de London Poermasde van der Waals entre molécalas que no tienen un momento dipolar permanente Interacciones de Debye Fuerzasde van der Wasls que se producen entre dos moléculas cuando s6- To una de ellas tiene un momcoko dipalar permanette, Interacciones do Keosom Faerzas de van der Waals entre moléculas que tienen un momento 100.nca [Las propiedaues carscteriatcas comprenden poroskiad,recubrimientos supertciales y MUCKOgriews eX ternas.0 amienas Masa atémica Masa del ndmero de Avopadra (6112 x 107) de dicmos,ghmol. Nonmalmente. es la ‘antidad promedio de protones y nestrones en el Stomo.Timbidn se be Hama peso atic. Material amorfo Material que no tiene onden de tinge alcance en sus domes: por ejemplo, ef vi dio de slice, Materiaias cristalines Materiales en bes cuales los stomos estén ordenados en forma peritdica y snwestran un orden de largo aleanee.CAP.2 Estructura atémica Milcroestructura Estrectura de un material s una excala de longitud de ~10 2 1000 nm, Suede jacluér ‘carscteristicss como tumafo promedio de grano, distribuciéa de tamattos de grano, ovientacién de era- oy lis relacionadas 00 tos defectos en los misteriales. Méduie de etasticidad (£) Pendiente de ta curva esfuerzo-deformacidn unitaria en la regis elis- tica, También se Hama melalo de Young. Moléculas polares Moléeulss que han desarrollado us momento po eléctrico interno 0 extero. ipolar por virtud de un can Nanoescala Escala de longitud de 1 » 100 nm. Nanonetruct ‘9 Estructura de un material-en la nanoescala (~ escala de longitud de 1 2 100 mm). Nanatecnologie Conjunto emergeate de tecnologias busadas en dispositivos, fendimenas y materia- les en nanoescala Numero atomic Cantidad de protaoes 0 de electiones en un Sorbo. Nimare de Avogedro Camidad de somos 0 moléculas en un mil, El numer de Avogadra es 6.02 210 por ml Namaro cuantico azimutal Némero cudatico que representa distintos niveles de energia en lus capa principales Numero cusintica de giro oaspin Numero cudatice que indica el giro de un elect, Mimero cudntico magnético Némero cuntico que describe niveles de encrgia para cada mimero ceudntico azirmutal. Nimeros cuinticos Ndmeros que asignan niveles discrews de energta 1 los-electrones de tun Sto: mo, Los cauirp mimseros etdnticos son el principal m, el azimutal /,el magnética m, y el de giro m, Principio de exclusién de Pauli No mis de dos electrones en un Stamo pueden tener Ia misma ‘energia, Los das electrones tienen expines magnesicos opaeston Procesamiento de polvos Técnica de procesamieato de metales que comprende la unin de ppolvos finos, en estado sélido, para farmar un producto polictistalino Puerite de hidrégena También enlace de hsirOpeno. Una inieraccién de Keeton (um clase de en lace de van der Waals) emtre moléculas, donde interviene wn étomo-de bideSgeno. Por ejemplo, enlaces ‘entre molecules de agi Relacidn direccional Los enlaces entre diomos en materiales con enlaces covalentes forman fing los especsiions entre sf, que dependen del material, Resistencia-a lacedencia ‘También panto de cedenciao esfuerzo de cedencia, Valor de a resisten= «ia por arriba del cual un material comienza.a mostrar de(ermacidin permaneate (o plistiea). Semiconductor l-VI Semiconductor basado en elementos de fos grupos 2B y 6B de Ia tabla peric- ica (por ejempto, CASe), Sistemas microelectromecénicos (MEMS por sus siglas en inglési Consisten en dispositi- ‘vos en miniatura que se preparan normalmente por rmicramaquinado, ‘Semiconductor tk ‘Semiconductor besado en elementos de-les grapos.3A y 5B de ta tabla perio ica (por ejemplo, GaAs), ‘Temperatura de transicién vitréa Temperatura por amiba dela cual muchos polimerus y vidrios Iinocginioos ya no te comportaa como materiales frigiles. Aumenia mucha su Guctilidad arriba de la temperatura de tansicida virea,Termister Dispositi ca cuando cambia Ia temperatura, Unidad de masa atémica masa de un éromo de carbon. Problemas 63 para medir la temperatura, uprovechando el cambia de cunductividad eléctri- Masa de un domo capmesada en doveavas partes (1/12) de ka Valencia Cantidad de electrones en un domo que participan en las reacciones qutmicas 0 de enlace. La waleacia suele ser la cantidad de electrones en las niveles extemos s » p de enexgia. == “Special Issue: Nanotech. The Science of the Small Gets Down to Business", Sciemsfe American, septienntre: de 2001 2. Brswow, D:, PG. Gasoue. y C. RANDY: “Micromachines on the Rise”, Piysies Today, octubre de 2001, pp. 14, 3, KULRARD, ¥.G, "Polyanilioes: Progeess in Processing and Applications”, ACS Syoyp, Series, Amwe- rican Chemical Society, 1999. 4. Hisuext, IM. y AJ. Moutson. Eleetoceramies. Materials, Properties ard Applications, 1990, 3. ROY R, DAK, AGHWAL, J, ALAMA y RA, ROW, “A New Structnral Family of Near Zero Expansion Ceramics”, Materials Research Bulleta, vol, 19, 1984, pp. 471-477, Seccion 2-1 La estructura de los materiales: importancia tecnalégica 24 22 23 2b Qué significa el idrmina composicidn de un material? {Qoé significa el téemino eseructers de un-maueral? Cues son los diferentes niveles de estructura de wn material? {Por qué es importante tener én cuenta Ln estructura ide un material cuando se diseian y se fabrican com ponentes? {Cul es Ia diferencia enure fn micrcestractarn y la macroestructura de un material? Secci6n 2-2 La estructura del dtomo 26 27 a} El papel de aluminio que se uta para alocense alimentos poss unex 0:3 g-por pulgada cusdrad, .Cwimes stomes de alumninio contiene una pulga- ‘da cuadrada de ese papel? bi Con las deasidades y las peses atdenicas que se cencucntran en ol spéndice A. calcul y.cormpare Ia cantidad de fromos par centinetro cibicn en i) el plomne yi) el ii, 8} Con Jos datos de! apéndice A, calcule Ia canta de diomas de hierro en wna tonelada carta (2000 Tiras de erro 28 bb} Use tos dizos del apdadive A para calcutar el vo- lumen, en consémetros cibicas, que ocupa un rol de bors, Para wiquelar una parte de acera com 200 int de super cle, com una capa de 0.002 in de espescr de niguel: 2) {ewsinor ftomos de niguel se requieren? b) ;Cudnins moles de nique se requicren’? Seecion 2-3 La estructura electronica del étomo 28 210 244 242 Suponiendo que un elesnento tiene valencia 2 y nd- men alémice 27, ¥ slo con ase en los niimeros ‘eulinticos, jcusitos electrones tebe haber en el nivel de energia 37 Elindio,con mimero atimico 49, m0 coniene electones ‘anameniveles de enargia 4f. Slo com ate informacién, Jeu debe ser i vakeneia del indo? Sin ver el apéedice C, describ oe miimeros cufictioos sde-cada ui de los 18 eléctrones en la capa M dell co» bee, con un formato senoejante al dela figura 29 En los metales, la carga eldctrica se transfiere cam el movimiento ds lox- 100 am. Los itomos 0 los ines ea ese ma- teriales forman un patrén regular y repettivo, semejante a una red en tres dimensiones. A esos ‘materiales se les llama materiales cristalinos. Si un material cristaline esté formadi por un so- lo cristal grande, se le ams material monocristalino 0 monocristal, Los mondcristales se wsan ‘en muchas aplicaciones electninicas y pticas. Por ejemplo, 1os chins de computadora se fabri- ‘can con manocristales grandes de Si (hasta de 30 cm de dimetro} [Fig. 3-4(a)]. De igual mane~ 12, muchos de los dispositivos electradpticos tiles se fabrican a partir de eristales de ninbato de litio, LANDO,. También se pueden procesar lot monoeristales en forma de peliculas delgadas, que se usan en muchas aplicaciones electdnicas y de otra indole, Ciertos tipos de flabes de tur- ‘bina tambien se fabrican con monoeristales de superaleaciones a base de niquel, Un materialOrden de corto alcance versus orden de larga alcance = 71 Figura 34 Pantalla de cristal liquide. Estos ma- toriales son amorfos en un estado y sure cristalizacién localzada camo: respuesta 8 un campo eldctrica exter- ‘no; $8 usan mucho en las pantallas de cristal liquido (LCD). (Cortesia de \Nick Koudls/PhotoDisc/Getty images) Policristalino esti formado por muchos cristales pequefios con diversas orientaciones en el es- ppacio, Estos cristales més pequetios se Ilaman granos. Un material policristalino se parece a un collage de varios monocrisiales diminutos. Los bordes entre los crsiales diminutos, donde los cristales estin desalineados entre sf, se Haman Eimites de grano, La figura 3-4(b) muestra Ia mi- croestructura de un material de acero inoxidable policrstalino. Muchos materiales cristalinas ‘que se manejan en aplicaciones técnicas son polictistalinos (como los aceros que se usan ea la consiniccién, las aleaciones de aluminie para aviones, ec.) En capitilos posteriores aprendere- ‘mos que muchas de las propiedades de los materiales policrstalinas dependen de las caracterfs~ ticasfisicas y quimicas de: ls granos y también de los Iimites de grano, Las propiedades de los materiales monocrisalinos dependen de su composicida quimica y de las direcciones expecifi- ‘cas dentro del cristal (Ilamadas direectones cristalogrifieas), El orden de largo alcance en los ‘materiales cristalinas se puede detectar y medir con téchicas como la difraccidn dé riyos X o la difraccién de electrones (seccidn 39), Cristales liquidos Los eristales liquides som materiales poliméricos que tienen un orden especial. En cierto estado los polfmeros de cristal liquide se comportan como materiales amorfos (semejantes @ Nquidos), Sin embargo, cuando se les aplica un estimulo externo (c0- mmo un campo eléctrico o un cambio de temperatura) algunas moléculas de polfmero se ali- ‘pean y forman pequeftas regione: que son cristalinas; de ahi el nombre de “‘cristales liquidos”. ‘Estos materiales tienen muchas aplicaciones en la tecnologta de pantallas de eristal liquide (LCD, por sus siglas en ingles) (Fig. 3-5).[1] En 2001, el Premio Nobel de Fisica fue para Eric A. Cornell, Wolfgang Ketterle y Carl E. ‘Wieman, cientificas que verificaron un nuevo estado de la materia, llamado condensado de Bose-Einstein. Ya en 1924, el Dr, Satyendranath Bose y Albert Einstein predijeron la existen- cia de este estado de la materia (Fig. 3-6),{2,3] En ese estado tan extrafio, un grupo de dto- ‘mos enfriados a temperaturas muy bajas Gusto arriba de O Kelvin), mediante léseres y trampas ‘magnéticas, tiene ef mismo estado cusintico fundamental. Aunque los condensados de Bose- Einstein no tienen aplicaciones. técnica en la actualidad, sérfan ditiles en estudtios relaciona- dos con el desarrollo de nanodispositivas, como liseres atémicos. La figura 3-7 muestra un resumen de la clasificacién de los materiales con hase en el tipo de orden atimico.72 CAP.3. Arregias atémices y idnicos Fogura 3-6 Albert Einstein y Satyendranath Bose predijoron la existencia del condentadn de Bose- Einstein en 1924. (Foto de Einstein cortesia de la Biblioteca dé fe Universidad de Pennsylvania; foto de Bose cortasia del Indian National Council of Sciance Museums, Emitio Segre Visual Archives.) ‘Bjemplos: Si, Gaas (C: Cristales liquidas Orden de conto aleance yde largo abeance ‘en pequefios volimenes, Ejemplo: polfmeros en pantallas de cristal liquid Figura 3-7 Clasificacion de fos materiales con base en la clase de arden atémico. ‘Todo material que sélo muestra crdenamiento de étomos o ianes de corto alcance es un msi terial amorfo, es decir, un material no cristalino, En general, la mayoria de los materiales tienden a formar arreglos periddicos, porque esta configuraciéin maximiza su estabilidad termo- dindmica, Los materiales amoefos tienden a formarse cuando, por una u otra razén, la cinéti- ca del proceso de obtenciGn de los mismos no permitié a formacion de arreglos periGdicos,Materisies amorfos: principios y aplicacionestecnoligicas 73 Los vidrias, que normalmente se forman en sistemas cerimicos y poliméricos, son buenos jemplos de fos materiales amorfos. De igual modo, algunas.clases de geles poliméricos 0 co Ioidales, o materiales parccidos a los geles, también se consideran amorfos. Los materiales ‘amorfos offecen, con frecuencia, una mezcta Gnica e inusual de propiedades, porque 10s sto ‘mos 0 los iones no-estin acomadados en sus arreglos “regulares” y perididioas. Obsérvese que con frecuencia hay muchos materiales de ingenieria calificados come “amorfos” que pueden contener una fraccidn cristalina. Las técnicas como difraccién de electranes y difraccién de rayos X (seccion 3-9) no se pueden usar pura caracterizar el arden de corto alcance:en los mar {eriales amorfos. Los cientificas usan la dispersiGn de-neutrancs y otfos métodos part intwes- tigar el orden de corto alcanee en los materiales amorfos, Un ejemplo comin dé un material amarfo es un vidrio de silicato. Com el Hamas proceso de vidrio flotado, se funden varios ingredientes, como sflice (SiO, ),akimina (AL,O,), Gxido de sodiio (Na, O}'. dxido de calcio (CaO), etc. para formar las vidrios que se san en 19s parabr- sas de automdviles o los vidrios de ventanas. En este proceso, se: agregan otros xidos a la sfice ‘para bujarla temperatura de fusién, porque aun a temperanuras de ~ 1400 °C, la silice pura fun dia es demasiado viscosa para que el proceso funcione. Bl vidrio fundido flota sobre ua bao deestaio fundido; de ahi ef nombre de vidrio flotado. Al soliificarse, los tetraedros de (SiO, (Fig, 3-2), que hay aun en el vidrio fundido, no tenen oportunidad dé formar un ameghs peric- dico regular. Si en forma detiberada se eleva la temperatura de un vidrio de slicain y se raantic~ ne alta (por ejemplo « 1000 °C) durante largo tiempo, pequefas porciones de este vidrio, que originalimente éra amorfo, comienzan a “cristalizar”, y los tetraedros de (SiO,)*~ comicezan & ‘organizarse y a formar cristales-diminutos. A medida que los cristales diminutos execen, comien- an a dispersar la luz y el videio comieiza a perder tansparencia, Sino se cowols la cristali- zacién, se desarrollarin esfuerzos que bardn que el vidrio se fracture. Por otra part, la cristalizacién de los vidrios puede eontrolarse. Los cientificos y los in- genicros cn materiales, come Donald Stookey (Fig. 3-8a)|, han desarrollado Formas de: nu Clear en forma deliberada cristales ultrafinos en vidrios amarfos. Los materiales obtenidos se aman vitrocerdmicas (Fig. 3-8(b)], pueden hacerse hasta ~99.9% cristalinas y son bustan- te resistentes. Algunas vitrocerimicas se pueden hacer Opticamente transparentes mantenien- do extremadamente pequefio el tamafo de los cristales (~<100-nm). La mayor ventaja de tas vitrocerimicas es que se moldean con las técnicas de conformacién del vidrio, perond se frac turan como el vidrio.[4] Deseribiremos este tema con mis detalle en el capitulo 8, ‘igual que los vidrios inorfinicos, machos plisticos también son amorfos. Aunque pueden contener pequefias porciones de material cristalina. Durante su procesamiento, las.cadenas re- Itivamente grandes de moléculas de polimera se enredan entre sf, coma el espaguet, Las mo- 1écullas de polimero enredadas no se organizan pera formar materiales cristalinos. Durante el Procesamiento de polimeros se aplican esfuerzos mecdnicos a la preforma de bx botella, por ejemplo, en la manufictura de una botella novinal de dos Tiros para bebida gaseasa, con phis- tico de tereftalato de polictileno PET (polyethylene therephitilaie). Este proceso se llama mol- deado por soplado y estirada (Fig, 3-9). Los esfuerzos radiales. (soplado) y longitudinales (estirado} durante la formic de la botella desenrollas algunas de las cadenas de polémera, causande eristallzacién inducida por esfuerzo. La formacitin de cristales aumenta li resisten- Gia de lass botellas de PET, Igual que en. caso de las vitrocerimicas, se debe controlar ef pro- ces0 de eristalizacién para. que los cristales refuercen ext realidad al plistico PET, pero que no sean demasiado grandes como para dispersar ta kuz y perjudicar Ia transparencia. En comparacisn con tos plésticas y los vidrios inorgdnicos, 1os metales y Ins aleaciones tienden a formar materiales cristalinos con bastante facilidad. Por lo tanto, para formar estruc- ‘uras amorfas en estos materiaies, es decir, vidrios metilicas se requieren velocidades de en- friamienio del metal liquide >10° °C/s. Esta técnica de enfriar muy répidamenie los metales yy aleaciones se Hlama solidificacién nipida, Machos vidrios metilicos tienen propiedades que son ala veziitiles y excepcionales. Algunos, como Metglas™, tienen aplicaciones comerciales "N. del En realidad, se wsa carbanato de sodio, NasCO,74 CAP.3. Arreglos atimices y iénicos pe (b) Figura 2-8. (a) Donald Stookey, a quien so le acreditan Investigaciones precursoras sobre vitrace- rémieas,(b) Obtenidas & partir de vidrios smorfos, las vitrocarémicas represantan una familia Gil de materiales disefiados. (Cortesta de Coming Corporation.) como materiales magnéticos més eficientes, para transformadores y otras aplicaciones. El te ma de solidificacién se discutiré mis a fondo en el capitulo 8, El silicio amorfo, llamado a:Si-H, es otro ejemplo importante que tiene el arden bisice de ccorwn alcance del silicio cristalino (Fig. 3-10),[5] La H del s{mboto indica que este material tam- bién contiene algo de hidrgeno. En el silicio amorfo, los tetraedras de silicio no estén unidos entre sf en el arreglo periddlico que ticne- cl silicio cristalino, Algunos enlaces también estén in- ccompletos.¢ “abiertoc”. Fata falta de arreglo periédico disminuye la movilidad de los portadoresMoterisles amortos: principios:y aplicaciones tecnofégicas. = 78, 1A [0] Foqura 3-2 La figura superior muestra una totalta normal de das litros, yuna preforms con la que ‘3 produce Ia botalla. La figura inferior muestra un esquems del proceso de formado par soplada ¥ estirado para fabricar una botella normal de des lito dé PET \tereftalato de poletileno) @ par- tir de una preforms. El esfuerzo inducido en Is cristalizacién caus ls formacién de cristales pe- ‘quetios que contribuyen a reforzar ol resto dela matriz amorfa, (Fuente: procesa de fabricacién de botellas en paysmart.com /usedcentrat) —ss decir, In velovidad con la que se mucven lnsportadores de carga, que pueden ser clectranes, ‘bajo un campo eléctrico— en el silico amorfo, en comparaciin con el silicio cristalino, Sin em ‘argo, e!silicio amorfo se puede fabricar sobre sustratos de mayor drea que el silicio eristalino; ‘esto 5 fundamental en las aplicaciones electrOnicas. El silicio amwrfo se fabrica par depesieién ‘quimica de vapor que implica descompaner cl silano (SiH,) giseaso. Este proceso representa ‘un ejemplo de produccién de materiales amorfos sin fuskin, Durante este proceso, los étomos de silicio del silano precursor se depositan sobre un sustrato y no tienen oportunidad de formar sili- io cristalino, Las capes delgadas de silicio amorfo se usan en Ia fabricacin de transistores para pantalla de matriz activa en las computadoras. Tamibign se usa mucho el slicio amorfo en apli- ceaciones come celdas solares y tableros solares.76 © CAR.3. Arregios atémicosy ianicos Atomo de Enlace hidrégeno abierto: > Atome de silicio (a b) silicio amarfo. (a} Silicio smarto. (b) Silicio crisalino. Obsérvese la variscién en la distancia imeratémica en el slicio amorfo. ‘Los (0 las)? geles com los de sflice coloidal también son ejemplos dé materiales amor fos. Estos materiales como gelatina se usan en férmulas de cosméticos, para moldes de colado de precisién para metales ¥ aleaciones, en pinturas y productos farmacéuticos, ‘Resumiendo, los materiales amorfos se pueden obtcner restringiendo a los étomos © io nes para que no-ocupen sus posiciones peridicas “regulares”. Esto significa que los materia- les amorfos no tienen orden de lingo aleance. Eso nos permite obtener materiales con muchas propiedades distintas y excepcionales, Muchos materiales que se consideran como “amorfos"* pueden contener algéin grade de cristalinided. Como los dtomos estin dispuestos en posicio- nes que no son de equilibrio, Ia tendencia natural de un material amorfo es cristalizar, ya.que eso conduce a un material con mayor estabilidad termodindmica. Esto se puede hacer propor- = 2(0.066) + 2(0.132) = 0.396 nm = 3:96 < 10° om (4Mig')(24.312) + (407) (16) (496 x 10 em)? (6.02 * 10 431 g/em? Estructura de Ia blenda de zinc _Aungue los jones Zn tienen una carga +2 y Jos iomes 'S tienen carga —2, la blenda de zinc (ZnS) no puede tener la estructura del cloruro de sedio, porque 2 = 0.074 nm/0.184 nm = 0.402. Esta relacién de radios demanda un niimero de Fe coordinacién custo, y eso a su ver significa que los iones sulfuro entran en siti tetraéricos dde una celda unitaria, como se indica en el “cubito” de la celda unitaria (Fig. 3-33). La es- imuctura FCC, con cationes Za en los pumios de red normales y fos aniones $ en la mitad de Jos sitios tetraddicos, puede aduptarse a las resricciones de equilbrio de cargos y de nimero108 CAP.3 Arreglos atomicas y idnicos a) oy Figure 3-29 (a) La estructura de la blenda de-zine (bh vista de planta, 3 ae cit i ®) de coordinaciin. Hay varios materiales, incluyendo el semiconductor GaAs y muchos otros semiconductores III-V (capitulo 2), que tienen esta estructura. SALI S télette de ta densidad tedrica del GaAs La constante de red del arseniuro de galio (GaAs) es 5.65 A, Demuestre que ka densi- dad tnérica del GaAs es 5.33 g/cm’ SOLUCION En Ja celda usitaria de “blenda de 2inc™ GaAs, hay cuatro dtomos de Ga y cuatro de As. De acuerdo von la tabla pericstica (capitute 2); Cada mal (6.023 % 10° atomos) de Ga tiene una masa de 69:7 g Bn consecuencia, la masa de cuatro dtomos de galio serd (4 * 69.7/6.023 X 10") x Coda mol (6.023 % 10? sommes} da AG tiene uns masa'de 74.9'g. En consecuencia, la masa de cuatro dtomos de As serdi(4* 74.9/6.023 x 10) Estos dtomos ocupan un votumen de (5.65 % 108)$ cm*. masa 4(69.7 + 74.9)/6.023 * 10" volumen (5.65 « 10 em)? densidad = = 5.33 g/cm* Por consiguiente, la densidad tedrica del GaAs serd 5.33 g/cm’. Estructura de fa fluorita La estructura de la fluorita es FCC, con aniones en las ocho posiciones tetraédricas (Fig. 3-34). Ast, hay cuatro cationes y ocho aniones por celda, y ef compuesto cerdmico debe tener Ia férmula AX,. como en la fluorita de calcio, CaF... En la de- signacin AX,, A es el catién y X es-el ania, El nimero de coordinacidn de los iones calcio ce ocho, pero el de los ioncs fluoruro es custro; en consccuencia se asegura un equilibrio de ccangas. Uno de los polimorfos del ZO, Hamada circonia cabica, tiene esta estructura erista- Jima. Otros compuestos que la tienen son el UG. THO, y CeO.Estructurss cristalines de los materiales isnicos 105 Figura 3.34 (a) Celda uniteria de fuorita (bh vista de planta, Celda de Mluorita @ Estructura de la perowskita Es la estructura eristalina de un mineral Hamado peravski- ta (0 perovsquita), CaTiO, titanate de calcio. En general, estos compuestos se pueden deseri- bir como ABO, (Fig. 3-35). En el CaTIO,,, los aniones oxigeno ocupan los centras de cara de ‘a celda unitaria de perovskita; los vertices, o sitios A. estén scupados por los iones Ca"? y ¢l sitio octaddrico B en el centro del cubo est ocupado por los jones Ti"*. Con formulacio= ‘es basadas en un material llamado titanato de hario (BaTIO, ), se fabrican miles de millones de capacitores para aplicaciones en electrGaica, En una de sus formas, este material cerdmico tiene la estructura cristaina de Ta perovskita. Uno de los polimorfos del zirconato titanato de lomo (PZT. por sus sigias en inglés) también tiene esta estructura cristalina. Muchos nuevos superconductores cerimicos, como el éxide de cobre, bario ¢ itrio (¥Ba,Cu,O,._,) y otros, tienen estructuras que se derivan de la de perovskita. En la figura 3-36, se observa un ejem- pode un nuevo superconductor oerimico con base en Gxido de cobre, bario e itro, Estructura del corindén Es una de las estructuras de la aliiming; se lama akimina alfa (a-Al,O,). En la almina, los aniones oxigeno se empacan ef un arreglo hexagonal, y 10s ca- tones de aluminio ocupan algunas de las posiciones octaédricas disponibles (Fig. 3-37). Es ™ Cationes de sitio A 4. (porsjempla, CaP) Perovskita Perovskita, vista de planta Figura 2.35 Colds unitria de I perovskita mestrando los eationes en sitio Ay B y los iones de cxigena que ocupan Iss positionas da cantra de cara de la colds unitaris. Nota: Los jonas no se rmuastran 2 escele,106 CAP.3 Arreglas atémicas y iénicas @ lon oxigen (a) Figura 3-38 Estructura cristalina de un nuevo superconductor carémico de alte T., basado en un ‘éxido de cobre, bariae Itrio, Estos materiales son excepcianales por ser cerdémicos. cuya resisten: ia eléctrica desaparece « bajas temperaturas. (Fuente: ill fr/dif/3D-crystals /superconductarhtmi: ‘OM. Hewat, 1988.) Figura 3-57 Estructura del corinne aldmina ata (AO, posible que la alkmina sea el material cerdmico de uso mis frecvente, Sus aplicaciones com- prenden las siguientes. sin limitarse a ellas: bjias de encendide, refractarios, sustratos para empaques eleetrdnicns y abrasivos, 38 Estructuras covalentes EE = (0.71699)(4) = 2.868 A ate es el parémetro de red del hierro ctibieo centrado en el cuerpo. 0.71699 A Difraccin y microscopia electronicas Louis de Broglie habia supuesto que los elec- trones se comportan como ondas. En la diftaccién de electrones se usan electrones de alta eenergia (de ~ 100.000 a 400000 eV), Estos electrones se difractan en moestras de materiales transparenies a lox clectrones. El har de-clectrones que sale de la muestra se usa también pte +a formar una imagen de la. misma, Es asi que la microscopfa electrdnica de transmisiGn y la difraceidn de electrones se usan para obtener imigenes de caracteristicas microestructurales y ara determinar estructuras cristalinas,Técnicas de difraccién para el andlisis de fa estructura cristaling 115 Figura 2-46 Fotografia de un microscopi electrénico de transmision (TEM) para el anélisis de Ia microestructura de los ma~ teriales. (Cortasia de JEOL USA, Inc) Un electrén de 100000 eV tiene una longitud de onda aproximada jde 0.004 nm![15} Es- 14 Jongitud tan ultracorta de 10s electrones de alta energla permite que un microscopio elec- ‘rénico de transmisién (TEM, por sus siglas en inglés) produzca en forma simultinea ta imagen de la microestructura a una escala muy pequetia, Si la muestra es demasiade gruesa, los electrones no pueden atravesarla, y no se observard tuna imagen de la figura o un patria de diffaccién. En consecuenecia, en la microseopia electrénica de transmisién y en In diftac- ccidn de electrones, se debe preparat la muestra de forma tal que partes de ella sean transpe- rentes a los clectrones. En la figura 3-46 se observa un microscopio electrénico: de ‘ransmisi6n, y en la figura 3-47 se observa una imagen obtenida en él y un patrén difraccidn de electrones de una parte de la muestra. Las manchas grandes y brillantes corresponden a los ‘granos de la matriz. Las manchas mis pequeflas se originan en cristales de otra fase Figure 3-47 Micrografia electrénica de transmisién de una muestra de aleecidn de aluminio. La f- (ura de difraccién de la derecha muestra manchas luminosas grandes que represontan la difrac- i6n de los principales granos de la ratri de siurinio. Las manchas més paqueias 36 oF in cristales de nanoescala de otro compuesto que esta presente en e4a Bleécidn, (Comtesia de! Dr. Jong M.K.Wieeorek, Universidad de Pittsburgh)116 CAP3 Acroglos atm os y iénicos (tra ventoja del emplcode un TEM es la alia resolucisn espacial. Al-usarlo-es posible de- terminar diferencias entre regiones cristalinas y amorfas, y regiones eristalinas a escalas de longitud may pequefias (~I a 10 nm). Esta técnica anaitica y sus wariaciones como la mi croscopia electrénica de alta resolucién (HREM, por sus siglas en inglés), a mieroscopia clectrénica de transmaisidm y barrido (STEM, por sus siglas en inglés), ete.— también se vsan pura determinar In orientacién de los diversos granos y otras propicdades microestructurales (que se describirdn en capftulas posteriares. Las funciones avansadas y especializadas asociadas coo ef TEM tambign peemiten:¢l mapeo quimico de kis elementos en determinado material, Aguas desventajas.del TEM som: 8) la preparacion de muestras que sean casi transparcetes al haz de electrones ocupa tiempo 1b) se requiere mucho tempo y destreza para analizar Ios datos obtenides de una muestra delgada y widimensiooal, pero que se representa en una imagen bidimensional y el pa tin de difraccién: ¢) s6lo se examina un volumen muy pequetio de la muestra, y 4d) el equipo €s relativamente costoso y require mucho cuidade en sis, En general, la microscupia electrinica de transmisidn se ha vuelto un método de investi gaci6n muy usado y aceptado, para analizar propiedades microestructurales a escalas na- noneticas, > Los.stomos 0 los iones de fos materiales sdtidos pueden estar arreglados con un orden de corto o de largo alcances. » Los-materiales amorfos, como por ejemplo los vidrios de silicato, vidrios metélices, silico amorfo y muchos polimeros, slo tienen orden de corto alcance. Se forman sierapre que la Cinética del proceso de fabricaciGn del material na permite que los somos 0 las ones. act- pet las posiciones de equifiteio. Con frecuencia, estos materiales poseen propiedades muy novedosas y extraordinarias. Muchos materiales amorfos se pueden cristalizar en forma controlada. Esto es la base de la formacin de los vitracerienicns y del reforzamiento de los plisticos PET (politereftalata de etileno} que se usan en la fabricacién de botellas, > Los materiales cristalinos, incluyendo metiles y smichos ceimicos, tienes. sirmultnen- mene, onden de con y de largo aleances, En esos materiales, la periodicidad a largo pla- 20 se describe com la estructura erstalina > Los arreglos atémicos @ idnicos de los materiales cristalinos se deseriben con siete siste- mas cristalinos generales, que comprenden [4 redes especificas de Bravais. Entre los ejemplos, se encuentran las redes cabicx simple, edbies centrada en el cuerpo, exibiea cen trada en la cara y hexagonal > Una red es una coleccidn de puntos organizados de manera tnica, La base, o elemento re ccarrente, se refiere a uno © mis tomes asnciados con cada punto de red. La estructura cristalina se deriva sumando red y base. Aunque s6lo hay 14 redes de Bravais, hay cien tos de estructuras cristalinas. » Una estructura cristalina se caracteriza por Ins pardmmetros de red de la cela unitaria, que ces la subdivisiga mds pequetia de fa estructura cristalina que sigue describiendo la estrac~ tura general de la rec, Entre otras caractersticas, estin la eantidad de puntos de red y de ‘items por celda unitaria, el niimero de coordinacién (o cantidad de vecinas mis cerca- fos) dé los toenos. 8 la Golda wnitara y el factor de empaquetamiento de los torsos £0, In celda unitaria. Estructura cristalinn = red + taseGiosario 197 » Los materiales alotrépicos o poliinéeficas tienen més de una estructura cristalina posible Las propiedades de los materiales pueden depender sensiblemente de la clave de estructe- ra polimorfa oal6tropa de que se trate, Por ejemplo, el ftanato de baréo iene propiedades dieléctricas muy diferentes.en sus estructuras cGbica y tetragonal > Los étomos de los metales que tienen estructura edbica centrada en Ja care (FCC) y hhexa ‘goal de empaquetamiento compacto (HCP) estin estrechamente unidos; los dtomas es tin dispuestos en una forma que ocupa fa minima fraccidn del espacio, Las estructuras FOC y HCP alcanzan estos empaquetamienios mediante distintes seciencias de apila- imiento de planos atéimicos compactos. > Lafraccién de empaquetamiento mis compacta, con esferus de un solo tamatio, es 0.74, Y €8 independiente del radio de lis esferas (€8 decir. os dtomos y los balones de basquetbol se empaquetan con la misma eficiencia, siempre que tengan radio constante), > Se identifican puntos, direcriones y planos dentro-de Ia estructura crisalina de una manera formal, asigndndoles coordenadas ¢ indices de Miller: > Las propiedades mecfnicas, magnéticas, Gpticas y dieléctricas pueden ser diferentes al rmedirlas en distintas direcciones © planos dentro de un cristal; en este caso, se dice que el metal es anisotrspico, Si las propiedades son idénticas en todas direcciones, el cristal es isotrdpico, El efecto de la anisotropia cristalogréfica se puede enmascarar en un material policristalino por la erientacién aleatoria de los granos. » Los sitios 0 huecos intersticiales entre Ins dtomos normales en una estructura cristalina se pueden llenar con otros étomos o iones. Se puede explicar la estructura cristalina de mu- ‘chs materiales.cerimicos si se tiene ee cuenta Ia forma en que se ocupan esos sitios, Los tomas 6 los tones quc estén en los sitios intersticiales representan win papel importante en el eforramiento de los materiales, en la afectacidn de sus propiedades fisicas y en el con- trol de su procesamient. > Lasestructuras cristalinas de muchos materiales iGnicus se forman pore] empaquetamien- to de animes (por ejemplo, de iones de oxfgeno 0). Los cationes entran en las poliedros de coondinacién que forman. Jos aniones, Estos poliedros suelen compartir los vértices, produciendo estructuras cristalinas. Se deben equilibrar las condiciones de neutralidad de carga y de esiequiomerfa. Con estas consideraciones, se pueden explicar as estructuras cristalinas de muchos materiales cerimicos {por ejemplo AI, , 2r0,, YBa,Cu,0, _ ,) > Las estructuras cristainas de los materiales con enlace covalente tlenden a ser abieras, Enize los ejemplos estén el diamante edbico (conto Si, Ge). Aunque la mayoria de los pldsticas disefiados tienden a ser amorfos. es posible tener una cristalinidad apreciable en los polimeros. y tambign es posible hacer crecer monocristales de eiertos polimeros. > Ladifraccion de rayos X y la difraccisn de electrones se usan para determinar Ia estruc- tura de los materiales cristalinos. También se puede usar la microscopia electrdnica de transmisiGn para obtener imdgenes de propiedades microesiructurales en los materiales ‘con niveles de magnitud més pequeiios. Alotropia Caractersica de un elemento de ser capa de existir en ms de un estrctors cristina, dependicado de la presiin y la teriperatura. Tambien se lama polimorfisma, Anisotrépico Que tiene distimas propiedades en distin direceionex, Base Grupo-de dromos asocindos com un punto de red (es igual que element recurrentColda unitaria Subdivisién de la red que sigue reteniendo las earacteristicas generales de toda Ia red. Gondensado de Bose-Einstein (BEC; por sus siglas en inglés} Estado de la materia reciéa comprohado experimentalmente, en el que un grupo-de étomos ecupa el mismo estado cudntico funda- mental 18 CAP.3. Arreglos at6micos y ianicos n 1 Conjetura de Kepler Conjetura que hizo Johannes Kepler en 1611, la eal afirma que la fascia de empuquetantiento mixima con esferas de tamafio uniforms mo puede sex mayor que /'V'18, Tho- mas Hales demosir, en 1998, que es cierta. i Cristales liquidos Materiales poliméricos que normalmente son amorfos, pero que pueden transfor~ 1 ‘arse parcialmente en cristales cuando se aplica. un campo eléctrica extema, El efecto del campo eléc- triooes reversible. Esos materials se wsan en las pantallas de cristal Iiguido (LED). Gristalizactort Proveso responsable de la formaciéa de crstales; cominmente en un material amorfo. Cristalizacién inducida por esfuerzo Proceso de formacién de cristales mediante Ia aplicacise de un esfuerzo extemo. Normalmente, de esta manera se puede cristalizar una fracciGa apreciable de ‘muchos plisticos amorfos, haciéndolos mis resistentes, Cubica de diamante (DC, por sus siglas en inglés) Estructura especial cdbica centrada en a cara, que presentan el carbono, el silicio-y otras materiales con enlaces covalentes. Defecto Carscterfstica microestractural que representa una imerrupciin del arregho periddico perfec~ toe las ftomos 9 ones en un material crstaline. Este término no se usa para indicar la presencia de un efecto de calidad en el material Defectos s nivel atémico. Defectos tales come vacancias, dislocaciones. etc. que se presentan en tuna escala de Fongitad comparable a unas pocas distancias interaximicas, Densidad Masa de un material por unidad de volumen, normalmente en gi/m?. i Densidad lineal Cantidad de puntos de-red por unidad de longinus Jo largo de una direccién. Densiciad planar Cantidad de stomos, euyos centros estén en el plano, por unkdad de drea de ese (én quimics de vapor (CVD. par sus aiglas en inglés) Procesa de produccién de I petlcniasdelyedaso polos iorpiicos que implica Ia dexornposiion de precursors sepa dela reaccidn quimica en fase vapor Difraceion —Imerferencia 0 refuerzo constructive de un haz de rayos X 0 electrones que imeractia con lun material. El ayo difractado proporciona informaciga Gil acerca de la estructura del material. Difraccion de electrones Método para determinar el grado de cristalinidad a drdenes de magnitud relativamente pequefa. Se basa en la difraccién de electroncs, y normalmente s¢ usa un microscopic electronioe de transmision, Difraceidn de rayos X Técnica para analizar materiales eristalinos empleanda un hay de raya X. Direcciones compactss Direcciones en un cristal a la largo de las cuales los somos estén en contacto Distancia de repeticién Distancia de un panto dered al punto dered adyacenic, a Jo largo de una dlieceida. ; Distancia interplanar Distancta entre dos planos paraelos adyacentes que tienen fox mismo inc | ces de Milles. Estructura compacta Esructura que dene una fraccion de empaquetamiento de 0.74 (FOC y HCP Estructura eristaling Arteglo de los éhomos de un materia! en uns red regular y repeible, Factor de empaquetsmiento. Fracsiin de espacio que ocupan los étomos en una celia unitaria,Glosmrio 119 Familia de direcciones Disecciones cristalognificas, todas con las mismas caractersticas, aunque su semtido sca diferente. Se indican con este paréntesis(). Familia de planos Planos crstalogrisicos que tienen todos las mismas earacteristicas, aunque ss srientaciGn sea diferente $2 indican com laves {J Fraccion de empaquetemiento Friccida de una direccida (fraccién de empaquetamiento lineal) ‘ode un plano (fimocién de empaquetamienio planar) ocupada realmente por siomes« jones. Cuanda un siwomo esté en cada punto de red, la fraccidn de empaquctamiento lineal a lo largo una dircocia ex el producto de Ia densidad lineal por el dobile del radio auimico. Grano Cristal pequeso en un material poticristalino. Indices de Miller Notackin abreviada para describir ciertas direcciones y planos cristalograficos en tun maicrial. Se anoian enire corcsetes (|. paréniesis ( ),llaves{ } entre (): segtn sea el caso. Un mi- mere negativa se representa con una raya ariba del nero, indices cle Miller-Bravais Notacién abrevinda especial para describir los planos = Tes la temperatura, en gradas Kelvin. Debido a la gran energfa térmica que hay cerca de la temperatura de fusidn, pode haber ‘hasta uni Vacancia por 1000 stornos. Obsérvese que esta écuaci6n calcula la concentricidn. dle equilibria de vacancias. 2 determinada temperatura. También es posible conservar una alta eoneentracién de vacancias prostucidas en alts temperatura, templando el material con rapider. ‘Asi, en muchos casos, la coneentracign de vacancias que se observa a temperatura ambiente no es In concentrackén de equilibrio determinada con la ccuactén 4-1. 25 Efecto de to temperatura sobre fas concentraciones de vecancias ‘Calcule la concentracién de vacancias en Cobre a temperatura ambieate (25 °C). ,A Ia concentracidin de vacancias, ay obtenida sea L0D0 veces temperatura ainbiente? Supon- (Ba que se requicren 20000 cal pasa producir un mol de vacancias en el cobre, SOLUCION El parimetro de red del cobre FOC es 0.36151 nm. La base ex I y, en ennsecuencia, a cantidad de diomos de cobre, 0 puntos de red, por cm? es: 4 dtomos/celda (3.6151 < 10 cm)* Atemperatura ambiente, T= 25 + 273 = 298 K: «=nen() = 8.47 X 10 iitomos de cobre fem’, cal 2000024 = (sar 10 xp Sean 19r7—= x 208K mol — = [,815 % 10? vacancias cm? ‘Deseamos calcular una temperatura de tratamiento térmico que presuzca tna concen ‘mucion de vacanciay 1000 veces mayor que exte ndmero; es decir, », = 1,815 x 10!" vacancias /cm*Defoctos puntuales 133 a stm 20000 T= Tomyasmy = 38K = 102°C Si se calienta el cobre a un poco mis de 100 °C hasta que se alcance el equilibrio, para después enfiarlo con rapide a temperatura ambiente, la cantidad de vacancias atrapada en Ia estructura puede ser mil veces mayor que la cantidad de equilibrio de vacancias a temperatura ambiente, Asi, las concemtraciones de vacancias eneontradas en los materia- Jes stn determinadas con frecuencia tanto par factores termadindmicos como cinéticas, Lea densidad te6rica esperada del bierro se puede y de la masa atémica, Como el hierro es BCC, en de hiera, (2 dtomos/celda)(35.847 g/mol} (2866 2 10 em)? (6.02 * 10 somal) Par eeenhunet pine greet ccancias que habria en cada celda unitaria para densidad ued Se 137 ie? ____[X ttomos/elda)(53.847 g/mol) (2.866 10 cm)? (6102 10° siomos/mal) re demoa/cida — CSTI286 X 108) (602% 10) _ ‘55.847 Es decir, habria 2.00 — 1.997] = 0.0029 vacancias por celda unitaria. La cantidad de vacancias por cm? es: 0.0029 vacancias/celda, Vacanciasfom! = co "(2866 x 10cm)? ‘Si tuvidramos informacién adicional, como la energfa necesaria para producir una va- cancia en ¢l hierro, podriamos disefar un tratamiento térmico, como hicimos en el ejemplo 4-1, para prodcir esa concentraciGn de vacancies. os r~ = 781 glen? = 1.23 x 10”134 CAP.4 Imperfecciones en los arreglos atémicos y ionicos Defectos intersticiales Un defecto intersticial se forma cuando se inserta un toro 0 ion adicional en la estructura eristalina en una posicién normalmente desocupada, comoen la figura 4 1(b), Los sitios intersticiales se ilustraron en la tabla 3-6. Los dtomos o los iones in- tersticiales, aunque son mucho menores que los Stomos o los iomes que estén en las puntos de ‘red, son mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la regién cristali- na vecina esté comprimida y distorsionada. Los dtomos intersticiales como los de hidrgeno ‘estn presentes, con frecuencia, como impurezas, mientras que los stomos de carbono se agre- ‘gan en forma intersticial al hierro para producir acero, Para concentraciones pequefias, los éto- ‘mos de carbono ocupan sitios intersiciales en la estructura erisialina del hicero e introducen tun esfuerzo en la regicn del cristal en su cercanfa. Si hay dislocaciones en los cristales al tra- ‘tar de mover esas tipos de defectos, se encuentran con resistencia a su movimiento, con fo que s¢ vuelve dificil crear deformacién permanente en metales y aleaciones. Estaes una forma im- portante de aumentar la resistencia de los materiales metilicos, A diferencia de las vacancias, luna vez introducidos, la cantidad de tomes o iones imtersticiales en la estructura permanece ‘casi constante, aun cuando se camibic la temperatura, | ‘Cara (100) i mel Sitio}. }.0 siti], 0, Nk j J feo, i i A I i zi (ay (by j zi ‘Sitio-en el centro del cuba i) fy dd den ree ‘ Une de los sitios tipo 4.0.0 4 aH en FCC fa © | Figo +2 fa) Ubesein de sitio imersticial 2 4-t.an metals OCC, gue muestra et | elas os stomos normals el tomo eri (8) so 0,0 en etal FOC ial | [para el ejemplo 4-3}, (c} Contras de arstay centros de cubo an algunos de is sos _intrsiciler on a esirectura FC (jompn 43)Defectos puntuates 135 2. En el hiero BOC se espera que dos dtomos de hilérro estén en cada celda uni- ‘aria Se puede deterininar un tial de 24 sitios interstices del tipo 1/4, 1/2, 0; sin ‘embargo; come cada sitio esti en una cara de la celda unitara, slo la mitad de cada ‘sitio pertenece en forms exclusiva a una sola celds. Entonces: (2Asion) (3) = 12 sitios intersticiales por celda unitaria. ‘Si se Henaran todos los sitios intersticiales, el porcentaje atdmico de carbono conten do en el hierro seria: 12 Somos aKac Tatiomos de C+ 2 tiomon dere ' Wen: ‘Enel hierro FCC se espera que haya cuutro dtomos de hicrro en cada celda unitaria, y ‘in cantidad de sitios intersticiales octadiricas ex: (arises) (3) + Lcenira = 4 sitios intersticiales por celda unitaria (Fig. 4-2(C)) Una vex més, si todos los sitios intersticiales octaédricos se llenaran, el porcentaje aié- :mico de carbono en el hienro FOC seria: 4 omos de C de % de C 7 wore mre 50% Copyrighted me aterialImportecciones en ios arreglos atémicas y iénices Como explicaremos en un capitulo posterior, el parcentaje méximo-de carboao en las dos formas de hierro, bajo condiciones de equilibria, es: BOC: 1.0% FOC: 89% ‘A cansa de Ia deformscidin que sufre ia estructura cristalina del hierro, debido 2 los lonios intersticiales y en particalar en el hiemo BCC, la fracciGn de los sitios interse ticiales que se puede ocupar es bastante pequetia Defecto sustitucional Se introduce un defeete sustitucional cuande un some 0 foa es sustituido com un tipo distinto de étomo o ton, como en la figura 4-1(c) y (d). Los étomos o jones sustitucionales ecupan el sitio normal en Ia red, Pueden ser mayores que los dtomos 0 io- ‘hes normales en la estnictura cristalina, en cuyo caso se teducen lot espacios interatémicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causard.que los étomos vecinos tengan distancias teratémicas mayores. En ambos casos, los defeetos sustitucionales perturban al cristal que los rodea. De nuevo, los defectos sustitucionales se pueden intraducir en forma de una impureza ‘ode una adicién deliberada en la aleacién; wna vez intradtucidos, la cantidad de defectos es relativamente independiente de la temperatura Como ejemplos de defectos sustitucionales se encuentra la incorporaciin de dopantes, ‘como fésforn (P} 6 bort (B) én él Si. Eit forma parecida, si se agregira cobre al nique, los ‘itomos de cobre ocuparin los sitios cristalogrificos donde normalmente habria étomos de ni- ‘quel, Los dtomos de sustivucién suelen aumentar la resistencia del material mevilico. También aparceen defectos sustitucionales en materiales cerdmicos. Par ejemplo, si se agrega MgO al NiO, tos iones Mg"? ocupan los sitios det Ni‘? y los iones de O-? def MgO ocupan los sitios O° del NiO. El que los tomas 0 los ianes agregados vayan a sitios intersticiales 0 sustitu- ciomales depende del tama y de la valencia de los Somos 0 iones huésped, en comparacién com el tamafo y la valencia de los iones anfitrién, El tamao de los sitios disponibles también tiene inflencia en est ‘Veamox un poco mis detatladamente et ejemplo de los Stomos de Pode BL En el capitulo: 3, vimos que et sitici tiene una estructura cabicu de diamante, Las semiconductores que no-con- tienen conceniraciones apreciables de dopantes o impurezas se llaman semiconductores intrin~ ‘sec0s, Cuando se agregan pequeilas concentraciones de P o de B alcristal de silici, esos-tornos ‘ocupan sins cristalogeéficos en los que normalmente residen dtomos de silicio. Recuérdese que 1 Si tiene una valencia de 4. Normalmente, el Ptiene una valencia de 5. Cuando bos étomos de: P ocupan sitios de Si, se enlazan con otros cuatro diomos vecinos de Si. Sin embargo, Ios sto mos.de Pno pueden encontrar un toma mis de Si con el que puedan formar un enlace, Ele sultado es que cada Siomo de P agregado tiene un electrén “extra” que no'se puede aparear con ‘un tomo de Si para formar un quinio enlace Si-P. A bajas temperaturas (~<50 k) este electron. adicional permenece enlazade al tomo de P por athiceiGn electrostitica. Sin embargo, cuando. ‘qumenta la temperarura, este electrdn se desprende del ésomo de-P y queda disponible para la conduccitin. Se dice que F es un dopante donador del Si. Cada somo de P que se agrega trae: cconsigo un electrén que puede quedar disponible para la conduccién. Esta es la forma en que el Pen cl Si imparte una semiconductividad tipo ma Si, Un semiconductor tipo n comtiene ele menos gute ceden electrones (por ejemplo: P en Si). De forma parecida, el bore, con una valen- cia de 3 y que por consiguiente necesita un elecirén para formar cuatro enlaces com étomes de , proporciona tuna semiconductividad tipo p al Si, Un semiconductor tipe p contiene elemen: tos que aceptan electrones (por ejemplo, B en Si). Los semiconductores extrinsecos son los que: contienen dopantes o impurezas. Dado que se puede controlar cusnto se agrega de Fo de B, es posible controlar con precisién la cantidad de conductividad en el Si. Se fabrican disposiives Giles, como transistores, dopando en forma selectiva distinias regiones de un cristal de silicio, usando dopanies como P, atsénico (As) 0 B, Por supuesto, jestos dispositivos permitierom la re- Vvolucion de ta computacisn y de la tecnolngia de Is informscicn!Owes detectos puntuales 137 LEO nmi iaeil ede crisslosit (Gey -concentna- eae ‘ciade esos elementos, ; qué clase de semiconductividad se espera con esos materiales? ‘Suponga que esos elementos ocupan los sitios del Ge. SOLUCION El germanio se parece al silicio: es un semiconductor con estructura cristalina cabica de diamame, Cada itomo de Ge estd cnlazado con otros cuatro dtomos de Ge. Cuando se agrega Si al Ge, los stamos de silicio pueden formar cuatro enlaces con los dtomos ‘vecinos de Ge. El resultado es que no hay necesidad de dona ni aceptar electrons. El ‘material que se obtiene no muestra conduct vidod “tipo p” 9 “tipo nse comporta co- mo un semiconductor intrinseco, Recientemente, se ha demostrado que las aleaciones base de Si y Ge son tiles en chips de computador ultrarrépidas. (Cuando se agrega As, cabe esperar coniductividad tipo n, ya que cada dtomo de As ine consige cinco electranes de valencia, sin embargo, sélo se puede enlazar con cuatro tomas de Ge y, en comsecuencia, puiede quedar disponible un electrin para la. conduc cidn, Al contrario, cuando se agregan bajas concentraciones de B all Ge, cabe esperar conductividad tipo p ea el material resuitante, porque el B tiene valencia 3. 42 Odoedfectaspunides Una intersticialidad (0 defecto puntual autointersticial) se crea cuando un stomo idiéntico a Jos puntos normales de red esté en una pasicién intersticial, Es més probable encontrar estos defectos en estructuras cristalinas que tienen hajo factor de empaquetamicnto. Un defecto de Frenkel, o par de Frenkel, es un par vacaneia-intersticial que se forma ‘cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial, como se ve en Ia figura 4-We), y deja airés una vacancia, Aunque exto se describe para un material idnico, a las metales yen los materiales con enlaces covalentes puede presentarse un defecto de Frenkel. Un defector {de Schottky, figura 4-1(£), es exclusivo de los materiales idnicos, y suele encontrrse en muchos ‘materiales cerdmicas. En este defecto, las vacuncias se presentan en un material con enlaces ‘Gnicos; donde debe faltar un nimero estequiométrico de aniones y cationes en el cristal si se quie~ re conservaren él laneutraliad eléctica, Por ejemplo, un Mg**y un O~ fones fatantes en MgO ‘constituyen un par de Schottky, En el ZO, por un jon 2" faltante habe 2 kanes O°? fahantes, Un defecto pantual sustitucional importante se presenta cuando un ion de tina carga teem- plaza a otro de carga Este serfa el caso cuando un ion de valencia +2 reemplaza otro de valencia +1 (Fig. 4-3), En este caso, se introduce una carga pasitiva adicional en la Figura 43 30390 2@002 Ts 9 5°62 — 269 ee on ene anaes 62650 @20c60@138 CAP.4 impertecciones en los arreglos atémicos y ionicos estructura. Para mantener ¢l equilibrio de cargus, se posria crear una yacancia doade normal- ‘mente estarfa ubicado un catiGn +1. Nuevamente, esta imperfeccidn se observa en materiales con un enlazamiento iGnico pronunciado. Asi, en los sélidos iGnicos, cuando se introducen defectos puntuales, se deben observar las reglas siguientes: a) se debe mantener un equilibrio de cargas, para que ef material cristalino en su votali- dad sea eléciricamente neutro; 'b) se debe mantener un balance de masa y santidad de sitios cristalogriificos. Por ejemplo, en el dxido de nfquel, NiO, si falta un ion ox{geno se crea su vacancia co- respondiente (representada por Vo). Cada punts (.) sobrepuesto indica una carga eléctrica positiva efecriva de uno, Para mantener la estequiometria, el balance de material y el equili- brio de cargas, también se debe crear una vacancia de ion néguel (representada por Vqy- Cada sapéstrofo (") indica una carga negativa efectiva de uno. Usaremos fa notackin de Kriiger-Vink para escribir las ecuaciones quimicas de los de- fectos, En esta notacidn, la letra principal describe una vacancia o el nombre del elemento. El indice indica la carga efectiva del defecto, y el subindice describe el lugar del defecto. Un panto (.) indica una carga positiva efectiva de 1, y un apésteofo (") representa una carga eféc- tiva de — 1, A veces se usa.1 para indicar que no hay carga neta. Todos los electrones libres @ los huecos se-indican como ¢ yi, respectivamente. Los grupos de defectos o los defectos aso- ‘ciados se muestran entre paréntesis. Los defsctos asociades, que pueden afectar el transparte ‘de masa en los materiales, a veces son neutros y dificiles de detectar en forma experimental. Las concentraciones de defectos $e indican con corchetes | } Enel siguiente ejemplo se ilustra la notacién de Kréger-Vink para escribir las reacclones quimicas de los defectos. A veces es posible escribir distintas reacciones quimicas entre efectos, las cuales son validas para deseribir la posible quimica de esos defectos. En esas ‘casos, ex necesario tener en cuenta Ia cnenpia que se-requiere para crear los distintos defectos, 1y se hace necesaria una verificacién experimental, Esta notacién es dil en la descripcidn de Ia quimica de defectos en lox semiconductores y en muchos materiales ceriimicos que se usan ‘como sensores, dieléctricos y en otras aplicaciones, 3) TEES) Apticnctién de ta notacién de Kréger-Vink -Eseriba las reaccionesadectiadas de fos defects para | Vincorporacisn de Gio de mag- cnesio (MgO) en el dxide de niquel (NiO) y 2) la formacién de un defecto de Schottky en Ia altimina (AIO). SOLUCION {£1 MgO es el hudsped y el NiO es el material anfiridin. Suponidremos que to iones Mg" ocupan sitios de Ni°* y que los aniones det MgO ocupan sitios de O-? del NiO. MgO Ms Meh, + 05 Deberos sseguramos de que la ccuacién esti balanceada en carga, masa y sitios, En ‘el lade: iaquierds tenemos. un Mg. un oxigeno y no hay curga neta. Lo mismo sucede ‘en el lado derecho. EI balance de sitios es un poco dificil; un Mg“? ocupa un sitio Ni*?, Como estamos introduciende MgO en NiO, usamns un sitio de Ni** y, en con- secuencia, debemos usar un sitio. de O-+. Podemos observar que esto es cierto exami~ niunda c lado derecho de esta ecwaei6a, 1) se debe conservar IDislocaciones 139 2. Un defecto de Schottky en la alimina implica la falta de dos jones aluminio y tres jones exigeno que dejaron el cristal. Cuando falta un jon aluminio, queda una vacancia ‘enel sitio del aluminio y, como falta una carga positiva 3, el-sitio queda con una cinga ‘negativa efectiva de —3. Entonces, lo que describe una. vatancia dé un Al“? 65 Vix). De mde similar, Vo representa una vacancia de ion oxigeno. Para que haya balance de si- tios en la alimina, debemos ssegurar que por cack dos sitios de ion aluminio se usen tres sitios de ion oxigena. Come tenemos vacancies, Ia masa del Iado izquiendo es cero, por Jo que se escribe cero como lado izquierdo, Entonces, la reaccidn del defecto serd cero 8, 2Vq) + 3¥8 ‘Supondremos que el Ca*? ocupa sitios de Zr“. Si mandamos un Ca? a un sitio de Ze", ese sitio tendrd una canga negativa efectiva de —2, yu que en lugur dé-una carga de + tenemos na de +2. Hemos uxade un sitio de Zr", y para cl balance de sitios. necesitariamns usar das sitios fe arfgeno. Podemos mandar wn O"* del CaQ a mo de Jos sitios del O7 en el Zr0,. Se debe usar el otro sitio de oxigeno, y como tambien se debe maniener el balance de masa, habré que mantener vacio este sitio: es decir, se de be crear una vacancia de ion oxigeno, C10 5 Cay, + 05 + Y6 La concentracidn de vacancias de oxigeno en el ZrO), (es decir, ['Vp]) aumentant al aw- rmentut la concentracién de CaO. Estas vacancias de ion oxigeno hacen que cl ZiO, estabilizado sea conductor idnico. Esto explica el use de esta clase de ZrO, en los sem- sores de oxigeno que se usan en los automéviles y en las celdas de combustibles s6li- ddas de dnido, como se describio en el capitulo 3 Las dislocaciones son imperfécciones lineales en un eristal que de otra manera serta perfect, Se suelen introducir en el cristal durante a solidificacién del material o cuando el material se deforma permanentemenie. Aungue en todos fos materiales, incluyendo cerimicos y polimeros, hay dislocaciones, son especialmente titles para explicar la deformacién ¥ ef enddurecimiento de ios materiales meidlicos. Se pueden identificar tres clases de dislocaciones: de tornillo, de borde y mixta, Dislocaciones de tornillo La dislocacién de tornilio (Fig: 4-4) se puede ilustrar hacien- ‘do un carte parcial en un cristal perfecto y, a continuacidn, tarviendo ese cristal una distancia -atémica. Si se sigue un plano cristalogréfico durante una revolucicin respecto al eje de torci- mmiento del eristal, comenzando en el punto.x y recorriendo distancias imeratomicas iguales ‘en cada direccién, se termina una distancia aiémica abajo del punto de partida (el punto y). El vector necesario para terminar él circuito y regresar al punte de partida cs <1 vector de ‘Burgers b.(2] Si se continuara la rotaciGn, se describirfa una trayectoria espiral. El eje o linea140 CAP. 4 Impertecciones en fos arregios atomices y idnicos a) b) Ke) Figura 4 "Beal perfec ea» corey ee ranare woe dance anime SF (cl La re a largo de Ia cual se hace ol corte es una disiacacion de torillo, Se requiere un vector de Burgers ‘b para cerrar un ciclo de distancias atémicas iguales. en torno a la dislacacién de toenilo, respecto al cual se taza la trayectoria 6s la dislocaciGn de tomnllo, El vector de Burgers €3 pa- ralelo a Ia dislocacién de tornillo, Dislocaciones de borde o arista UnadislocaciGn de borde (Fig, 4-5) se puede ilusirar ha- ciendo un corte parcial en un cristal perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el corte con lun plano adicional de étomos, La orilla inferior de este plano insertada representa la dislo- ‘eacién de borde, Si se describe un circuito en torno-a la dislacacién de borde, en sentido de las manecillas del reloj comenzando en el punto x y recorriendo una cantidad igual de distancias ‘atdmicas en cada direcein, se terminard-en el punto y, a una distancia atémica del punto de par- tida. El vector necesario para cerrar el circuito es, de nuevo, el vector de Burgers. En este cxso, ‘el vector de Burgers ¢s perpendicular a la dislecacién, Al introducir la distocacida, las étomas ‘que esiin arriba de Ia Ifnea de dislocacién estn may comprimidos entre sf, mientras que los be “abajo estin muy distendidos, La regiGn vecina del cristal se ha perturbade- pot la presencia de la dislocaeién. [Esto se ilustraré después, en la figura 4-8(b)_] A diferencia de una dislocacién de ‘horde o arista, una de torillo no se puede visualizar como un semiplano adicional de étomos.(3] @ Figura 4-5 El eristal perfecto en (a) se cortav se intercsla un plana adicional de étomos (b). EL bborde inferior del piano edicional es una dislocacién de borde (c}. Se requiere un vector de Burgers 'b para corrar un circuto de distancias atémicas iguales en tomno a la dislocacin de borde. (Adaptado 0.0. Verhoeven, Fundamentals of Physical Metallurgy, Wifey, 1975.) Dislocaciones mixtas Como se observa en la figura 4-6, las dislocaciomes mixtas tienen ‘componenies de borde y de tomillo, con una regiGn de transiciGn entre ellas. Sin embargo, el ‘vector de Burgers queda igual para todas las porciones de la dislocacién mixta.Dislocaciones 141 Figura 46 Dislocecién mixta. La disloce- side de torillo an ia cara ‘frontal del cristal cambia en forma gradual a dislacacion 49 borde en al lado del cristal \Adaptado de W. T. Read, Dislocations in Crystals MoGraw-Hil, 1953.) En la figura 4-7 se ve un esquema de la linea de destizamiento, el plano de destizamien- toy el vector de deslizamiento (vector de Burgers). El vector de Burgers y el plano ayudan a ‘explicar como se deforman los materiales. ‘Cuando se aplica una fuerza cortante en Ia direcciém del vector de Burgers a un cristal que ‘comenga una dislocacicn, ésia se puede mover, rompiendo los enlaces de los stommas en un pla- ‘no. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de dtomos ‘originales, El desplazamiento hace que la dislocacidn se mueva una distancia atémica hacia el Tado, como-se observa en Ia figura 4-8(a), Si contin este proceso, la dislocacion s¢ miueve a través del cristal hasta que se produce un escalén en el exterior de! mismo; el cristal se ha deformado plisticamente. Otra analogia es e! movimiento de avance de una oniga (Fig. +-8()). Levanta algunas de sus potas en determinada momento, y usa el movirniento para ir de un lado ‘otro, sin levantar todas las patas al mismo tiempo. Una gran diferencia entre el movimiento de ‘unt orga y el de tina dislacacién jes la velocidad con que se mueven! La velocidad con la que ‘se propagan las dislocaciones en los materiales jes cercana © mayor que la velocidad del soni- doll] Otra forma de-vistalizar esto ¢s imaginar cémo se moveria una onda en una alfombra si lino de @ (b) deslizamiento Figura ¢-7 Esquema de lines de deslizemienta, plano de dealzamiento y vector de deslizsmiento (de Burgers) para {a} une dislacacton de borde y {b) uns dislocacién de torilla. (Adaptado de LD. Verhoeven, Fundamentals of Physical Metallurgy, Wiley, 1978.)142 CAP.4 Impertecciones en los arreglos atémicus y iénicos ‘ratiramos de eliminarla aplandndola en lugar de levantar la alfombra. Si se pudieran introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal, moviéndose: a través del cristal por 1a ‘misma trayestoria, el cristal terminaria por quedar cortado a la mitad. Deslizamiento El provese por el que se mueve una dislocacién y hace que se deforme un ‘material metilico se llama deslizamiento. La direocién en Ia que se mucve Ia dislocacién es ladireceién de destizamiento, y ¢6 la del vector de Burgers para las dislocaciones de barde, como se observa en la figura 4-8(b). Durante el deslizamienio, la dislocaciéin de borde reco- re el plano formado por el vector de Burgers y lla misma, A.este plano se le Hama plano de destizamiento. La combinacién de la direccién de deslizamicnto y el plano de deslizamiento: es el sistema de deslizamienta, Una dislocacicin de tomillo produce ef mismo resultado: la dislocacién se macve en tna diréecién perpendicular al vector de: Burgers, aunque el cristal se deforma en direecién paralela a ese vector. Como el vector de Burgers de una dislocacién 4e tornillo es paralelo a la linea de dislocacién, Is especifiescién del vector de Burgers y de la linea de dislocacién, no define wn plano de deslizamiento para una dislocacién de tornllo, Como se dijo en el capitulo 3, hay nikevos paquetes de programas que se han desarrollado, cu ‘yo-use puede ser muy eficaz para visualizar algunos de estos conceptas. Durante el deslizamiento, una dislocacidn se mucve desde wn Conjunto de estornos has- 1a otro conjunto idéntico de entomnos, Se requiere el esfuerza de Peierls-Nabarre (ecuacién 4-2) pant mover la dislocacién desde tn Ingar de eqiilibeio hasta el siguiente: r= cexp(—kd/b), (4-2) AIO @ Figura 48 (a) Cuando se aplica un esfuerza cortanta a a dislocacién en (a), 10s 6tomos se desple- zan y hacen que la dislocacién se mueva un vector de Burgers en le direccién de desliramiento ().E! movimiento continua de la dislocacién crea al final un escakin (c y el cristal queda dafor- ‘hado, (Adaptado de A.G, Guy, Essentials of Materials Science, McGraw-Hill, 1976) (a) El mavi- rmienta de une oruga es parecido al de una dislocacién.Distocaciones 143 TABLA 0-1 Bl Planos y diracciones de desfizamianto on estrycturas melilicns fseructure cratalinn ‘Plano de deslizamiecto Direccin de destizanienta Metales BOC 4110) ai {1 12a Metates FOC ny a0 Metales HCP 40001) (100) 41120) Ver 10) {1010} le nota 041130) {1071} MgO, NaC! (ignicos) 4110) 10) Silicio {covalent} any 10) Nota: Estos plancs son activos.en algunos matales y alesciones o 2 tamperaturas olevacis. donde + es.el esfuerco conante necesario para mover la dislocacida, d es la distancia iaterpla- nar entre los planos de deslizamiento adyacentes, b es la magnitud del vector de Burgers y € y k-son constantes del material. La dislocaciin se mueve en un sistema de deslizamiento que requiera la menor disipacién de energia. Deben existir varios factores importantes para deter- minar Jos sistemas mis probables de deslizamiento: 1, El esfuerzo necesario para hacer que Ja dislocacién se mueva aumenta en forma expo- nencial ean la longitud del vector de Burgers. Asi, la direceidn de destizamiemto debe tener una distancia pequefia de repeticién o una alts densidad lineal. Las direcciones de emmpaquetamiento compacta en los metales y las aleaciones satisfacen este criterio y son las dinecciones normales de deslizamiento. 2. Elesfuerza necesario para hacer que la dislocacién se mueva disminuye en forma expo- nencial al sumemar la distancia interplanar de los planos de deslizamiento. E] destiza mienio es iis fei entre. plans de dtomos que soi lisas (que tienen “cumbres Valles’ mas staves en sat superficie) y entre planos que estin alejadas entre si o que tienen una distancia interplanar relativamente grande, Los planos con una gran densidad planar lena ‘te requisito. En consecuencia, los planos de deslizamiento suclen set los de empaque- tamiento compacto o las que engan un empaquetamiento lo miés campacto posible, Los sistemas comvunes de deslizarienio en varios maieriales se resurien en ta tabla 4-1. 3, Las dislocaciones no s¢ mueven con facilidad en materiales como el silicia 0 los po- limeros, que tienen enlaces covalentes. Debide a la fuerza y ta direccionalidad de los enlaces, esos materiales suelen fallar por, fractura frigid antes de que la fuerza sea su- ficiemtemente grande como para causar un deslizamiento apreciable. Se debe tener en ‘cuenta que en muchos polimeros disefados, las disincscinnes representan un papel rela- ‘tivamente pequetto en la deformacién, Como se describié en el capitulo 3, la mayorta de los pollmeros cantienen fracciones apreciables de voluinen que son ariirfas, Ea muchos polimeros. es posible una deformacién apreciable sin fractura porque, cuando se apiica un esfuerze, las cadenas de polfmero se enredan, 44, Los materiales con enlazamiento iOnico, inctuyeade muchos cerémicos como el MgO, también som resistentes al deslizamiesto, El movimiento de-uns distocacisn interrumpe celbbalance de-cargas en tomo a los aniones y los cationes, y se requiere romper los enla- ces entre aniones y cationes. Durante el destizamiento, fos iones con carga igual también eben pasar cerca unas de otros, causando repolsiGn. Por iltimo, la distancia de repeti- cidn a To largo de la direccin de destizamiento, 0 l vestor de Burgers, ¢s mayor gue en Jos metales y aleaciones. De nueva, sucle presentarse Ia fractura frigil del material ce- rimico, a causa de la presencia de imperfecciones como pequetios agujeros (pores) an- tes de que el valor del esfuerna aplicado sea suficiente para hacer que las distocaciones se muevan. Se puede obtener duciilidad en fos materiales cerdnicos mediante:144 CAP.4 imperfecciones on los arrogias stomices y iénicos 8) transformaciones de fase (Iamadas plasticidad por transformacién; un ejempla se- ri la zirconia totalmente estabilizaday, b) maclado mecdinico: ©) movimiemta de dislocacién y ) destizamiento en limites de grano.[5} En la figura 4-9 iniclamos un citeuito en sentido de las manecillas del reloj en torno, ales movidadone -atémicas iguales para terminar ‘en el punto y. El vector es Nest de Ree, Cro ere ro {ite debe ser repel ann (10 Lg ‘es la distancia plans (110) sdyacemes, Segiin la’ aris? vietee 1 vector de Burgers tiene una direcci6n (110) y una longitud 0.280 nm. Sin embargo, ‘obsérvese que Ia dislocacién estéformada por dos semiplanos adicionales: uno farma- Copyrighted materialDistocaciones 145 do por iones axfgeno y uno por iones magnesio (Fig. 49). Obsérvese que esia férmula ‘para culcular la magnitud del vector de Burgers no es vlida para sistemas no cibicos, ‘Lo:mejor es considerar quc Ia magnitud del vector de Burgers es igual a la distancia ‘de repsticin en la direcci6a de! deslizamiento, [10} {a} Vector de Burgers pare el cabre FCC, (b) Lugares de étomios en un ple {V0 de une cle ure BC paral orga 68 #8 eepaversont Copyrighted material446 CAP.4 Imperiecciones on los a jos atomicas y iénicos |. La densidad planar ex esata! plane ws ee ST (0) een ~ (72)(2,866 x 10 em)? = 1.72 % 10° dtamos fem? Densidad planar (112) = 0.994 10" dtomos/em? (de acuerdo can el planteamiento del prodlema), 2 Las distancias interplanares son: 2.866 x 10" ayy pas = 2.0266 X 10 cm VP +P +O 17x 10% em La densidad planar y 1a distancia interplanar del plano (110) son mayores que las del plano (112); en consecuencia, el plano-(110) seria el plano preferide de deslizamiento. 44 Observe dedsocasones La existencia de las dislocaciones fue postulads unos 25 afios antes que los primeros informes de su observaciée.(7.8] Los lugares donde las dislocaciones intersecan la superficie de wn cristal son sitios de energfa relativamente ata, Cuando se ataca un metal, con un tratamiento de reaccidn qui- ‘mica que iniptica exponer al metal a un écido 0 una base, las dreas donde las dislocaciones lle- gan a la superficie del cristal reaccionan con més rapidez que las partes que las rodean. Estas regiones que reaceinoan se ven en la micmnestructura como figuras de corrosin. La figura 4-11 ‘muestra un esquema de los planos de deslizamiento, las dislocaciones y las figuras de corositin. La figura 4-12 muestra una distribucidn de figuras de corrosidn en la superficie de un cristal de ccarbum de silicio (SiC). También se usa el microscopin elecirénico de transmisin (TEM, por sus sighas en inglés), deserito en el eapitulo 3, para observar las dislocaciones, En una imagen nor- ‘mal de TEM con aumentas muy grandes, las dislocaciones aparecen como lineas ascuras, como se muestra en las figuras 4-13(a). Cuando hay miles de dislocaciones que se mueven sobre la su~ perficie de un cristal, producen las lineas visibles Hamadas tineas de destizamiento (Fig. 4-1:b)]- ‘Aun grupo de lineas de deslizamienio se le llama banda de destiramiento (Fig. 4-13(¢)]. Plano de destizamiento O) ©) ‘Figura 4-11 Esquema para ilustrar dislocaciones, planos de deslizamienta y lugares de figuras de corrosion. (Fuente: Adaptado de Physical Metallurgy Principles, 3a. ed., por RE. Reed-Hill y R. Abbaschian, p. 92. figuras 4.7 y 4.8, Copyright © 1987 Brooks Cole Thomson Learning. Adaptado con autorizacién.)Observacién de dislocaciones. 147 Figure 4-12 imagen éptica figures de corrosidn en carburo de silicia (SIC), Las figuras de corrosion corresponcien a puntos de intersacci islocaciones puras-de borde con vector de Burgers (1720) y la linea de eislocasion alo large de [9001] (perbencleular ola superficie stacada), Las lineas de figuras de corrosién representan lites de grano con éngulo pequefo. (Corresia del Dy. Marok Stowronsti, Carnegia Mellon University.) sai eo @) oy Material original a ree después de la deformacién plastica © Figura 4-13. Fotomierografias elactrénicas de dislocaciones en Ti, Al (a) apilamiantos de disloca- ‘iar (96500 x) (b} Micrografia & 100 x que mucstra las lineas de desiizamient y Ios limites da treno en el Al. (cl Esqueme dal desorrolia de bendes de deslizamiento.148 45 CAP.4 Imperfecciones en los arreglos atimicos y iénicos importancia de fas discacionés ~~ —-**, [En primer lugar, las dislocaciones tienen més importancia en los metales y las aleaciones por- que proporcionan un Mecanismo para la defarmaciGn plistica, mecaniamo que s el efecto sacumulado-de numerosas distacaciones. La deformacién plistiea es una deformacién cam. bbio de forma isreversible que se presenta cuando se retirs la fuerza o-el esfuerzo que Ia caus6, sia se debe a que el esfuverzo aplicado causa el movimiento de dislocaciones, el cual, a su vez, causa la deformacicn permanente, El término “deformacitin plastica” significa que est ‘cansada porel movimiento de dislocaciones. Sin embargo, hay otros mecanismos que causan sdeformacién permanente; los describiremos en capftulos posteriores. Se debe distingtir la de- formacién plistica de Ia deformacién ekistica, que es un cambio temporal de forma que su- ‘cede mientras una fuerza © un esfuerzo se aptica a un material. En ia deformacisn eldstica, el ‘cambio de forma lo causa la elongacitin de-los enlaces interatémicos; sin embargo, no hay mo- vimiento de-dislocaciones. El deslizamiento se puede presentar en algunos eerimicos y algu- 108 polimeros. Sin embargo, hay otros factores (par ejemplo, porosidad de los cerdmicos 0 ‘enrede de cadenas en los polimeras, etc.) que dominan en el comportamiento mecéaice de polimeros y cerimicos. Los materiales amorfos, como los vidrios de silicato, no tienen un arregla perkidica de jones ¥, por consiguiente, no contienen dislocsciones. En consecuencia, in) aaa, ee Toy oma ees i * Simon DT puessnaine! Pinder snide Sanne Resumen de Ductit Resistente Rolativamente fragil ona + Para desliramiento en planos bassles. "Aleando o calentando a tempersturas elevadas hay sistomas adicionales de desiizamiento ten Jos metales HCP que permiten el deslizamiento cruzedo y can ello mejoran ta ductilided. Esiuerzo cortante critico resuelto Sil esfuerzo cortane critco resveliaen un meta es ‘muy alto, el esfuerze aplicado también debe ser alto para que 7, sea igual ar... Un mayor +, implica que es necesario mayor esfverzo para deformar un metal lo que a su vez indica que je metal tiene alta resistencia! En los metales PCC, que tienen planos (111) de empaquetamentoCAPA Imperfeccianes en las arreglos atomicosy ionicos ‘compacto, el ¢sfuerzo cortante critico resuelto es bajo, de unas 30a 100 psi en un cristal perfee- to; los metales FOC tienden a las bajas resistencias. Por otra parte las estnicturas BCC no con tienen planos de empaquetamiento compacto, y se debe rebssar un esfuerzo cortante critico resuelto mayor, de! orden de 10000 psi en las cristales perfectas. para que suceda el desliza- miento, En-consecvencia, las metales BCC ticnden a las alias resistencias y bajas ductbidades.. ‘Cubefa esperar que los metales HCP, ya.que contienen planos basales de empaquetamien- to compacto, tuvieran bajos esfuerzos cortantes criticos resueltos. De hecho, en metales HCP como el zinc, que tienen una relacidn ¢/a mayor o igual que ta relacién teérica de 1.633, el esfuerze cortante critico resuelto es menor que 100 psi, como-en los metales FOC, Sin embar- 0. en el titinio HCP la relacién c/a es menor que 1.633; los planos de empaquetamiento compacto estin muy juntos entre sf, Entonces se presenta deslizamiento en planes como el (1010), tos planas o earas “prismaticos” del hexigono, y entonces el esfuerzo cortante criti- Co resuelto es igual o mayor que en los metales BCC. Cantidad de sistemas de deslizarsiento Si al menos un sistema de destizamiento se orienta con ios ingulos Ay cercanos a 45°, entonces r, es igual a7, con bajos esfuerzos api cados. Los metales HCP ideales s6le poseen tan conjunte de planos paralelos con empaqueta- 'miento compacto, Jos pianos (0001), y tres direcciones de empaquetamiento compacto, ko que resulta en un total de tres sistemas de deslizamiemta, En consecuencia, es muy baja la probabi- lidad de que los planes y las direcciones de empaquetamiento compacio se orienien can A y dt cercanas 245°, Los cristales HCP pueden fallar de una manera fg sin una cantidad significante de deslizamiento, Sin embargo, en los metales HP con baja relaeidn c/a, 0 cuando los metales HCP forman aleaciones adecuadas, o cuando se aumenta Ia temperatura, se activan otros siste~ mas de destizamiento y estos metales se vuelven menos frigiles de lo que cabeia esperar. Por otra parte, los metales FCC contienen cuatro planas no paralelos de empaquetamien- to compacto, de la forma {111}. y tres direcciones de empaquetamiento compecto de la for- ma (110) dentro de cada plano es decir, wn total de 12 sistemas de deslizamiento, Al menos un sistema de deslizamiento est orientado en forma adecuada para que haya deslizamiento ‘con pequefios exfuerzos apticados, y fos metales PCC tienen ductilidades elevadas ‘Por ditime, 1os metales BCC tienen hasta 48 sistemas de deslizamiento que tienen casi un empaquetamiento compacto. Siempee hay varios sistemas de deslizamiento coa la orientaciéa adecuada para que haya deslizamiento: esto permite que los metales BCC también tengan gran ductilidad, Bestizamiento cruzado Imaginemos una dislocaciéa de tomnillo.que se mueve sobre un plano de destizamiento y encuentra un obsticulo que bloquea totalmente su movimiento, Esta dislocacién puede trasladarse a un segundo sistema de deslizamiento que lo interseca, si también tiene Ia oriencacidn adecuads y continda movigodose, A esto se le llama deslizamiento cruzado, En muchos metales HCP, no puede haber deslizamiento cruzado, porque los planos.de destiza- miento soa paralelos: es decir. no se cruzan. En consecuencia, los metales HCP policrstalinos tienden a ser frigiles. Por fortuna, se activan otros sistemas de deslizamiento cuando se alean 0 se calientan los metales HCP, con lo que mejara su ductiidad, Es posible el deslizamiento criza- do en los meiales FCC y en los BCC, porque hay varios sistemas de deslizamiento que se cruzan. En consecuencia, el deslizamiento cruzado ayuda a mantener la ductilidad en esos metales. LS) Ductilidad de monocristales de motales HCP y de materiales policrisinlinos Un monncristal de magnesio (Mg), qué tiene estructura crisalina HCP, se puede esti- raren forma de cinta hasta de cuatro a sets veces su longited original. Sin embargo, el Me ¥ otros metales con estructura HCP en estada policristafine muestran ductitidades limitadas. Use: los valores de esfuerzo cortante critico restcito para los metales con dlistintas estructuras cristalinas, asi como la naturaleza de la deformacién de materia- les policristalinos, para explicar esta observacién,Dejectos superticiales 153 SOLUCION En la tabla 4-2 se observa que, para los metales HCP-como.el Mg. el esfuerzo cartan- te critica resuelto es bajo (de 50 a 100 psi). También se observa que el destizamiento sucede con facilidad en los metales HCP en cl plana basal, el plano primario de des- lizamiento. Cuando se deforma un menocrisial, suponiendo que el plano basal tenga J orientaci6n adecuada respecto al esfuerso aplicado, puede producirse uma deforma- cidn muy grande, Esto explica por qué el monocristal de Mg puede estirarse y formar tuna cinta de cuatro a seis veces fa longitid original: Cuando esté presente Mg policris taling, la deformacién noes tan sencilla, Cada cristal dehe deformarse de tal modo que Ja deformacién unitaria que se desarrolle en cualquier cristal quepa entre sus cristales ‘vecinos. En los metales HCP no hay planos cruzados de deslizamiento, ¥ entonces las dislocaciones no pueden propagarse de un plano de desiizamiente en wn cristal (gra- ‘no) a ofto plano de deslizamiento en un cristal vecino. El resultado es que lows mietales policristalinos como el Mg muestran ductilidad limitada. 4G Deets superna 9 Los defectos superficiales son los Ifmites o fos planos que sepuran un material en regiones; ccads regiGn tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacién, Superficie del material Las dimensiones exteriores del material tepresentan superficies cen donde termina el cristal en forma stibita, Cada éiomo en Ia superficie ya no tiene el ntime- roraddecuado de coordinacid y se interrumpe el enlazamiento atimico. Con bastante frecuen- cia, esto es un factor muy importante en la fabricaciGn de dispositives microelectrénicos a ‘base de Si. La superficie exterior wmbién puede ser muy dspera, contener muescas diminutas yy Ser mucho mis reactive que el interior det material, En los materiales con nanoestructura, la relacién de la cantidad de éiomos 0 jones en la ‘superficie con los del interior es muy alta. En consecuencia, esos materiales tienen una super- ficie grande por unidad de masa. En la refinaciién del petrleo y en muchas otras éreas de Ia ‘tecnologia se usan catalizadores con drea superficial muy alta para impulsar la cindtica de las reacciones quimicas. De manera parecida alos matcriales de nanoescala, fos materiales poro- ‘os, los geles y los potvos ultrafinos son ejemplos de materiales cuya superficie es muy gran- de, El lector verd més adelante que la reduccién de la superficie es la fuerza termodindmica motriz para sinierizar los polvos de cerdimica y de metales. ‘Limites de grano La microestructura de muchos materiales eerimicos y metilicos con- siste en muchos granos. Un gramo es tuna porcién del material dentro de la cual el arreglo de los diomos es casi idéntico. Sin embargo, la orientacién del arreglo de stomos, o estructura ccristalina, es distinta en cada grano vecino. En la figura 4-16(a) se muestra el esquemma de tres ‘granos; ef arreglo de los dtomos en cada grano es id€atico, pero Jos granos tienen distinta ‘oricntacién. Un limite de gran, la superficke que separa los granos individuales, ex una 20- ‘na angosta donde los dtomos no tienen las distancias correctas. Es decir, los étomos estin tan préximos entre s{ en algunas lugares del mite det grano, que producen una zona de compee~ sida; y en otras reas estén tan alejados, que producen una zona de tensido. La figura 4-16(b) es una micrografia de una muestra de acero inoxidable. ‘Un método para controlar las propiedades de un material es controlar el tarmafo del grano. Al reducir el tamatio del grano, se aumenta la cantidad de granos y, en consecvencia, se aumen- ta la cantidad de superficie de limites de grano. Toda dislocacién recorre solamente tina distancia ‘corta para encontrar un limite de grano y detenerse; ai. la resistencia del material metilico:au- ‘menta. La ecuacién de Hall-Petch relaciona el tama del grano con la resistencia de cedencia,CAP. 4 Imperfecciones en los arreglos atémicos y ianicos Finura #16 (a) Los tomas cereanos a los limites ds los tres granos no tienen una distancia 0 tun arreglo en equilibrio.(b) Granes y limites de grano en una muestra de acero inoxidable. (Cor- teria de! Dr. A. Deardo,) o, =o, + Ka, 5) donde 07, es la resistencia de cedencia, punto de fluencia, punto de cedencia limite eldstico, que es el valor necesarto del csfucrzo para causar cicrta cantidad de deformacién permanente; d esl didimetro promedio de los granos y @, y K son constantes para el metal. Recuérdese que en el capitulo I se dijo que la resistencia de cedencia de un material metilico es el valor mi- rnimo del esfuerzo necesario pura iniciar la deformaciGn plistica o permanente. La figurs 4-17 ‘muestra esta relaciGa ea: el acero. La ecuaciGn de Hall-Petch no és vélida en materiales con ‘granos excepcionalmente grandes, o.con granos ultrafinas. En los siguientes capitulos deseri- biremos la forma en que se puede controlar el tamako de grano de metales y aleaciones por solidificacién, abeacién y tratamiento térmico. ‘ ent Figura 417 . cers Efecto del tamafo de grano sobre la | so000 resistencia de cedencia de un acero @ & temperatura ambiente | sso00 sooo = 45000 i 40000 a sm Se 7 8 8 o¥ mot EULESS) Diseto de un 2cero suave. ‘La resistencia de cedencia de un cero suave (o dulce) con tainaiio promedion de grano ‘de 0,05 mm es 20000 psi. El esfuerzo de codencia de! misto acer con um tamaho de rao de 0.007 mm es 40000 psi, {Cua sent el tamatio promedio de grano del miso ‘cero, para que tenga un esfuerzo de cedencia de 30000 psi? Seponga que Ia ecuacion ‘de Hall-Petch es valida y que los cambios que s€ observan en el esfuerze de cedencia se deben a cambios de tamafto del gran,Detectos superticiales 185 SOLUCION o, = 0, + Ka, ‘Asf, para un tamaito de grano de 0,05 mm, la resistencia de cedencia es 20 * 6.895 MPa = 137.9 MPa (Nota: 1000 psi = 6.895 MPa.) Mediante Ia ecuaridn de Hall-Petch: K 1379 = ay + Se W005 Para el tumatio de grano de 0.007 mum, la resistencia de cedencia es 40 x 6.895 MPa = 275.8 MPa. En consecuencia, al aplicar de nuevo la ecuacién de Hall-Petch: 2758 = oo + = 007 Al resolver estas dos ecuaciones K = 18,43 MPa-mm~!2, yy, = 55.5 MPa, Ahora, Ia ecuaciém de Hall-Petch es @, = 58S + 1843. x dH ‘Si deseamos una resistencia de cedencia de 30000 psi 0.30 X 6,895 = 206.9 MPa, el tama de grano seri 0.0148 mm La microscopia dptica es una técnica que se usa para revelar las propiedades microes- ‘ructurales, como limites de grano, donde se requiere un aumento aproximado menor que 2000. El proceso de preparar una muestra de metal y observar su microestructura se Hama metalografia, Se corta lija_y pule una muestra hasta que tenga un acabado de espejo. ‘continuacisn, la superficie se expane al arague quimico, y los limites de grano se stacan en forma ms intensa que el resto del grano, La luz de-un microscopio ptico se refleja 0 se dispersa en In superficie de la muestra, dependiendo de Ia forma en que esté atacada la super- ficie. (Cuando es mucha la luz que se dispersa en entidades donde e! ataque es més profundo, Figura 418 Microestructure del paledio (100%. (De ASM Handbaok, val. 8, Metallography and Microstructure (#8851, ASM lnternations|, Materials Park, O} 44072)156 CAP.4_Imperfecciones en los arreglos atémicos y ionicos ‘como los Hmites de grano, esas entidades aparecen negras (Fig. 4-18), En las muestras certimi- cas, se usa con frecuencia una técnica Hamada ataque térmico para observar los limites de ‘grano, Implica pulir y calentar durante corto tiempo un cerdmico a temperaturas inferiores a Ia de sinterizacién, Una forma de especificar el tamafio de grano es con el néimero de tamafio de grano ASTM (ASTM, American Society for Testing and Materials), La cactidad de granos por pul- ¢gada cundrada se determina con una fotografia del metal, tomada can 100% de umenio. La Cantidad N’ de granos por pulgada cuadrada se sustituye en la ecuacién 4-6, y se calcula el mi- ‘mero n de tamaio de grano ASTM: weet (+6) ‘Un nimero ASTM grande indica muchos granas, © un tamaibo pequefio de particula, y se co- rrelaciona con mayores resistencias en los metales. Al describir una microestructura, siempre que sea posible, se prefiere usar un marcador micrométrico © alguna otra eseala sobre 1a micrografia, en lugar de especificar el aumen- to como X, como en la figura 4-25, De ese modo, si la micrograffa se amplifica o se redu- ce y el marcador micrométrico crece 0 se contrac, sin tener que ocuparse por los cambios de aumento respecto a la micrografia original. Hay varios programas sofisticados de andilisis de imagenes que se consiguen en Internet. Al usarlos, es posible no slo obtener informacion sobre e! nimero ASTM de tamaio de grano, sino también informacion cuantitativa sobre ta- maflo aproximado de grano, distribuciéa de tamafios de grano, porosidad, s¢gundas fuses (ca~ pitula 9), ete, Se pueden comprar diversos microscopios Spticos y electrdnicos de barrido con funciones de andlisis de imagenes, 0 bien las imigenes se pueden procesar con pro- ‘pramss de andlisis de imSgenes. El siguiente ejemplo ilustza el eflculo del ndmero ASTM de tamafo de grano, STEN) elteule det mimare ASTM do tamaia de grano ‘Contamos 16 granos por pulgada cuadrada en una fotomicrografiatomada con un au- mente de 250% (0 250 didmetros). ;Cudl es el niimero ASTM de tamafio de grano’ SOLUCION ‘Si contamos 16 granos por palgada cuadrada 250% de aumento, entonees, con un au- ‘mento de 100%, debemos tenet: = (2a =r nN (20 100 grancrs mm a Jog 100 = (n = 1) log 2 2 = (r= 1) 0201) n= 164 Limites de grane de angulo pequefio Un limite de grano de dngulo pequefio es un cconjunto de dislocaciones que produce una pequefia desorientacién entre cristales vecinos (Fig. 4-19). Como fa encrgia de la superficie es menor que la de un limite de gran normal, los limites de grino-con dngulo: pequesio no son tan eficientes para bloquear los deslizamien- tos. Los limites de grano con tamafio pequefio que se:forman por dislocaciones de borde seDefectos superticioles 187 Figura 4-19 El liitm de grano con angulo pequefo se produce con un conjunto de sisiotaciones que cuss un desalingemiento angular # entre las redes sristalinas @ ambos lados del limite. aman limites inclinadlos; los.que se forman per dislocacianes de tarnillo seaman limites de giro. Fallas de spilamiento Las fallas de apilamiento, que se presentan en los metales FCC, representan un error en la secuencia de apilamiento de los planos con empaquetamiento com- pacto, Normalmente, s¢ produce tina secuencia de ABC ABC ABC en wn eristal perfecto. Pe- o-supGngase que se produce la siguiente secuencia: ABC ABABC ABC ~ En la porcitin de la secuencia indicada, un plano tipo A ocupa el lugar donde un plano tipo C estaria localizado normalmente. Esta pequefia regién, que tiene una secuencia de apilamiento HCP en lugar de la FCC, representa una falla de apilamiento, Las fallas de apilamiento inter- fieren con el proceso de deslizamiento, Limites de macl Un limite de macta (0 de gemelacién) es un plano a través del cual hhay una desoriemacién especial de imagen especular de la estructura cristalina (Fig. 4-20). [Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que actiia a ko largo del limite de ‘macla, hace que los tomes se desplacen de su posicin. E| maclado sucede durante la defor- maciGn o el tratamiento térmico de ciertos metales. Los limites de macla interfieren ¢on ef pproceso de deslizamiento y aumentan Ia resistencia del metal. El movimiento de los limites de macla también puede causir la deformscién del metal. £1 maclado tambien se presenta en algunos materiales cerimicos, como la zirconia monoclinica y el silicate dicalcico [12.13] La efieiencia que tienen los defectos superficiales para interferir con el proceso de desli- zamiento puede juzgarse mediante las enengias de superficie (tabla 4-3). Los limites de grano ‘can alta energia son. mucho mds eficientes para bloquear las dislocaciones que tas fallas de apilamiento o los limites de macla. Limites de dominio Los materiales ferraeléctricos son los que desarrollan polarizacién dielécirica espontinea y reversible (por ejemplo, PZT o BaTiO,, capitulo 18). A los materia- les que desarrollan una magnetizacién en forma parecida se les llama ferromagnéticas (por ejemplo Fe, Co, Ni) o ferrimagnéticns (por ejemplo Fe,O, y otras ferritas magnéticas, capf-158 —CAP.4 Imperiecciones en los arreglos atomicos'y ionicos ( 20. La aplicacion de un esfuerzo 8 un cristal pertect (i puede causar un desplaza- miento de los étomos, (b) causanda la farmacién de una macla. Observe que el cristal se ha ‘detormadio como consecuencis del maciedo, (c} Micrografia de macies dentro de un grano de laton (250%), ‘TABLA 4-2 i Energias de defectos superficiales on algunos metales Defecte superficial a co fe enorgia cm} Falla de apilamiento 200 TS = Limite de macta 170 a5 190 Limite de grano es es 780 ‘tulo 19), Estos materiales electronicos y magnéticos contienen dominios. Un daminio es una ‘pequetiaregiGn del material cuya direcciin de magnetizacién o de polarizacidn dieldctrica permanece igual. En es05 materiales se forman muchos dominios pequeiios de tal manera que ‘se minimiza la energia libre total del maverial. La figura 4-21 muestra un ejemplo de domi- nios en ef titanato de berio tetragonal ferroeléctrico. La presencia de dominios influye sobre las propiedades dieléctricas y magnéticas de muchos materiales electrGnicos y magnéticos. En ‘capftules pasterioves describiremos estos materiales,Importancia de los defectos 159. Figura 421 Dominios an titanata de bario ferroeiéctrico. (Covtesia del Dr. Rodney Roseman, Universidad de Cincinnet) En los materiales ferromegnéticos y ferrimagnéticos se producen estructuras de dominio parecidas. 49 iptables — A RSS i aa Las defectos extendidos y los puntuales desempetian una funcidn de la mayor importancia en la determinaciGn de las propiedades mecinicas,elécticas, Spticas y magnéticas de los mate- rales disefados. En esta seccign, recapitularemos acerca de a importancia de los defectos so- be las propicdades de los materiales. Insistiremos en que el efecto de las dislocaciones slo tiene la maxima importancia en los materiales metdlicos, bw Efecto sobre las propiedades mecénicas a través del control del proceso de deslizamiento Toda imperfeccidin en el cristal aumenta la energfa interna en el lugarde a imperfeccion. La energia local aumenta porque, eerca de la.imperfeocién, los domes esti ‘muy comprimidos y cercanos entre sf (compresiGn) o muy apartados (tensin). Una dislocacién en un cristal metilicn, que por lo demis seria perfecto, se puede mover com facilidad por el cristal si el esfwerto cortante resuelto es igual al exfuerzo cortante critica resvelto, Sin embargo, si la dislocaciiin sc encuentra con una regién donde los dtomos estin desplazados respecto a sus posiciones normales, se requiere un esfuerz0 mayor para forzar el paso de la dislocacién por la regién de alta energfa local; en consecuencia, el material es mas. resistonte. En lox materiales, los defectos cama fas dislocaciones. defectos puntuales: limites de grano sirven como “obsidculo” a tas dislocaciones. Es posible controlar la resistencia de ‘un material metilico controlando Ia cantidad y el tipo de las imperfecciones. Hay tres meca- nismos comunes de endurecimiento (0 reforzamiento} que se basan en las tres categorias de defectos en los cristales. Como el movimiento de dislocaciones es relativamente més fécil en. los metales ¥ aleaciones, estas mecanismos suelen funcionar mejor en los materiales metal os. Es necésario tener en cuenta que, con mucha frecuencia, la resistencia de los.cerémicos ala tensiGn ya bajus temperaturas esté determinada por la cantidad de porosidades (presencia, de pequefios agujeros). Con frecuencia, los polimeros son amorfos yy, por tanto, las disloca- ciones desempefian un papel muy pequefio en su comportamiento mecinico, como se descri- bird en un capitulo posterior. La resistencia de los vidrios inargénicos (come el vidrio flotado de silicato) depende de la distribucién de diminuias falas sobre la superficie.160 CAP.4 Impertecciones en los arreyios atémicos ¥ ionicos Enduracimionte por deformacién Las dislocaciones interrumpen la perfeccién de laes- tractura cristalina, En Ia figura 4-22, os étomos abajo de la linea de dislocacién en el punto B estin comprimidas, mientras los de ariba.de 8 estin muy alejados. Sila dislocacign A se mue- ve hacia la derecha y pasa cerca de Ia dislocacién B, la dislocaciGn A se encuentra con na re- si6n donde los itomos no denen un orden adecuado. Se requieren mayores esfuerzos para ‘mantener en movimiento la segunda dislocacién; en consecuencia, el metal debe ser mis resis~ tente. Al aumentar ls cantidad de dislocaciones, sigue aumentande la resistencia del material, porque al aumentar la densidad de las dislocaciones se producen mis obstéculos al movimien- to de las dislocaciones, Se puede demostrar que la densidad de dislocaciones aumenta en for- ‘ma notable a medida que se deforma un material. Este mecanismo de sumentar la resistencia de un material por medio de In deformacién se llama endarecimiento por deformacién (o en- ddurecimiento por trabajo en fri), que se describird formalmente en el capftulo 7. También po- demos. demostrar que es posible reducir la densidad de dislocaciones, en forma apreciable, calentando un material a una temperatura relativamente alta y manteniéndolo en ella durante largo tiempo. Aste tratamiento ¢ Ie llama recoeido y se usa para impartirductilidad alos ma- teriales metilicos. Por lo anterior, el control de la deasidad de dislocaciones es un métode im- portante para controtar la resistencia y ta ductilided de los metales y las alesciones 22 Si |e dislocacién en el punto A se muawe hacia la inquierds, queda bloqueade por et intual. i le dislocacién se mueve hacia la dereche, interactia con la red perturbed: ia segunda disiocacian en el punto B. Sila disiocacién 88 mueve més hacia a derecha, ‘queda bloqueada por un limite de greno. Endurecimiento por solucién sélida Cualquiera de los defectos pantuales también inte- rmumpe la perfeceign de Ia estructura crstaina. Cuando la estructura cristal det material an‘i- {rin asimila por completo los éiomos o Ios iones de un elemento o compuesto huésped, se forma tuna soluciGn sélida, Esto ocumre de manera parecida a la forma en que la sal ol azicar se disuel- ven en agua, en bajas concentraciones. Si una dislocacisn Ase mueve hacia la irquierda (Fig. 4-22), se encuentra a un cristal perturbado debido al defecto puntual, son nevesarios mayores es- fuereos para continuar el deslizamicnto de La dislocacisn, Si en forma intencional se introduce ‘dtomos sustitucionales 0 intersticiales, se produce tn endurecimiento por sobucién sdlida, que se describird en el capitulo 9, Este mecanismo explica por qué el vero simple al earbono es mis resistente qué el Fe puro, 0 por qué las aleaciones de eobre con pequeias concentracianes dé Be ‘son mucho mis resistentes que el Cu puro. El oro o la plata puros, que son metales FCC con imuchos sistemas de deslizamiiento actives, son demasiada suaves mecdnicamente, Endurecimiento por tamafio de grano Las imperfecciones de In superficie, tales co- mo los limites de grano, perturban cl arreglo de los stomos en los materiales cristalinos. Si la dislocacién & se mueve hacia la derecha (Fig. 4-22), se encuentra con un limite de grano y ‘queda bloqueada. A aumentar la cantidad de granos, o reducir el tama de grano, se produce tun endurectmiente por tamafia de grane en los materiales metilicos. El control del tamatto de grano se describiré en varios de los capftulos posieriores.Importancia de los defecios 161 ‘Hay otros dos mecanismos mis para endurecer los metales y las aleaciones, Se conocen ‘como endurecimiento por segunda fase y endurecimiento por precipitacion, Sc describi- -rin en eapitulos posteriores, ‘con {a temperatura. Padriamos agregar carbono al hierro como stomos 0 sustituir tomes de hierro con étomos de vanadio-en tos puntos noemales de red. Es- ‘as defectos purtuales contindan interfirlenda con el movimiento de las dislocaciones 'y somtribuyen & mantener estable la resistencia. ‘Naturalmeme, también puede haber otras requerimientos de disefio, Por ejemplo, la ‘ménsula de acero se puede deteriorur por otidacisa o puede reaccionar con el ladrillo, de cerdimica. Efectos sobre las propiedades elictricas, épticas y magnéticas En las secciones describimos Ia profundidad del efecto de los defectos puntuales sobre las propiedades ‘eléctricas de Jos semiconductores. Toda la industria de microelectrénica depende, en forma critica, del éxito de incorparar dopantes sustitucionales como P. As, B y Al en el Si y en otros ‘semiconductores, Estos dtoms dopantes permiten ejercer un control apreciable sobre las pro- ‘piedndes ekéctricas de los semiconductores. Los dispositivos fabricados con Si, GaAs, silicio ‘amorfo (a:Si:H), etc., dependen en forma determinante de la presencia de Stomes dopan- tes. Se puede obtener Si tipo n introduciendo ftomos de Peen cl Si. Se puede preparar Si tipa p ‘usando dtomos de B, En forma parecids, varios enlaces, que de otro modo-quedarfan sin sa- tisfacer en el silicio amorfo, se llenan incorporando dtoonos de H. ghted mate162 CAP.4Imperfecciones en los arreglos atomicos y idnicos Lainfluencia de defectos tales come dislocaciones sobre las propiodades de los serniconduc- tores suele ser perjudicial. Las dislocaciones y otros defectos (incluyendo ouros defectos puntua- Jes) pueden interferir con el movimiento de portadores de cargas en semiconductores. Es la raz6n por la cual nos aseguramos de que sean muy pequetias las densidades de dislocaciones en el silicio monocristalino y en otros materiales que se usan en aplicaciones Spticas y eléc- tricas. Los defectos puntuales también causan mayores valores de resistividad en los metales. En algunos casos, los defectos pueden amplificar ciertas propiedades. Por ejemplo, al in- corporar CaO en ZrO, se produce un aumento en la concentracién de vacancias de iones oxi- ‘geno. Esto tiene un efecto benéfico sobre In conductividad de la zirconia y permite usar esas formutlaciones en sensores de-ox{geno gascoso y en celdas de combustible de Sxido sélido. Los efectos pueden convertir muchos materiales, que de otro-modo serian aislantes, jen semicon- ductores titiles! Estos semiconductores se usan en muchos sensores (por ejemplo, de tempe- ratura, de humedad, de concentracidn de gases. etcétera). ‘Mediante la adiciOn de apronimadamente 1% de Gnido de cromo a La aliimina, se produ- cen defectos que hacen rojo al rubi. De igual modo, al incorporar Fe"? y Ti**a la alGmina, se forma el zafira azul, Los nanocristales de materiales como sulfuro de cadmio (CS) en vidrios inorginicos producen cristales con colores brillantes, Los nanocristales de halogenuro de pla~ ta y otros mis permiten la preparacién de vidrios fotocrémicos y fotosensibles. “Muchos materiales magnéticos se pueden procesur de tal forma que los limites de grano y-otros defectos hagan ms dificil de invertir la magnetizacién en ellos. Las propiedades mag- niéticas de muchas ferrites comerciales que se usan én imanes para altoparlantes y dispositi- vos en redes de comunicacitn inaldmbricas dependen en forma critica de la distribucion. de tones diferentes en distintos sitios cristalogrificos en Ia estructura cristalina, Como se men- ‘cioné antes, Ia presencia de dominios afecta las propicdades de los materiales ferroeléctricos, ferromagnéticos y ferrimagnéticns (capitulos 18 y 19), {| <> Las imperfecciones o defectos en un maicrial cristalino son de tres tipos generales: de fectos puntuales, defectos lineales o dislocaciones y defectas superficiales. » El término “defecto” es un tanto engaiioso. Hay una cantidad incontable de tecnologia y aplicaciones.que se basan en la uitilidad de los defectos. » Lu cantidad de vacancias depende de Ia temperatura del material; los dtomos intersticiales \(ubicados en sitios intersticinles entre 1os domes normales) y los étommos sustitucionales ‘(que reemplazan a los étomos anfitriones en los puntos de red) se introducen con frecuen- ‘cia en forma deliberada y, normalmente, los cambios de temperatura no los afectan. > Los defectos de Frenkel y de Schottky se ven comdnmente en materiales inicos. » Para describir la quimica de los defectos en fos materiales, se usa la notaciéin de Krdiger- Vink. Estas reacciones se deben balancear en carga, masa y sitios cristalogrficos usados. » Las dislocaciones son defectos lineales que, cuando se aplica una fuerza'a un material me- ‘ilico, se mueven y deforman plésticamente ese material. » El esfuerzo cortante erftico resuelio €s el esfuerea que se requiere para mover las dislo- -caciones, » Las dislocaciones se mmeven ea un sistema dé deslizamiento formado-por tn plato de des- lizamiento-y una direceiGn de deslizamiento, La dinecciGn de deslizamiento, 0 vector de Burgers, suele ser de empaquetamiento compacto. El plano de deslizamiente también es, ‘normalmente, de empaquetamiento-compacto, o de empaquetamiento casi compacto, > En los cristales metélicns, la cantidad y el tipo de dirccciones de deslizamiento y de panos de destizamiento influyen sobre las propiedades de! metal, En los metales FCC. el esfuerzoGlosario 163 Ccortunte critico nesvelto-es baja, y est disponible una cantidad éptima de planos de des. lizamiento; en consecuencia, los metales FOC tienden a ser dctiles. En los metales BCC, no hay planos de empaquetamiento compacto disponibles, y el esfuerzo cortante criticor resuelta es alto; en consecuencia, los metales BCC tienden a scr resistentes. La cantidad de sistemas de destizamiento en los metales HCP es timitada y hace que esos metales se ‘comporten en forma frégil + Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, Stamos imtersticiales y 6tomos sustivucio- nales, introducen campos de deformacién de compresin ode tens tales que pertarban los ameglos atémicos en el arregio-cristalino que los radea. El resultado-es que las disto- caciones no se pueden deslizar con Facilidad en la cercania de defectos puntuales, y la resistencia del material metdlico aumenta. » Entre fos defectos superficiales estin los limites de grano. Al producir un tamafio de grano fy pequeBo, aumemta la cantidad de superficie de Mite de grano; como las diskoeaciones no pueden atravesar un. limite de grano con facilidad, e] material se endurece (ecuacida de Hall-Petch). » La cumtidad y la clase de defectos cristalinos controla la facilidad de movimiento de las slocaciones y. en Consecuecia, influyen én forma directa sobre lis propiedades mec ieas-del material, El enduirecimiento por deformacién se obtiene al aumentar la Cantidad de dislocacione: el endurecimiemto por solucién sélida implica la introduccién de defectos puntusles; y el endurecimiento por tamatio de grano se obtiene produciende tamarios pequerios de grano. » El recocido es un tratamiento térmico para contrarmestar los efectos del endurecimiento por deformacién reducienda la densidad de disiocaciones, Esto causa mayor ductilidad en Jos materiales metilicos, > Los defectos en los materiales tienen una influencia apreciable sobre sus propiedades cléctricas, Spticas y magnéticas Analisis de imdgonos Técnica para analiza imigenes de microeuructuras y tener isormacién caamaaiva sew del tua y forma dels gran, la distibuekin de ls matios de grupo, etcetera, ASTM American Society for Testing and Materials Araquetormico Técnica pa observar microesiicturas en maectaes ersrsics. Implie el calen ‘umlenio, dorante como empo, de uns muestra polida hasta una emperatara un poco menor que ta de siterzaci. Banda de deslizamiento Conjunto de muchas Vineas de deslizamienta, Con frecuencia ¥e coe facia Defecto de Frenkel Pr de detectos puntales, produto cuando se mseve un ie para rea un ‘io inteestcialy deja atrés una wacaseia. Defecto de Schottky Defecto puntual en materiales con enlazamicnto Gnico, Pare mamener uaa carga nevtrl se debe formar la cantidad estequiométrica de vacancias de cain y de ani. Detecto intersticial Defecto puntual que se praduce cuando wn dtomo en al cristal, en wn sitio que normalmente no es un, panto dered, Dafoeta sustituclonal Defect puntual que ce produce uf guitar un ftom be an punto de red nar ‘ly sustiuirio por un dromo ifereae, normalmente de tamalo distin, Dafoctos extenclislos Defects en las que toman pate varia dacs lanes y que. por consiguleate se peesenian eo un volumes finito del raerialcristalino (por ejemplo, dislocarioncs,fllas de apis mica, etter).164 CAP: 4 imperfeeciones an fos arreglos atomices y idnicos Defectos lineales Defectos, como dislocaciones, en los que faliam étamos 0 iones en una fila Defectos puntuales. Imperfecciones, como las wacanci ‘algunos casos, en poces sitios)-en um cristal. que normalmente estin en un sitio (ea Defectos superti dentro de! cristal ¢ Imperfecciones, coma limites de gran, que forme un plane bidimensions! Deformacion etssticn Deformacién que desaparece totalmente cuando s¢ elimina el esfuerz0 que a produce. Densidad de distocociones Longimd total de lineas de disloracién por centimetro eubieo en um material Destizomiento DeformaciGn de un material metilico causada por el movimiento de dislocaciones en el cristal Deslizamiento cruzsdo Cambios el sistema de deslizamiento de una dislocacita, Direcclon de deslizamiento Direccida en la que se mueve Is disloracion en el cristal. La direc cin de deslizamiento es igual que la direcciin del vector de Burgers Dislocacién Imperfeocidn lineal en un material cristina. El movimiento de las dislocaciones ayu- da a explicar cays se daforman los materiales metsliens. La imerferencla con el movimiento de la dis locaciones ayuda 4 explicar cdma se endurecen los materiales metlicos. Disiocacién de bord o erista Dislocacida que se introduce en l cristal agregando un “semiplano adicional” de-étomos. Dislocacion de tornifla Disincacidn producida torciento un cristal, de tal modo que ua plano ais mice produce una rumpa en espiral em tome a la dislocacign, Disioescién rita Dislocacién que contieae en parte componentes de buede y en parle componen ‘ex de toenillo Dominio Pequeiaregide de un material ferceléctrica, ferromagnético o ferrimagndticn, euya direccign de polarizacidin dieléctrca (0 ferrosléctrica} o direccida de magnetizacién (raneriales ferromagndticos ‘9 ferrimagnéticos) permanece igual Deoparites. Elemenins'o compocsios que se agsegan inkencionalmetie, co coscentraciones canocidas, ¥y qoe apareces en lugares especificos dent de la microestractura, para mejorar las propiedades 0 o Procesamiento de un material. Ecuacion de Hall-Petch Relacién entre Ia resistencia de cedencia y el tamafo-de grano en un ma terial metilicas @, = or, + Ka"? Enduracimiente por dispersion Mecanismo por el cual se introducen granns de un compuesto © segunda fase on los granos de us material metlico policristalina, Los crstales de la seguada fase funcio- ran como obstéculos a las dislocaciones, y con ello causat un aumento en la resistencia de un material metilice. Endurecimienta por precipitacion Endureciaiento de metales y aleaciones mediante la forma: -ciGn de precipitados diminuios dentro de los granos, Los pequetis precipitadis contribuyen a resist el noviunients de dislocaciones. Endurecimiento por segunda fase Mecanismo por el cual se introducen granos de un carpuesta sequal fave en los granos de un material policristalion. Estos crstales de segunda fase funcionan come bsticulos alas dislocaciones y, con ello, cusan un aumento en la resistencia de un material metic. Estuerzo cortante critioa resuelta Esfverzo comante necesario para hacer que una dislocaciia se siueva y causar destizamniento, Esfusrza de Peieris-Nabarro Esfuerzo comunte, el cual depende det vector de Burgers y de la dis- ‘ancia interplanar, novesario para hacer que se mocya una dislocacsba: + = ¢ exp (—ka/®),Giosaio | 168 Falla de apiterniento efecto superficial en metals PCC causado por una secuenciaineorecta de sglamiemo de los planes de empaquetamicnto compact Fervimagnético Merial que tambige desarolla magnctizacicn exporiaea y reversible (conto el Fe,0,), Esdistinto deun material ferbinagnético,cuyos tomentas magnéticos de tos distin ines no eben fa misma diecci. Ferrosléctrica Material dieldetrien que desaralla polarizacin ebéctrica eypomtinea y reversible (por ejemplo, PZT. BaTiO, Ferromagnético Material que desarrolla una magnetizacisa espontinea y reversible (por ejernplo, Fe, Co, Ni Figures de corrosion Pequetos-agujeros que ge erean en. ls dreas donde las dislocariones wocan ta superficie, Sirven para acherir la presencia de dislocacioaes y examinar el nimero de las mismas Grane Une de bos sristales presentes ea un material policristalino, Impurezes Hlementas o compuesios que Iegan aun material: con frecuencia se originan en el pro cesamiento on las materias primas, y en general tienen un efecto perjudicial sobre Ins propiedades ol procesainiente de un material. Intereticistidad Defesto puntusl eausado cuando un dtonse “norm” cop un sitio intersticial engl cristal. Ley de Schrvld Relacicn entre + Camperetect | << W-ancho de ta-regidn de agotamiento Difusidn de huccos werno Ey Arrastre de huccos debido al campo eléctrico imtemo desarrollado, Fipura $7 Direcciones de fs ditusion y el arraste a deriva de portadares de caras en ‘un semiconductor (para el ejemplo 5-2)Aplicaciones de la difusion 181 es mayor que en él lado-n fp, 10s hwecos 5-1). Obsérvese que através de la unin pn hay tambia ‘ose difunden, porque la temperatura es 300 K y es demasiado baja para eso. 'b) Al difundirse los electrones del lado n al lado p, una parte del cristal del lado n ad- quiere carga positive, porque cada diomo de P ha cexfido un electrin y se convier- te en un ion P'con carga positiva. De igual manera, cada dioma de B se convierte en un ion B con carga negativa. Cuando cierta cantidad de electromes se ha difun- ido, dejan atrés iones P con carga positiva en parte del cristal del Ido n. Cuando {os hnuecos se han difundido del lado p hacia el lado m, dejan atris fones B con ear- ‘ga negativa. Sin embargo, la difusiGn de electrones y huecos no continéa hasta que se igualan las concentraciones de electrones y huecas. A medida que mis electra- nes tratan de difundirse del Indo m al Indo p, se “ven” o encuentran los iones de B ‘eon carga negativa. De igual forma, a medida que més ¥ mas huecos tratan de di- fundimse desde el lado p hacia el lado n, encuentran jones P con carga positiva y el ‘movimiento encuentra resistencia, Asf, a diferencia del caso de los étomos de Ary He (ejemplo 5-1), la concentracicin de electrones y htecos no se iguala. Se estable- ee un campo eléctrice interno (E,) sobre una distancia Wy evita la igualacién de cconcentraciones de electrones y huecos. El voliaje interno que resulta se llama po- ‘encial de contacto V,. €) El campo eléctrico intemo £, 3 tal que hace que los electrons del lado p se des- placen hacia el lado n. También, el mismo campo eléctrico interno hace que los ‘nuecos del fado nse desplacen hacia el lado p. Asf, el flujo de electrones debido a Ia difusi6n y el arrastre se hace en direcciones opoestas. De igual modo, ¢! mavi- tre de cada clase de portador, El resultado ¢s que una unin p-n en equilibrio no cconduce corriente neta. Después se explicard que, si se aplica un voltaje externo-de olarizacién (V}), se puede sintonizar la resistencia y, en consecuencia, el flujo de eo- rriente en una unién p-n, lo que permitiré obtener dispositivos itiles como son los ‘transistores (capitulo 18),En el capitulo 4 se demostré: que con frecuencia existen imperfecciones y que también se puc- den introducir en forma deliberada en wn material. Sin embargo, esas imperfecciones, y en rea lidad hasta Jos dcomas o iones en sus posiciones normales en el cristal, no son estables o estin en repose, En cambio, los tomes 0 10s jones poseen enerefa térmica y se mueven, Por ejemplo, un toma puede moverse desde un lugar normal en la estructura crisialina y ocupar una vacan- cia vecina. Un dtomo también puede maverse desde un sitio intersticial a osro. Los étomos 0 los: ‘ones pueden saltar através de un limite de grano, haciendo que se muevael limite de grano. [La capacidad que tienen los étomos y los iones para difundirse aumenta con la tempera- tura; ex decir, aumenta la enengfa térmica que poseen los dtomos y los iones. La rapidez del ‘movimiento de un tome o un ion, en relaciéa con la temperatura o la energia térmica, se ex- presi can la eciuacidn de Arrhenius: Rapier = een ( en donde, es una constant, R'es la constante de los gases (1.987 4), Tes la temperatura absoluta (en K) y Q ¢s la energia de activackin (cal /mol) necesaria para mover un equivalen- te al némero de Avogadro, en dtomos 0 iones. Esta ecuacién se deduce a partir de un andlisis estadistico de Ia probabilidad de que los 4tomos adquieran Ia energfa adicional Q necesaria para cousar el movimiento, La rapidez se relaciona con la cantidad de dtomos que se mueve. ‘Se puede reexpresar la ecuacin tomando logaritmos naturales de ambos Iados: ran} In (rapide) = Inco) 6-2) ‘Si se hace una grifica de In(rapidez)' de alguna reacciGn en funcidn de 1/T (Fig. 3-8), la pendiente de la curva serd —Q/R y, en consecuencia, se podné calcular Q. La constante ¢, ‘caresponde a la ordenada al origen, In ¢,, cuando 1 /T es cero, 5 Le Figura sa =| E er ty eis-10") La grafica de Arrhenius de in (velocidad) oor en funcién de 1/T se puede usar para ‘determiner la energia de activecién ecesaria para una reaccidn. 1 Velocidad ashonh! to 108) mats 1p » QURSRERRER eS de TAT nc rns pn nmi el iin eee i ‘comno puede ser este prafo. Enel contexi de ciencia de materials, se usa el iérminn “rapider™ 0 Sasa" en bos proceso fsicos, como a difisia.Estabilidad de stomes'yiones: 183 Figura > Svante August Arrhenius (1858-1927) hizo wobajos precur. sores en el campe de la cinética de las reecciones quimicas a Bitlicteca de la Universidad dle Perinsytvania,) ‘Svamce August Ambenius (1859-1927, figura 5-9), quimico sueco ganador det Premio No- Ibel de Quimica en 1903 por sus investigaciones en teoria electrolitica de la disociscién, hs- ‘bia aplicado esta idea a las velocidades de reacciones quimicas en soluciones acuosas. Su idea basica de energia de astivaciGn y de velocidades de reacciones quimicas en funcidn de ln temperatura se han aplicado desde entonces en muchos campos, incluyendo la difusim, La cenergia de activaciéin es la cantidad de energia necesaria para hacer que sucedan los procesos, de velocidad, como se definird después con més detalle, TEES enarnin de activacién para étomos intersticiates que se determina que Jos dtomos intersticiales pasan de un sitio a otro a ve- ‘ocidades de 5 * 10* saltos/sa S00 *C, y a8 % 10 saltas/+. 800 °C. Caleule Q, la ‘energia de activacidn pars el proceso, SOLUCION ‘La figura $-8 representa los datos en tna grifica de Infwelocidad) en funciGn de 1/T: ‘a pendiente de esta linea, calculada en la figura, resulta Q/R = 14000 K~!, 0 Q 27 880.call/mol, También se podrian escribir dos ecwacinnes simultineas: ice) | en nl [l987 (ati)|00 + 273) = 6, exp (0.000851) Velocidad (*8*) = cyexp 3x 108 (0 8x 10" (mn =O) ed [1-987 (cif) (#00 + 273) = G, exp (—0,0004690) ‘Obsérvese que las temperaturas se convirtienon a K. Yu que ~ exp (00006510) 8 introdujo la nocidn de energia de activacion. (Cartesia de184 CAPS Movimientos de atomas y jones en los materiales emtonces (5X 104) exp (0.004699) exp (0.006510) 160 = exp [(0,000651 ~ 0.000469} = exp (0.001820) In (160) = 5.075 = 0.000182Q 8x 10 = $2 Moonaondeh ESA =e Coma se vine el capitulo 4, en los materiales existen defectos Hamados vacancias. El desor- en que crean esas vacancias (es decir, In mayor entropia) ayuda a minimizar la energia libre ¥y. en consecuencia, la estabilidad termodinimica de un material cristalino. Los materiales cristalinos también contienen otras clases de defectos. En materiales que contienen vacan= cias, 10s étomas se mueven ¢ “saltan” de una posicién en la red a otra. Este proceso se lama autodifusién y se puede detectar con trazadores radiactivos, Por ejemplo, imaginemos.que Figuia 5-10 100 Ditusion de stomes de cobre.en ‘nique. Al inl, los éromos de 6 ines ‘cobre sa distribuyen al azar dentro 3 4! nigua. de la ¥ sifusicin 0 %deCu 100 Después de terminar Ia difwsign ede CuEnergia de activacién en la difusion 185 Movimiesto Faas oel Oo e Jos matariotes: (a) difusion de oe srcanci ode Horo str 838 333 sonal (bditusién interstcial “Movimiento do in vacancia (a) Mecanismo por vacancias — (b) Mecanismo intersticial se incorpora tn isétopo radiactivo de oro (Au'™) sobre 1a superficie de oro normal (Au'™). [Después de cierto tiempo, los stomos radiactives pasar al interior del oro normal. AL final, Jos dtomos radiactives estarian distribiides tniformemente en toda la mitestra de ‘fa que suministra 1.2% de-C a la superficie det acero a alta temperatura (Fig. 5-1)... -continuacign, el carbon se difande de la superficie al acero. Pari obtener propicdi> des iptimas, el aero debe contener 0.45% de C a una profundidad de 0.2 cm bajo ta superficie. Disefle un tratamicnio térmico de Carburizacidn que produca estas propie~ o- a20(77) ‘Segin la-tabla’S-1, 0 = exp Se whey (2838) ‘En concecuencia, la temperatura y el tiempo del tratamiento térmico se relacionan con la ecuscién: = 0.0198 em? 0.0198 cm? _ _ba86r p= 0.23 exp -16558/T) = exp (-16558/T) Algunas combinaciones vilidas de-temperaturas y tiempos som: SiT = 900°C = 1173 K,entonces ¢ = 116174 5 = 32.3 Si T = 1000 °C = 1273 K, emtonces 1 = 363603 = 10.7 SiT = 1100 °C = 1373 K, entonces = 148805 = 4.13h Si T = 1200 °C = 1473 K, emtonces 1 = 6560 s = 1.82 ‘La combinacién exacta de temperatura y tiempo dependerd de la temperatura méxima ‘a la.que puede llegar el horno de tratamiento, de la velocidad a la que las partes deban ide ser producidas y de la economia resultanic del balance entre mayores temperaturas Ly mayores tiempos, Otro factor que es importante tener en cuenta son los cambios de ‘microestructura que suceden en el resto del material. Por ejemplo, mientras se difun~ de el carbon a la superficie, el nesto de la estructura puede suffir crecimiento de gra- El ejemplo 5-11 muestra que una de las consecuencias de In segunda ley de Fick es que + paede obtener el mismo perfil de concentracién para distintas condiciones de processmien- to, siempre y cuando el término Dr sea constante, Ese permite determinar el efecto que tiene la temperatira sobre el tiempo requerido para lograr determinada tratamiento térmico,Perfil de composiciéa (segunds ley de Fick) = 207 Copyrighted material208 © CAPS Movimientos de atomosy iones en los materiales deahistsciemier cise dl posonies cla wesat Gs otis: to desde una temperatura mayor jcausani esfuerros residuales? ;Seguind cumplicndo. cel producto con todas las demas especificaciones? Se deben tener en cuenta éstas y otras razones, La clave es que, como ingenieros, debemos asegurar que Ia solucién propuesta no s6lo sea técnicamente valida y econGmicamente adecuada, sino que tam- bien debe reconocer ef sistema en su totalidad (es decir, una perspectiva mas amplia) y hacer que tenga sentide. Con frecuencia, una buena solucién es sencilla, resuelve los problemas del sistema y no erea problemas nuevos. Copyrighted materialfil de composicién (soguads ley de Fick) 208 «(Gemeape) x «(ate) Segtin los. valores do Ia funcida de exror en Ia tabla 5-3 (0. de una caleuladora © Si exflc) = 0.99, : = 1.82, yen consecuencia x MO cat x 107 Osea = 116 x 104 em es decir x= (176 10m) ( x= 1.16 um cus) Obsérvese. que sé hha expresado Ia respuesta en micrémetras, por ser la escala de lon- gitud adecuada para esta aplicacién. Las hipétesis principales que se hicieron son i et valor de D no cambia mientras se incarpora f6sforo (P) a 1a oblea de silicio y ii) Ia difusiéa del P slo es en una dimensiGn; ex decir, no s¢ tiene en Cuenta la dif in lateral. 'b) Cuando se enfiria ka oblea a temperatura ambiente el perfil serd esencialmente igual, Ast, a temperatura ambiente se tendrd en esencia la misma distribuciGn de P que se teofa a 1100 °C. La temperatura tiene un gran efecto sobre-e] proceso de difusién y, a medida que se enfrfa la oblea, la velocidad de difusién baja mucho y, por tanto, el perfil permanece constante, cc) No se han especificado la temperatura ni-el tiempo para Ia difositm del boro (B). Se eben tener en cuenta, Las temperaturas carscteristicas para le difusin del boro son de 9003 1200 °C. y cabe esperar que a esas temperatura también sea importante la difusidn de P. Cuando se calienta de nuevo la cblea para difundirle boro, habri. que asegurarse de que el P'no comicnce a difundirse en forma apreciable en partes de la oblea (redistribucién de dopante). También se debe asegurar que el boro no se difuun- da hacia regiones que contengan P'y, silo hace, se deben tener en cuenta los efectos. sobre el procesamiento y las propiedades eléctricas del dispositivo vesultante. Limitsciones de la aplication de la salusién basada an la de funcién da error da- daen la ecuscién 5-7 Obsérvese que en la ecuacién que describe la segunda ley de Fick (eouscidn 5-7): 1) Se supone que D es independiente dle La concentracién de la especie: que se difunde; b) Ia concentraciéin superficial de la especie que se difunde (c,) siempre es constante: Hiay casos en que esas condiciones no se cumplen y, en consecuencia, lx evolucién del pe de coneentraciéa na serd predicha por la solucién de funciGn de error de la ecuacién $-7210 CAP.5 Movimientos de étomas:y ianes en las materiales Jas condiciones a la frontera son distintas de las que se supusieron, se deben usar soluciones diferentes de la segunda ley de Fick Ei la eewacién 5-7 sé requiere que haya ima composicién Constante cy 60 la interfaa; es 1 caso de procesos como el de cementacidn del acero- (ejemplos 3-10y 5-11), en los cuales ‘se suministra carbono a la superficie de! acero. Sin embargo, en muchos casos Ia concentracién ‘en Ia superficie cambia en forma gradual durante el proceso. En esos casos, se presenta La linterditusiin de fos 4tomos, como se mnestra en la figura 5-10, y ya no es wilida la ecuacién 5-7, Bl térmiao inierdifasin significa difusi6n de wna especie en una direscisa (por ejemplo, fe} carbono que se difunde hacia el interior, desde Ia superficie) y ta difusién de otra especie en direcciée contrara (por ejemplo, dtomos de Fé w otros que se difundin hacia aftera, hacia ‘a superficie). ‘A veres, la intendifusidn puede causar dificultades. Por ejemplo, cuando se liga alurainio al ‘oro a temperatura elevada. los ftonios d¢ aluminio se difunden con mis rapide en los tomes ‘de ora, que los de ore haa el aluminio, En conseeuencia, al final hay més dtomos ttales.en el lado original del ro de Ia interface que-en el lado original del aluminio. Esto provoca que la wbi- ‘cacién fisica de la interfaz original se mueva hacia el lado del aluminio del par de difusin, ‘Toda particula extrafia que exté aprisionada originalmente en lainterfaz también se mueve con Ia interfaz. A este movimiento de la inteaz, debido a velocidades distintas de difusién, se Ie Tama efecto Kirkendall. En algunas casos, se forman huecos en la interfaz como resultado del ‘efecto Kirkendall. En ctcuitos integracos dinninutos se suela alambre de oro al aluminéo para tener una terminal exierna del-cirevito, Durante el funcionamiento del circuito, se pueden for- mar huccos por coalescencia de vacancias que intervienen en el proceso de difusidn; al c= ‘cer los huecos, la conexidn entre Au y Al se debilita y al final puede falar, Como se mancha la zona en toro a la conexién, a esta falla prematura se le Hama plaga purpura. Una técnica para evitar este problema consiste en exponer la unién soldada al hidnégeno. Este se disuelve ‘ene! uluminio,llena las vacancias y evita la autadifusign de fos stomos de aluminio. Esto evi- ta que los dtomos de aluminio se difundan hacia el oro y fragile la soldadura. En otras casos, aun cuando las condiciones a La frontera sean las mismas que Tas usadlas pera dedueir la ecuackin 5-7 0 se puedan manejar con ecuaciones alterna. el coeficieme de -difusién D puede tener dependencia respecte a la concentracidn.{6,12,13] También obstrve- se que, como D tiene una fuerte dependencia de la temperatura, al suponer una D constante se suponen casos de procesamiento isotérmico. En realidad, las temperaturas rara vez son constan- tes en cf procesamientor de materiales. A veces también pusde suceder que haya quimicas -complejas de defectos que pueden desempetar un papel principal y hacer que los perfiles de difusién sean bastante distinsos de los predichoe por la ecuackin $-7, Como resuleado, no e# sorpreadente observar con frecuencia periles de concentracién diferentes de los pronostica- dos por las diversas soluciones de la segunda ley de Fick. Por ejemplo, los perfiles de difu- sida de siticio (Si) y de algunos atros dopanies en el GnAs no se pueden describir com Ia funcién de error{14] Las quimicas complejas de defectos influyen en la difusiGn del dopante y hacen que B dependa de la concentraciGn de la especie que se difunde. 58 | -Dilsiny piodesaricdbademi@teriles “SE En la seccidm 3-t, describimas en forma breve las aplicaciones de la difusion al procesamien- to de materiales. En captiulos posteriores, describiremos muchos ejemplos relacionados con 1 solidificacién, transformaciones de fases, watamientos térmires, eto¢tera. En esta seccién proporcionaremos mas informacin para resaltar la. importancia de la difusi6n en el process ‘mienta de los materiales disefiados. Los procesos difusionales se vwelven may importantes cuando se usan © se procesan materiales a temperaturas elevadas,Difusién y procesamiento de materiales 211 Fusion y colada Une de los métodos mis usados para procesar metales,alesciones, muchos pplisticos y vidrios implica la fusin y el colado de los materiales para abtener una forma defini- da. La difusién desempetia tun papel de importancia especial en la solidifieacién de los metales ¥y las aleaciones. Durante el crecimiento de monocristales de semiconductores, por ejemplo, se ‘debe asegurar que se tengan en cuenta las diferencias en la difusiGn de dopantes, tanto en estado fundido como sélido. Exio se aplica también a la difusién de los elementos durante el colado de aleaciones, De igual modo, la difusidn desempetia un papel eritico en el procesamiento de vidrios. Por ejemplo, en los vidrios inongdnicos nos basamos en el hechorde que la difusign es lenta y de ‘que no cristalizan con facilidad, Examinaremos mes adelante este tema en el capitulo 8, ‘Sinterizado Aunque fos métodins de fusn y colade son may frecuentes para muchos mate- rales manufacturados, los puntos de fusién de muchos cerémicos y de algunos materiales me- talicos son demasiado altos pars procesarios por estos métodos. Estos materiales relativamente refractarios se fabrican en formas adecuadas con un. proceso que requiere la consalidacién de ‘pequefias particulas de un polvo para formar una aca séiida (capitulo Id). El sinteriando es el ‘rotamiento con alta temperatura que hace que se unan Iss particalas, reduciendo en forma gra- dual el volumen de los espacios o poros entre ellas. El sintcrizado. sinterfzaciéa es un paso fre~ ‘cuente en la fabricacién de componentes de cerdmica (por ejemplo, almina, ttanato de brio, cic.) asf como en la produccidn de partes metilicas medianie metalurgia de patvos, una rata de procesamiento en Ia cual los polvos metilicos se prensan y sinterizan formando componen- tes densos y manolfticas. Se produce una variedad de materiales campuestos, como carburo de ‘tungsteno-cobalto para herramiermas de corte, superaleaciones, etc, usando esta téenica. Cuan ddo las partculas son m4s finas, muchos dtomos © iones estén en la superficie; para ellas no-3¢ satisfacen los enlaces aiGmicos o Gnicos. El resultado.es que un conjunto de particu finas de ddeterminada masa tiene mayor energia que cuando forman un material cobesivo y macizo de la ‘misma masa. En consecuencia, la fuerza impulsora del sinterizado de metales y cermicos en estado sélido-es la reduccidn de la superficie total de las particulas de polvo, Cuando un mate- rial pulverizado se compacta en una forma, las particulas de polve estén en contacto mituo en ‘muchos sitios, y entre ellas hay un espacio apreciable de poros. Para reducir a energéa total del ‘material, los étomos se difunden hacia los puntos de contacto y permiten que las partfculas se adhieran entre sf, y al final hacen que los poros se contraigan. La difusi6n reticular del erueso de las particulas hacia la regidn de cuelio causa la densifica- ida, La difsién en la ie, 0 la difusién en fase gas-0 vapor, y la difusién reticular desde ‘superficies curvas hacia la zona del cuello entre particulas no producen densificacida (capitulo 14), Si! sinterizado se hace duramte largo tiempo. se pueden eliminar los poros ¥ el material se vuelve denso (Fig. 5-28). En la figura 5-29 se muestran las particulas de polvo de un material ‘cerimico llamado tantalato de bario-y magnesio (Ba(Mg, ,Ta,,,.)0,,.0 BMT, por sus siglas en inglés). Este material cerémico se tsa en la fabricacién de componentes electrénicos lamados resonadores dieléctricos en los sistemas de comunicaciones inaléanbricas. La microestructura de Producto parcialmente sinterizado Figura-28 Proceso de difusion durante el sinrizade y \a metalurgia de polvos. Los étomos ‘se ditunden hacie las puntos de contacto, formando puentes y reducienda el tamafo de! paro,212 CAPS Movimientos de atomos y iones-en los materiales Figura 5-29 Particulas de polva de tantalato de bario y magnesio (BMT. BalMig, . Ta, .)0,). Este material coramica s@ usa en la fabricacidn de componentes electrénicos liamados resonadores dleléctricos, que se utilizan en las comunisciones inalambricas. (Cortesia de H. Shirey.) fos ceriimicos BMT se mucstracn la figura -3), Estos cerémicas ae produjeron compactando los polvos en una prensa y sinterizando el “comprimida” a una alta temperatura (~1500 °C). EI grado y la velocidad de sinterizacién depend de a) la densidad inicial de los "eomprimi- dos”, b) la temperatura, c) el tiempo, d) cl mecanismo de sinterizaciin, c) el tamafio promedio de particula y f) la distribucién de tamafos de las particulas de polve, En algunos casos, se forma una fase Iiquida en regiones localizadas del material durante cl proceso de sinterizada, Come la difusion de las especies, sean étomos 0 fones, es ms répica en los Kquides que en el estado slide, la presencia de wna fase liquids puede proporcionar tna forma cximoda de-acele- rar la sinferizaciGn de muchos metales refractarios y formulaciones de cermicos. El proceso en el que una pequefia cantidad de liquide ayuda 4 Ia densificacidn se llama sinterizado en fase liquidla. Pars que la fase Hiquida sea efectiva en ampliar cl sinterizade, es importante que cet Kiquido pueda “humectar” los granos, en forma parecida a como el agua humecta una su- perficie de vidrio. Si el liquido no humecta, como en el caso del merctrie qué fo: humecta al vidrio, la fase Liquide no ayudar a aumentar el sinterizado, [En algunos casos, se agregan compuestos.a los maleriales para que causen la formacién de fase liquida a las temperatiras de sinterirado. En algunos otros casos, las imparezas pueden reaccionar con el material y ea sar la formacién de una fase liquida. En la mayoria de ns aplicaciones se desea que la fase uida sea transitoria, o que se convierta en wn material cristalino durante el enfriamiento. Es a causa de que una fase vitrea, frigil y amorfa no permanezca en los limites de grano, ‘Cuando s€ necesitan densidades excepcionalmente allas, se aplica presidn (sea axial 0 isostitica) mientras se sinteriza el material. Estas tdenicas se Haman prensado en caliente, cuando la presin es unidirecctonal, 0 premsade isastitico en caliente (HIP, por sus siglas en inglés), cuando la presin es isostitica, es decir, que se aplica en todas direeciones. Con esas tée~ hicas se praducen muchas superaleaciones y cerdmicos, como el titanata de plomo, zirconioDitusién y procesemiento de materiales 213. Figura S30. Microestructura de cerdmico BMT obtenida por compsctacién y sinterizado de palvos dda BMT. (Corresia de H. Shirey:) ¥ lantano (PLZT, por sus siglas en inglés). El prensado isostitico en caliente produce mate- ‘ales de alta densidad con propiedades isotrépicas (capftulo 14), Crecimiento de grano Un material poticristalino contiene una gran cantidad de limites ée grano que representan una zona de alta energia, por el empaquetamiento ineficiente de los ‘tomos. Si se reduce la superficie de los limites de grano debido a su crecimiento, se obticne ‘una enesgfa general menor en el material. El crecimiento de grano implica e! movimiento de Jos limites de grano, lo que permite crecer los granos de mayor tamasio a expensas de los mis pequefios (Fig. 5-31). Si el lector ha observado la espuma, es posible que haya visto el prin ‘pio del crecimiento de grano. Se parece a Ia forma en que las burbujas pequefias en Ia espu.- ‘ma desuparecen a expensas de las mayores. ;Otra analogia es la de los peces grandes que ‘crecen al comer peces pequetias! Para que haya crecimiento de grano en los materiales, se re~ ‘quiere la difusiGn de dtomos a través de! Limite de grano y, en consecuencia, et crecimiento de z ke El Spm Spm (a) Microestructura inicis] —_(b} Microestructura después del erecimiento de grano Figura 5-21 El erecimiemto:de grano se efsctia cusnde los dtamos se difunden de un grano a ‘otro, através dal limite de grano.214 CAPS Movimientos de atomas y iones en ios materiales (a) (b) Figura 32 Cracimiento de grano en cerdmica de akiming; se puede ver en las micrografios btenidas por microscopia electrénice de barrido. (a) La micrografia de la izquierda muestra la ‘microestructura de un cerdrico de alimina sinterizada a 1350 °C durante 15 horas, (b) La micro- (grafia de la derecha muestra una muestra sinterizada a 1250 °C durante 200 horas, (Cortesia de {I Nettieship y R. McAfee.) Jos granos se relsciona com la energia de activacicn nevesuria para que un stomo salte a tra- ‘vés del limite. E] aumento en el tamafio de grano se puede apreciar en la secuencia de micro- saffas de cerdmicos de alkimina de Ia figura 5-32,[15] Otro ejemplo en el que el crecimiento de grano desempefia una funciéa es e! filamento de tungsteno-en un foco (bombilla). Al cs Jentarse cada ver més el filamento de tungsteno, los grapes crecen y lo debilitan. Este creci- micnto de gran, la evaporacién del tungsteno y la oxidacién por el oxigeno residual Contribuyen a la fala de los filamentos de tungsteno de los focos. La fuerza impulsora del crecimiento de grane es la reducetén del érea de Uimites de gra- 1a, Los limites de grano son defectos, y su presencia causa: un aumento fe la energia libre del ‘material, De este modo, ls tendencia termodindmica de los maueriales policristalines es a trans- formarse en materiales que tienen mayor tamafio promedia de grano, Lass temperaturas eleva- das 0 energias de activaciGn bajas aumentan el tamafto de los granos, Muchos tratamientos \érmiieos de los metales, que incluyen sostener al metal a temperaturas altas, se deben controlar con cuidado para evitar crecimiento de grano exoesivo, Esto se debe a que, amedida que crece cl tamafe de grano, la superficie de los limites de grano disminuye y ahora hay menos resis- tencia al movimiento de lus dislocaciones. El resultado es que la resistencia de un material metilico disminuye al sumentar el tamafo de grino, Este concepto lo hemos visto antes, en forma de ta ecuaciOn de Hall-Petch (capitule 4), En el crecimiento normal de grand, e! tima- fo de grano promedtio aumenta en forma continua y el ancho de la distribucign de tamatios de grano no se afecta en forma severa. En el crecimiente anormal de grano, la distribucién de tamafios de grano tiende a ser bimodal, es decir, se abtienen pocos granos muy grandes y entonces quedan pocos granes relativamente pequesios, Ciertas propiedades eléctricas, mag- néticas y Opticas de los maicrisles dependen también de su tamafio de grano. En consecuen- cia, en el procesamiento de esos materiales se debe poner atenciGn a factores que afectan las velocidades de difusiGn y el crocimienta del grano.Resumen 215 t fa) b) ie id) Figura 533: Pesos en la unién por diftusién: (a) al principio, ol rea de contacto es pequeia: Ib) al plicar presiGn se deforma ls superficie, aumentando el Bren de contacto; (c a cfusidn en limites dde-grano permite contraer los hueeos,y (d) para la eliminacién final de los hueoos se requiere di- fusidn en volumen. Unidn (o seldedura) por difusién Es un proceso para unir materiales, que se lleva a ca bo en tres pasos (Fig. 5-33). El primero:hace que las dos superficies se unan a una alta tem- peratura y presin, aplanando esas superficies, fragmentando las impurezas y produciendo un frea grande de contacto de étomo con étomo. Cuando las superficies permaneoen comprimi- das entre sf 4 temperaturas altas, los toms s¢-difunden a través de los limites de grano, ha- in Ios hhuecos que quedan; los étomos condensan y reducen el tamafio de todas los huecos de Ia interfaz. Conio la difusi6n en limites de grano es répida, este segundo pasa puede suceder con mucha rapidez. Sin embargo, al final el crecimiento de grano aista los huecas restantes de Jos limites de grano, Paru el tercer paso, a climinacidin final de los huecos, debe haber difu- sign en volumen, que es comparativamente lenta. El proceso de unin por difusicm se usa con frecuencia para unir 0 soldar metales reactivos como titanio, o metales y materiales distmiles, yy para unir cerdmicos. a { El flujo neto de stomos, iones, etc., producide por la difusiGn depende del gradiente -cial de concentracién. La cinética de la difusién depende sensiblemente de la temperatura. En general, la dift- sin es-un proceso-térmicamente activado, y la dependencia entre coeficiente de difusién, y temperatura se obtiene con la ecuacién de Arrhenius. » El grado de difusidn depende de la temperatura, el tiempo, la naturaleza y la concentra- cidn de la especie que se difunde, as{ como de la estructura cristalina y la composicién de Ja matriz, de la estequiometria y de los defectos puntuales, “> LaactivaciGn o limitacién del proceso de difusiéa som la base de muchas tecnologéas im- Portantes. Algunos ejemplos son: e! procesamiento de semiconductores. los tratamiento \térmicos de los materiales metilicos, el simerizado de los cerdmicos y de metales en polvo, Ja formacién de materiales amorfos, Ia solidificacién de materiales Fundides durante un procese de colado, In adherencia por difusidn, los plisticas, peliculas y reevbrimientos que actéan como barrera. » También las fuerzas magnéticas, eléetricas, de convecciGn o electroquimicas pueden cau sar el movimiento de particulas de otras especies, como por ejemplo, los electrones 0 los hmecos. A esos movimientos se les llama arrastre 0 deriva. La tecnologia de baterias, 1a216 CAPS Movimientos.de stomos y tones en los materiales electroforesis, la electrodeposici6n y el funcionamiento de dispositivos semiconductores: (Como transistores) emplean el arrastre de especies diferentes, » Las leyes de Fick describen en forma cusntitativa al proceso de difusiéa. La primera ley de Fick define la relucién entre el gradiente del potencial guimico y el flujo de las es- pecies que se difanden. La segunda ley de Fick describe La variacidn de la especie que se difunde bajo condiciones de difusién en estado no estacionario. » Para determinado sistema, la cantidad de difusidn se relaciona con el término Dr, Es~ tc término permite determinar el efecto de un cambio de ternperatura sobre el tiempo re querido para un proceso controlada por difusié, > Los dog mecanismos importantes del movimiento stémico en los materiales cristalinos. son la difusién de wacancius y 1a difusién intersticial. Les dtomos. sustitucionales en los materiales eristalinos se mueven por el mecanismo de vacancias. »» La velocidad de difusin esta determinada por la relacin de Amhenius: esto es, la veloci= dad qumenta en forma exponencial con la temperatura. La difusidn tiene especial impor- » La energia de activacién @ describe la fucilidad con que se difunden los dsomos; la difusidn répida sucede cuando In enengfa de activacién es baje. Una energia de activacidn baja y tuna velocidad de difusién alta se obtienen en 1) la difusion intersticial, en comparacisn ccon difusién de vacancias; 2} estructura cristalinas con menor Factor de empacamiento, 3) materiales con haja temperatura de fusién a enlace at6mico débil: y 4) difusién a to. largo de Himites 0 superficies de gran. + Elmovimiento total, 0 flujo, de los dtomos, aumenta cuando se increments el gradiente de ‘concentracisn y lu temperatura. > La difusién de iones:en los cerdmicos suele ser mds lenta que la de dtomos en materiales metilicos. La difusion en los cerimicos también es afectada significativamente por ls falta de estequiomenra, los dopantes y la posible presencia de fases liquidas durante el sinierizado. > Se pode medir In difusién en polimeros midiendo su permeabilidad. Los polimeros se usan como capas de harrera en muchas aplicsciones, como por ejemplo, en la industria ali- menticia, las fibras Opticas ¥ los componentes microelectrdnicas, > La difusién de somos es de primordial importancia, porque muchas de las téenicas de procesamiento de materiales cequieren difusién, como sinterizado, metalurgia de polvos y adherencia por difusién, Ademis, muchos de los tratamientos térmicos y de los mecanis— 10s de refuerzo para controlar las estructuras y las propiedades en los maieriales son pro= ‘esos de difusin controlada. La estabilidad de la estructura y las pcopiedades de los materiales al usarlos a altas temperaruras dependen de la dif Arrastre 0 deriva Movimien de electanes. buecos, ines 0 particulas, como resultado del gradien- te de temperanura,« del-campo eldctrico 0 magnético. Autodifusién Movitniento ateuterio de somos denice de us matertal eseacialmente puro, Nose pro- dace un cambio acto de compenicidn Comentacién o carburacién Tratumiemo wfmico para endurecer la superficie de aceros mediame lana fuente gaseoss o xSlida de cacbono, El carbone que se difunde hacia a swyperficie Ia hace mis du- ‘ay mis resisteote a la abrasi,Glosaria 217 Ceramicas conductores Materiales cermicos buenos conductores de electricidad, gracias 4 sus Portacores de carga iGnicos y electrénicos (electrones, huecos © jones), Como ejemplos de esos mate Fakes estin la irconia estabilizada el dis de estaioe indio, etter, Coeficiente de difusién 1D) Coeficiente que depende de la temperatura; se rebacions con la rapide coe que se difunden somos, ones otras especies. El eoeficiznte de dfusiéa depend de a temperatura, In camposicién y la microestractura del material anfitri y también de la concentraciém de la especie ue se difunde. Crecimiento anormal de grano Clase de-crecimiento de grano que se observaen metales y ceri- ‘micas, En este modo de crecimiento, suele producirse una ditribuciée de grana bimodal, ya que algunos. rans se-vuelven muy grandes a expensas de los granos pequetios, Véase Crecimiento de grano y ‘Crecimiento normal de grave, Crecimiento da grane Movimiento de limites de grano por difusiGn para reducir Ia cantidad de frca de linite de grano, El rsa € qt Tos granos pequcis ve encopen y desaparecen, y oon gra se apron, forma parecida a como ls Burbujas en la espuma de jabcn se agrandan a expensas de las més pequetias. En muchos casas, no se desca que haya crecimiento de grana. Crecimiento normal de grano _Crecimiento de grano que se hace para traiar de reducr la supedti- ie de limites de grano. Esta clase de crecimiento de grano se debe distinguir del crecimiento anceral de prao, porque La dstrbucide de tamafis de grano permanoce unimodal, pero el tamao promedio de ‘ano aumenta en forms continua. DifusiGn Fitjo neto-de dtomos, bones u otras especies dentro de un material, cansado por gradient de temperatura y ie enocentracia. Difusi6n cuesta arriba Proceso de difusdn en el que las especies sc mueven de regiones de menor concentracién a regiones de mayor concentracidn. E proceso sigue siendo consistente com fa ley de Fick: (las expecies se difunden desde donde hay mayor potencial qumico hacia donde hay menor potencial quiimico). Sin embargo, a difusiéa es “cuesta arriba” si se comparan coocentraciones nominales ¥ no ‘potenciales quimicot. Es decir, en extecasatadifusi6aes tal que las especies se difunden de mencr enn ‘centracidn hacia mayor concentra. ancias Difuside de étomos. cuando uno sale de una posicin normal de-red para Lenar una vacaneia en el cristal. Este proceso forma una nvevavacanciay el proceso se repite. Difusidn en limite de grano Difusiin de somos 2.10 lanpo-de limites de grano, Es mis ripida que | difusioa en volumen, porque los Stamos en los limites de grano se encuentran empaquetados menos Difusion de diomos a lo largo de superficies, tales como de prietas © de Difusién volumetvies Difusidn de los stomos hacia el interior de los granos. Difusion intersticial Difusisn de d1omos pequefins de una posick interwtiial 4 otra en la estructu- rucristalina. Difusivicad Sinonimo de coeficiente de difusiéa (2). Distancia de difusiGn Distancia méxima 0 descadaa la que se deben difundi ls dtomos; con fre= ‘coencia, ela distancia ene los lugares entre las concentraciones mixima y minima del stomo que se sifunde Bopado Proceso para intraducirésomos de dopante (por cjemplo P. B)en semiconductores como ef silcio. Como precursors de dtomos de dopante que se difunden, se pueden usar fuentes sdlidas. igui- das gaseosas. Ota técnica para introducir dopantes en semiconductores es a implantacién de fones. Dopante Elemento © compuesto que se agrega en forma deliberada, por lo general, en concentra ‘clones conocidas y en lugares conocidos, para tener un efecto positivo sobre las propiedades de umCAP.5 Movimiemtos de atomos y iones-en los materiales. material. Como-ejemplos, estén el fosforo (P) 0 boro (B) ene slicfo (Sib, ool CaO ©¥,0, en la rir- comia (210, Efocto de Kirkendall Movimiento fisico de una intefaz debide a velocidades distinus de difasi6n de-lon tomas denire del material Eloctrodeposicién También referido como galvanoplasti, es un proceso para reducit iones metli- 60s.en soluciin y producirrecubrimientos metilicas en sustratos. Electroforesis Movimiento de pequefas particulas (0 de moléculas relativamente grandes) bajo un ‘campo elgericg, Las pariculas portan una carga eléciica neta, Energia de activacion Energia equerida para hacer que siceda determinada reacciéa, En ta difu- ‘56n, ta enengia de activacidn se relaciona com la energia necesaria para mover un stomo desde un sitio dered hasta ot. Flujo Cantidad de dtomos u otras especies que se difunden y pasan através de un plano de drea unitaria ‘or unidad de tiempo, Se rlaciona con la velacidad can que se transporta masa por difusin en un sdlido, Fuerza impulsora Causa que induce an efecto, Por empl, mayor gradi de potencial quiico ‘uments Ia difesicn; de igual Forma, Ia reduccida en Is superficie de las particulas de polvo es la fuerza ‘impulsora de la sinterizaciga. Galvanizado por inmersion en ealiente Pracesa en que se aplica un secubvimiento de rine, s- rmorgiendo las partes en un tao de zine fundido, El proceso se usa principalmente para estrucuras de cero, chisis de automSviles y otrs Componentes, para protegertos contr. la earrosiGn, Gradiente de concent va sli mc pen EL fle fm Hueco Particua imaginaris en in semicondictor, que representa un electron que falta, El hueee te- ‘ne una carga positiva de 1,6 10°C. Implantacion de jones Téenicu que usa Races de jones de alta energia para introducirdtomos do- antes en semiconductores. Interdifusid Difusidn de distinos stomosen direcciones contrarias. La intenfifusiGn puede tegar 8 produit una concemtraciga de equilibrie de somos dentro del maria Metalurgia de polves Méindo para producir partes metilicas monwliticas: se compactan polvos ‘metalicos en la forma deseada, la sual se calienta a continuaricn para permitir que la difwsi¢a y el sin- terizado unan los polvos y se forrse una masa sida NNitruracién Proceso en el eval se difunde nitrégeno en la superficie de un material, como acera, lo que produce mayor dureza y resistencia al desgaste, Par de difustén ‘Combinsciia de elementos que ieterviench en Jos esuudios de difusiéa: pow ejem- pl, s se considera la dfusin de Al en Si, entonces AL-St es un par de dius, Permeabilidacl Medidarelativa de la velocidad de difusion en los materiales que, con frecuencia, se aplica los plisticos y los ecubrimientos. Frecuentemenie se: usa como parimetro de disefo en inge- nieria para deseribr la eficacia de determinade material como barra contra la difusin. Plaga purpura Fomaciéa de huecos en soldaduras oro-aluminio, debida & velocidades distintas de difcsin de fas don clases de tomes: al final puede prescrtarse Ia falla de la solace. Precursor Sustaneia que se usa en procesos de Geposicvn de pelicula delgada, wos, para intradu- ir onsen en in material, Pronsado en caliente Pmcesode simerizacite efecruado bajo presiéa uniaxial, para acanzar den sdades mayeores.cupeseage e| © ayuastsar spus es np yu a7ey e| s12ysadns r|eI>ey 2punyEp 2s 2nb ouogze> (3 “oUOQED 9p uPTOs o Reoase ayeRy HUN aucrpou saz22e ap stood wf saoainpue esd oon OMOTUFEHEA, UpIEINGUED © UPDEIUBLLBD ‘wp|oguodunon ap ofou o1qure> un zon cad 28 ony end s]uSHBTesU2E3 jeUSIeUE UM 2p ANID SoM 9p OUORPI|E CMOMULAOIY UOYeRIBOANY ‘onguirur couspya odures yop 0 eumezadutsa 29 21 -aagpedd jap operas cara> “s=ynopund o souoy “sonany “Sanna ap onNeqENAOHY ‘uptsnytp ef ap Hapuadap seamnezoduten sexe Sots pe sope area 801 ap sopepaidoad sey 4 wamanais2 | 2p pEpHIGes? 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SoNUSIUNIEN So] 3p SOUL SEWIPY “uptsngrp sod wisu=LIypE soqjod 9p wifunexeus ‘opeztiawys owoo ‘eprsnyip uazembau sopeuarew 9p omtoeusesaoad 2p swavusgl se] ap sexonu entuod "wroueodun jepOWLE 2p S2 SOKO ap UOISNFIP eT “sostupnsojani5yu siitouodwio> so] K seandy seaqy sej “eISGOuE - eunsnpur | u3 ‘oydusof> Jod orae9 “souorseayde smqpracy Us era ap sede> oMOD NST 25 sarouijjod Sor] “pepryqeauuied ns opuopxU soxsuod ua UpISAyEP r] zypaw apand og << operuaiats Jp auremp sepinbyy sasey op ersuasaud sjqysod ey < ssumdop so] “emnatombarss ap warey be] 2od siuaureaneoyrodys wperayn 9 upiqurey soomtupis0 so] 9 UpISNyIp ' “sODT IAL Safeyavea ua somo ap e] anb eauD| spuL 138 Sjans SOTUNPISS Sof WS SUCH Op UDISMTP Cy “eamresdura ef £ uptrenuasu0 9p siuaipesd jo eiwauaiour 9s apwona eruouine ‘somos so] ap “Ofny o TeIOI CAUTUADUE Ta ‘ous ap s2aysadns o sony ap 0830] oj ruptsnyap (+ < :Hagp osnuore sonyus © uotsny ap tanmessdus2y wfaq woo saroHaTeUE (¢ ‘owaqureseduia 9p Je} soueu NOD SeUITESED seIMONUISS (Z SSEISUEDA ap UpySNP UO luprreumdtua9 ua “TRINSISIUT UOISAYEP RI (1 Us BIEINgO 25 EE UOISAIIP 2p PEPHIOTDs vu {Cefeq uproeanse 9p wy@ioua eur, -eleq x9 up!oeaKe ap elioua ef opuens apaons spuds ‘UpIsnyp | ‘Sono So] UopaRyp 2s anb woo PEPrTORS ] aqUISEp C) UPLIEANST 9p wIBIOUD eT teusivur ep (SU1A724 4a) UpIsNy ap esmeadusal ¥] s9004 470 anb squndew seameadw ¥ vIDUED ~roduay jepsedsa auan upysnyrp 17] wnmadwa wy uoD fopuauEdsa eULOF wo eMBUIME pep ~POFRA UT 159 OWED SeRETSyLTY Op UpENTAH UL 40d EPEUPALIZIAP FIED UDFERTP sp PEPAOOAAA ET “SeIoUEseA 9p oAUISTIRSSUL [a Jod waAanmH 35 SOUTTMSUD SoyeLSTeU 50] 19 S2]BUOIIAINENE SOMONF So7] TEIN UpIEARP v] £ SeIOUTORA op UDENETP ef BOS SOUTTRISHD SO[eUaTOU SO Ua CORTE oHUAHUTAOKE {3p sa¥MUoduNE soMUSTUEDIM SOP Sor] ‘uptsnggp 10d opeyaniuos osazosd un ried operanb -a1 odwian jo aigos eunmerediias ap orqumes un op oxsayo ja smunuoisp snuusad ouruasp) oF sq sq] OUFMUPE [2 UND eUO|DEIAA aS UDISNAAP ap pepmUTD wy “eMaNS!s opeUywIAEp esr TOURUOLIES? 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B| UOD auanGO 28 eamERAdUIAT & LUQISRyTP ap awoIsya0s anua wsMopuadap F] & “opRarse amoURO;L;N Oseaoud Un 59:UO;S “REP ¥| "eso ue] wana Bf ap ayuoUaIGISUDS opuadap UOEENIP wap FBP! FT “upyoenusow09 2p ye 10) aywoqpesd fap apuadap worsnyip of od opionpoxd “a1 ‘souor“souloNy ap iat ofniy I soomunpuao stun eed & “SoM sopeseUs X soyrioW! 6 ‘orBEYN OWIOD SoARDeAT S3feI2KH JepIOS o sun exed PISUSRAIy ‘woo esn 95 uptsnyip 20d uorun ap osaaaud rq “HuD| aimaueAneAdutos s9 anb “uounyo. UD UES AEP AaqeYy aqap ‘so2any sof ap [eUY UPL IEULUNT[D ef ‘osEd ADI [a eARY “aURI ap sanEUUL Oy ‘9p somumsau sozony so rpsye Ou ap oMuDnUnD0H9 [> py Te ‘ORMGRUD wg “ZzpEde MYPAL OD sapaans apond osed apunitas asa ‘epides 2 uns ap sonyuyy] U2 UpESAYIp k| CMO. “TEHOWU! ey 9p sozony so] sops] ap oueUIR f2 uBoNpaL X uMSUapPURD SOMO sof zumpanb nb sooanq so] PID 4 ‘ound 9p sone $0] ap span & UapUJIp ax somoNE So “seipE seiNNEodMAN € js AnD sep -futadwos usosumiued sorayzadns se] OpuEN:) ‘oMOIY UND OMCIR ap OIRIUOD ap apATEAS waIy ‘un opuaconpaud & sezamdut s¢| opueuouie,; ‘sor>tjiodns sexo opusuede “uprvaud ) @ cy gz uaunsoyrodea oo ana a [la 9 i 3B Sowa CHU 9p apond 25 wy wo-2enq uo) '6|-g Udy e| sum g]-5 sip sas anbgdya A snrUaqaTy ap BpI>ND9 RL PALSY | jG ete SOMONE aD HO ‘roox omg seramry aang gue gab ey? LS “A Uppome Hy Prruaupadrateusoy we raytan OWA? {1-5 sauo! A SOWOLE ap Pept !qeysg Z-G UO!D2e5 jrousorsou 5000 fred on souoan sa jy LONE OuNsNESGH Ap 3A 1 adn 4 d od sasranpaoapuas 50) uava 25 2 esp ey ed upesenze 3p erfEaND wp pb sey? 91-$ —opamns secon 961 SAMANDIHE SO} HRA A Uap copesAFp | 2p SomDEIUESoM SorUBEP so MOK SEND? GG “Ps BAAN gab ue ansaea anb rarenbso un Sony, 6s LUOISNyP e] ep souMNEDeYY £-5 UOHINS upg wpe ap eats oq) Up STP sod epmm se upFooRaN wy ab 6 ROMMEL OT ‘5 worn upesoeas Fy 20Ry 2s anh vos sapenbyy 40] fend opoeatax ap eiinua Fan uc. epROO| 3A FESO ap DERE U1 OpUE|NIE> “D, DOL # KD, OF rogues upyoeas wun 2p sopepopes se amd) “eon souocsnar 2p eapepriajan medi ward [urao suey u9 osm a8 STUDY Op UpIIEND FT 1g 0001 © pa =p somal =p noe fs2 EMEP 2. 009 "01 x 92 PID ts wauara00 anb par ap sound 2p wpe29uy E15 so “SHY 9p opFRDo wun ap spe TIEALUIDNe On 12 eno? jamonpMOTaRE wh wa LES ap spe ap aaseir(p {upisgmp ania rua e [9 _.sowuaRUNagng SOs Hesm 98 ap: op)? ceo ese 2p cxcomuyoaE Un 8390) 4-5 Esdaororaqde sms aos sary” jousmapnay 2157 op: cng rsa 5 99 (PRD? 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Fesascud wed wen ag PETUA| YAM BOS ELJUE 28 spndsap < oduon oY aeTEINP ey “anata eammadia wun ada 9 LEM Um anb a COMMA MARU], oprs03eH ‘onensns am any 0s uesodap 2 saouey9 3082 ap o2qup, n9puEquIOG sod sopypuaxiap suo] soy "eoylad wun RAFU an sonsandiuoo a eoMat2y2 *y 2p sHouE|g SO] <2uOH WO EHApUNAWIOG 2g “SEPEjOP sRINaffoX sD0ey EE ~ud upraesodap ap osaocud un 39" noyporea powOUEAD, RPL UPI, e>!POLES UEIDERU—AINA “snoidonost sapepaydaxd X see Cau sapeprstap s202\q0 Ese wsn 36 ossoaud aes ‘OpeiUN fo sEINP opps opal wun nogde os anb 9 wo OpIIEENUp ap OHaDU -SLUEY|ED UB OOLFISOS} PETA BLE poMov2yp0 woroeunoymy‘que la suodifusign de Si. {Qué indica eso acerca de los mecanismos posibles de difusida de estos elementos? 5-19 De sewerdo com Ia figura 3-19 jeufl es el mecanis- ‘mo més probuble-de la difusi6n para Ni, Cu y Hea siligio? ‘Temperatura (°C) 13001100900 800.700 600 500 D (cms) 1o-!4 10-16 10-18 Figura $-19, (Repetida pera los problemas 6-18, 6-19, 5.21, 5:22 y 6-23). Coeficientes de difusion para distintos, dopantes en silici, (Fuente: tomado de “Diffusion and Diffusion induced Defects in Silicon, por U. Gésele. En R. Bloos, M. Flemings y S. Mahajan (Eds.), Encyclo pedia of Advanced Materials, vol. 1. 1984, p. 631. fig. 2. ‘Copyright ® 1984, Pergamon Press. Repraducido con 520A veces In energia de activacvn se expresaen eV/ ‘toro, Por ejemplo, vése la figura $21 que use los coeficienes de difsién de iones en distnios xis. ‘Convierta eV tome en joules /mol 521 5.22 5-23 6.24 525 5:26 Problemss 22% Calcul a energa de atvacién de adits de Pen Si Fig. 519), Calcul in energa de actvacia del dfs de B en Si. 5.19). Clea a enenpla de activin dea difusin dH. on Si Fig. 5.19), El coeicent de dfsion para Cr"¥en C2,0, e56 x 10° erm? /s 727 °C. y 68 1X 10°? m/s a 1400 *C.caleule ») tn enegin de asivacin y ta constante By. El coeficemte 6e cifusiin para O-! en Cr, O, es 4510-4 cam fx a 150°C y de 6 % 10" cj a 1715 °C. Calle 2} Ih energia de arivacidn y ta constante Do. Sin ver los datos eles puede sted pronasticar i a ener de activacin par I dfmidn de exrbooo en hicrro FOC seré mayor © menor que en hier BCC? Baplique gor qué Coa fos datos de coefciemies de dfn de dstimos iones en Gxidos (Fig, $21, calle Ia ener de ac- tivacin paca La difusin de O- en zirconia estab radacon éxido 8 calcio (CaO). Suponga que el CaO feet en por cleat mol Seccitn 5-5 Velocidad de difusion (primera ley de Fick} 5-28 529 5:30 ven fro primero on experiment inlaid de lentes de contacto en ojos bumanos? scribe Ia primers ley de Fick dela din. xpi que con sided ud sgficn can uemian. 2Cul sla ciferencia entre ifusvidd y coeficieme de isin? Secci6n 5-6 Factores que afectan la difusion Bat 532 533 534 Encriba la ecuaciin que describe la dependencia de Dy ‘especto a la temperatura, Explique en forma breve la dependencta de 2 respec- 10 a la concentrackin de la especie que se difunde. ‘2Qué significa el término “ 10° cm/s a una temperatura de 1100 °C: Supan- ‘ga que la fucrne proporciona wna concentraciéa super ficial de 10" somos ‘sm? y que el tempo de difusiea cs dos horas. Suponga que Ia obles de silicio no contie- ‘ne P al principio, Calcule las concentraciones de P a rofundidades de 0.5, 1.0 y 2.0 micréametros. La condctividad eléctrica we Nia,0,, 5 8 1077 olin! em-!'s 40°C y es LX 10-7 ob? cm“! a 900 °C. Determine ta energia de activacisn que con- {rola la dependencia de la conductvidad respecto In temperatura. Explique el proceso por el cual fa tem= perstura control la conductividad, (Compare la velocidad con que se difanden tos iones coxigene ef a alémina (Al,0,) con la velocidad con que se difundes los iones aluminio en la ALLO, a 1500 °C. Explique la diferencia, Compare fos coeficientes de difusién de earbono ea hiero BOC y hierro FOC a la temperatura de (rami formacidn alotrdpica de 912°C, y expligue la dife- rencia, Compare lox cocticientes de difusiGn de hidedgenc nitrdgeno en hiera FOC « LOO °C y exptique lad ferencia entre Jos valores. {Qué es cememacion? Explique por qué se esper gue este proceso cause un aurnenio-en la dureza de la su Perficie de los acerus al carton simples. {Qué es el eatamicnto eemico de nitruracton? Determinado componente mocinico se debe watar \érmicamente por cementacidn. Un problema venice: ‘comin es gue se debe maquinar cierts parte del com- oneste, ¥ esa parte no se debe endurecer. Expligue ‘come lngrarexte abjewvo, Se hace un proceso de cenientacién en ua accra con 0.105% de C, introduciendo 1.Df% de C en la super ie, a 990 °C, cuando el hierro es FCCC, Caleule el contenido de carbono-a. 0.01 cm, 0.05 em y 0.10em ‘najo In superficie, después de wna. ra. Se calicnta a 912 °C hhcrro que contiene 0.05% de C, dentro de una aiemésfera que produce 1.20% de C en 568 5-69 570 en 572 B74 5-75 5-76 57 la superficie, y se mantiene asf durante 24 horas, Cal eel contenido de carbone 4.0.05 om bajo:la supert. asd 8) el hieero es BOC 3 bj el hiero es FOC. Exphique la diferencia, iQue temperatura se requiere pars obtener 0.50% de Ca 05 mm bajo a superficie de un acero con 0.20% eC en dox horas, cuando hay 1.105 de C en In perficie? Supoaga que el hero es FCC. Se-vna cementar un acero eon 0.15% de C a 3100°C, para obtever 0.35% de a I mim bajo la superficie. Si Ia composicién se mantiene a 0.91" de C en Ia super- Ficie gque tiempo se require? Se va cementar un ssero con 0.02% de C 2 1200 °C fen cuatro horas, para que un punto que esté 0.6 mm. ‘naj la superficie aleance 0.45% de C. Calcule el con- tenido de eazboau necesario en In superficie del acero. Un acero para herramicatas con 1.26 de C se mantic ne 2 1150 °C expueste soxigeno durante 48 horas, E) comtenido de cartoon en la superficie del hier et ce ro. jA qué profundidad se descarburimard el acero a menos de 0.20% de-C? Un acero com 0.80% de C debe funciomar 8 950°C en un ambicnis exidante, dande ¢] contenido de carbono en Ia superficie del acero es cere. Slo los 42 cm de In pare externa del acero pueden bajar de 0.75% de C. gC es f tiempo mximo a la que puede operar 1a pane de acero? ‘Um acero con estructura cristafina BOC qoe consiene 0.001% de N se nitrura.n $50 °C durante cinco boras. Siel contenido de nitrdgeno en lu superficie del ace- ro es 0.08%, determine et contenido de nitnigeno & (0.25 me de ta superficie. {QWE ticmpo se requicre para nitrurar un acero con (0.0025 de N para obtener 0.12% de N a 0.002 pulg Ijo la superficie st ef tratamiento se realiza a 625 CPE contenido de nitrégene en contacto com ta fu perficie es 0.15%. Se puede hacer ‘un buen tratamiento térmico de ce meniacién a 1200°C durante una hora. Para tratar de reducir el costa del forrorefractariodel har, se pro pone reducir la temperatura de cementacion a 950 °C. {iQue tiempo se necesizar para obtencr una cernenta ‘cide equivalent? (£QU6 significa “efecto Kirkendait™? ..Que significa “plaga parpora”?5-39 Bas Baa 545 546 ‘Compare tos cveficenes de dissin de oxigen en sakisina ionocritl y poliristaliaa (Fig. 5-20). Qué ‘se puede decir sobre el mecunismo de diftusién de jones esos materiales, com base en la iferencia en est08 wakes? Enos sitios, el proceso de ta difsiéa de fiomos y de tones es tardado. Explique cénmo se aprovecha esto pra rmoldear Ios vidrios meadlicas. Por qué bes vidrias inorginicas se farman en ua en- famicnto reltivamentelentn de Tas massa fundidas, miemtas que es necesaria una soliificacida répida para formar vidios metlicos? ‘Una lea de silicide 0.2 mm de espesor se tata tal redo que se prodace un graiiente uniforme de comeen= tracign de antimonio, Una superficie convene un siormo de Sb par 10" suomos de Si Ia cra entiene SOD sio- ‘nex de Si por 10" sterons de Si. El parker de red del Sis 5.407 A (apitsdice A). Caleale et gradiente de conoentracin en 4) porcentse amin de Sb por cm y bb) stoenon de Sb S22. Cound se soliifica una aleaciSa Co-Za, une pate de ln estnactur contiene 284 stimico de ane y ca parte, 0005 aa de distancia, costiene 20% atimico de "in. El parmetro de red de tn akeacién FCC es apron: rmadomeate 3.63: 10° cm, Determine el grasiene de concentacin en 8} porsentaje atdeico de Zn por em: 1) porcentaje en peso de Zn por cm y ec} stomos de Zn SEE Para separar un gus con mucho hidrigeno de wa gas con poco hidiigena, ambos 4 650°C, se usa‘ hoja de bierra BCC de 0.001 ply. Ea un lado de la hoja hay 45% 108 daomos de Hem" en eqilibro, en el oo hay 2% 10 éeomos de Hjem? Determine 2) el gradiente de concentraciOn de hidrégeno y b) el flujo de hice'gene a través de la Bry, Se usa wan Katina 1 sen de hier FOC pam cone er arigeno en un imereambiadr de el 1200 °C La cancenzacién de N en una supers os OO de ‘ommcs yeaa segunda superice es 0.005 de nmos Determine «fsa del ntrigeno «wads de abo, en ‘atoenos de N em*-s. ‘Un reciente esitrice de hierro BCC tiene 4 cm de metro y 0.5 rum de eapesor de parody contcne i- txdgeno 2 100 °C. La conccatacida en Ia superficie interns es 0.059% de Sms y en la supericie extera + 0.002% de dhomos. Cacule Ia canta de gramos ‘que saten del reipiente por hort 5-47 548 Probiemas 223 Se debe fabricar una. evrueura de hier BCC que ‘permite wa paso radseno de 0 g de hidesgte0 pot ato por cada centimetro cuadrado de hierro a 400°C. Sila concentracidn de hidinigeno en una superficie es 0105 fecmmo de H por celda witty es 0.001 Sioeuoe ‘Ge H por celia unitaia en la segunda superficie, calow- Teel expesor minimo del hier. ‘Caleule a temperatura maxima admisibie que peo- dunca vn flujo de:menos de 2000 dtomos de Hem. 5 atraves de una hoja de hier BOC, cuundo el gradien- te de concentracién es ~5 x 10". (Obsérvese el Signo negativo del fo) Seccion 6-7 Permeabilidad de los polimeros 5-49 {Qué son los polimeros de barrera? 5-50 551 652 5.53 ose LQvé pardinetra define las propiedades de barera de tos poifmeros? {Qbé facrares, ademés de la permenbilidad, tienen Imponancia en a welecciGn de un patimera pars fabei- car botelins de plistico’ PET amorfo es més permeable al CO, que el PET (que eontiene microcristalitos. Explique por qué Explique por qué wn globo de hule leno caa helio se desinfla al paso del erpo. En comparaciin con los globos-de hue gpor qt tos ‘slobos de Mylar ™ ve desiaflan con ands lent’? Seccién 5-8 Portil de composicién (segunda ley de Fick) S55 Una ables de silicio (Si) e 2 maa de espesor se via a dopar con amtimonie (Sb). Suponga que la fwemte de dopante (mezcia gascosa de elorure de aatimonio y ‘tro gases) proporciona una concentraciGn const te de 10 tomas se Sb fm. Si se necesita un perfil de dopant tal que la conceatracion de 5b & una prfua- dnd de uo-micrémetro sea 5 10 dents? jcuil serfi él tiempo: del tratamiento de difusiin? Suponga ‘que ln oblea de silicio no contiene impurezas ni do- antes originulmente, Suponga que ln energia de a tivacién para la difusiéa de Sb em elsilicko es 380 I /mol y que D, para ix difusiéa de Sb en Si es 1.3 x10 m/s. ‘Se wata de dopar galio (Ga) en Si, Supanga que el coeficinte de difusién del galio (Ga) en Si a L100 °C 8.7 X 10° cm"/s. Calcule la concentraciéa de Ga an profundidad de 2.0 wdeedanetros st la concentra cin superficial de Ga ex 10° Sarnon de Gem. Low biempos de difusion som 1, 2y 3 horas.S99 cl valor de ta funci6n de error que usted necesita y el valor de Ia foncida que se calculd en forma aproximada. Difusidn de dopantes en semiconductores. Desaero- Ue um programa de computadora que pida a! usuarie la concentracién del dopante en la supecfice. A con Uinwacidn, debe pedir el cueficiemte de difwsién y wn Problemas 227 valor de temperatura, Después. en forma pareci at problema anterior el programa debe pooear un pes+ fil de concentraciones del dopante difundido en fun- cide dela peofondidad. para determinade tempo. El programa tumbi debe calculrcudntoitnpa se ne- ‘cestarin para obtener cera concentrate de dopan- tea dewerminada profndidadSe muestra un precipitado de Al,MgCu en la interfaz de una matriz de aluminia (izquierda superior) y una fase de Al,Li (derecha infe- ior}. Los étomos individuales én cada fase se ven con microseopia de resoluciin atomica, Precipitados como éstos pueden aumentar en forma importante la resistencia de muchas aleaciones, sin afectar su densidad. (Cortesia de V. Radmilovie y de G.u. Shiftiet, Universidad de Virginia.)cAPHTULOS oy __-ontrol de la CAPITULO S sooimie ‘Mmicroestructura rua la propiedades sdefeseonserc — mmecanicas de+ age Capitulo(sotewy Ausep op e7seu0) “ouogied op eigy UdD Sopeziajes SarsendwOD sajeysyew A june ep sauopeeye Uesn ‘exswnus 85 be anb je GUNOD ‘SAUOEAE AO] |g eanbuy [Pouca sopeuaqeurso7]epmnaope noruysoUr ouaySESA wu J3U} wOqIp UPAGuAR “yD ‘ostd “SMA “IPA ‘soqm 9p upieeougey ezed sosnseyd so" “Popundas oj oxfyad uo seuEd wis amunsuo> uepond ‘3 anb tum omoo epemsape eisuats|say'y] 15uS| uaqap “saIUONd K SOISYEPO Us OWS ‘EMITS ep upI2OALIsUOD K] UA sopRaydua sous. sor] “(1-9 “BEY) afq!Depaad « ose] OpoLiad un sueINp ‘sean seovupsour sulle snstsas wogop. A soquastsox ‘souD81] 495 uoqop “SOUOIA 9p S97 odio ezed sopesn ‘ouoger2 woo sopeziojar sowsondwo9 sojeuoIet soy o-ofumUINye 2p Sau ope st] 'seuoae ap uotoReaUgR; RI uD ‘ofduuo(o ang isn 95 onb sayetavM So] op stoRTR ION ‘sapepardand sey ua gedeaury 200q 25 ‘pepitenice ea soiuaiiowia seoqousa se ap seySnuy Me Rab Rai {#91 opunw je ue seuororoyde ap O14 wala uo aun! upsq}osep 68 soidaouoa 0183 “SEpEps!dold Sese ep SEYONW JeN|EAS e1ed URSN ‘ae onb oAesus 9p 8021899 SeiUa}LNpeD0ud s0 op ‘SounBje sowaresing upiquve “ne ‘ejoueny “eBnE) “eamae4, e| © peppeus} ‘uppeuio}ep 9p zapydes "pepionsejsoasia ‘eonserd A eanse1@ UoiseUNoJap “USIDBWJOLOP ‘OZJONASe ‘eZGINP OWOD sOrIEEq ‘Soujuiugy sowesepucsdy se) upd9w sapepeidaud apiueaaw oWa/WepOd OD A sop \9 88) UO Sopepose SoD/Seq SoIdaDUDD So| JES “Bad $8 OYNYDED OYSe OP jediaUUd OYeIGO [3 “auesip 9p saio1sa A seliqep seyoew 94 BUY B88 & UOIBANQ\aUOO VeIquIe] and Opes -sowep ey saiopeBasanuy sounByy [¢’z}enbnq 19P 09889 [ep ee) ef @ UoseAnquaueD anb seu -o108) uosan, “sefeq sesmerodusay @ opoawos |e ‘oueoe 888 ep uorseriBey €] A uOIeDLiqes | UOd SOpesose SoUOTYse so] A QUE! [9 UO OpesH Os -208 Jop eqWH!Nb upFaJsodus0 @ enb opeissowep doi 8 dW cee righted materialdemostrado que la composicién quimica del ace- ro usado en el Titanic y los esfuerzos asociados con la fabricacién y la fragilizacién de ese acero, al someterio a temperaturas bajas, fueron facto- Fes que contribuyeron a la falls del casco del buque.|2,3] Aigunos investigadores han demos- trado que también contribuyeran a esa fala re- maches débiles y errores de diseAo. EI objeto principal de este capitulo es pre- sentar los canceptes bésicos asociades con las CAP.6 Propiedades y comportamiento mecénica propiedades mecdnicas. Aprenderemos términos basicos como dureza, esfuerzo, deformacién, deformacién eldstica y pléstica, viscoolesticidad, rapidez de deformacién, tenacidad a la fractura, fatiga, fluencia, etc. También revisaremos algunos: de los procedimientos basicos de ensayo que se usan para evaluar muchas de esas propiedades. Estos concepts 8¢ describirén junto con ejem- plos de aplicaciones en el mundo res 1 igtastomet EM En muchas de las tecnologias emergentes en Ta actualidad, se hace hineapié en las propiedades ‘mecénicas de los materiales que 3¢ usin. Por ejemplo, en la fabricacida de aviones, ls aleacion nes de aluminio o los materiales compuestos reforzaos con earbono, usados para compo- nentes de aviones, deben ser ligeros, resistentes y deben resistir cargas mecénicas cfclicas durante un periodo largo y predecible (Fig. 6-1). Los aceros empleados en la construccidin de estructuras, como en edificies y pueates, deben tener Ia resistencia adecuada come: para que se puedan constmir sin poner en peligro Ia seguridad. Lox plisticos para fabricacién de tubos, vile ‘vulas, pisos. et. también deben tener una resistencia mecsnica adecuada. Los materiales como el Figura 6-1 Los eviones, como el que equi se muestra, usan aleaciones de aluminio y materiales, compuesins reforzsdos con fibre de carbono. (Cortesis de Getty ImagesInportancia tecnoligica 233 Figura 62 Los mataraies que se usan en los equipos deportivos deben ser ligeros,rigidos, ‘enaces y deben resistir impactos. (Corresia de Getty Images. _grafito pirlitico © las alesciones de eobalto, cromo y tungsteno, que se usan coma pritesis en vlvulas cardiacas, no deben fallar|4] En forma parecida, el desemipeio de las pelotas de beis- bool, Jos palos de cricket, las raquetas de tenis, los palos de golf, los esquis y demi equipo de- pportive no sélo dependen de la resistencia y cl peso de los materiales que sé usan, sino también ‘de su capacidad para funcionar bajo una carga de “impacto” (Fig. 6-2). Es fil apreciar la im- [portancia de las propiedades mecéinicas en muchas de estas aplicaciones a “cargas dindmicas,”* En Jos capitulos 1 y 2 aprendimos que se usan materiales disefiados avanzadios en tecnolo- .2ias basadas en propiedades electronicas, magnéticas, Gpticas, biolGgicas y otras mds. En la ‘mayoria de esas aplicaciones, también las propiedsdes mecénicas del material desempesan un [papel importante, Por ejemplo, una fibra éptica debe tener cierto gradi de resistencia para tole- rar los esfuerzos que encuentre durante su aplicacicn, Una aleacién biocompatible de ttanio para un implante de hueso debe tener fa suficiente resistencia y tenacidad come para sobre- ‘vivir sin fallar durante muchos afios en el cuerpo humano, Un recubrimiento resistente las rayaduras, sobre los lentes Gpticos, debe resistir la abrasién mecénica, Una aleacién de aluminio ‘9 un sustrato de vitrocermica usados como hase para fabricar uniddaes de disco duro debe tener Ia suficiente resistencia mecdnica, para que no se rompa o agriete durante un funciona- :miento que requiere la rotacién a alias velocidades. De igual modo, los paquetes electrsnicos ‘que se usan para guandar chips o micracantroladores de semiconductares ¥ las arquitecturas ide pelicula delgada formadas sobre el chip semiconductor deben resistir los esfuerzos en- ‘contrados en diversas aplicaciones, asi como los que se presentan durante el ealentamiento { enfriamienta de los dispositivos clectrénicos, La robustex mecdinica de los dispositivos pe- ‘queiios preparndos con sistemas microelectromecénicos (MEMS, por sus siglas en inglés) y ‘en nanotecnologia tambien es importante. El vidrio flotado de los automeviles 10s edificios debe tener suficiente resistencia mecénica y contra el astillado. Muichos componentes disefia- ddos con plisticos, metales y cerdmicos no sélo deben tener la tenacidad y la resistencia ade- cusdas a temperatura ambiente, sino también a temperaturas relativamente altas y bajas. Lo ‘que queremos decir es muy sencillo; las propiedades mecénicas de un material y fas de un ‘componente son criticas en muchas aplicaciones en las cuales lo principal en el funcionamien- to pueden ser las propicdades electrénicas, pticas, magnéticas, binlégicas u otras més, Para aplicaciones sujetas a cargas dindmicas, se seleccionan materiales disefiados compa- rando sus propiedades mecdnicas con las especificaciones de disefio y Ins condiciones de servicio necesarias en el componente. El primer paso en el proceso de selecci6n requiere un234 CAPE Propiadades y comportani canicn sandlisis de ta aplicacion del material, para determinar sus caracteristicas ms importantes. {Debe ser resistente, rigido 0 ddctil? ;Se someterd a una aplicacién donde se presente un gran esfuer- 220 ovtina fuerza intensa repentina, © gran esfuerco a temperatura clevada, 0 estuereas cilicos, ‘0.2 condiciones comrasivas o abracivas” Una vex conocidas las propiedades requeridas, se pe: ide hacer una selecciGn pretiminar del material adecuada usando diversas hases de datas. Sin ‘embargo, se-debe conocer cio se obtienen las propiedades que meestra.el manual, saber qué ssignifican las propiedades y darse cuenta de que las propiedades que aparecen se obtienen en rensayos idealizados que podriin no adecuarse en forma exacta 2 las aplicaciones técnicas de I vida real, Los materiales-com la misma camposicion quimica y otras propiedades iguales pue- den fener propiedades. mecanicas muy distintas, dependiendo de su mictoestructura. Ademnds, tos cambios de temperatura, la naturaleza ciclica de los esfuerzos aplicados, los cambios qui- micos.eausados por oxidacie, carrosién 6 erosidn, los cambins microestructurales debidas & a temperatura, el efecto de pasibles defectos introducidos durante las operaciones de maqui- nado (rectificactén, soldadura, corte, et), otros factores, también pueden tener un gran efec to sobre el comportamiento mecénico de los materiales. Un ingeniero competente y profesianal -conocerd esas posibilidades y podré tenerlas en cuenta, junto: con la. seguridad, costo, impacto ambiental y otros requisites, al disefar y fabricar distinins componentes ‘También se deben comprender las propiedades mecénicas de los materiales, para que se poedan procesar y ob(ener formas tiles. empleando técnicas de procesamiento de materiales. El procesamiemto de materiales, como par ejemplo, el usa de-aceres y plsticos para fabricar carrocerlas de automévil, requiere una comprensidn detallada de Ins propiedades mecéinicas de los maueriales a distimas teraperaturas y condiciones de earga; por ejermplo, el compertamien- to meeénico de los aceros y los plisticas con que se fabrican articulos tales como carrocerias setodindmicas para avioméviles, Una de las razones por las cuales los aceros se trefilan, laminan, forjan, extruyen y estampan, igual que muchas otras alesciones, eslentindolss primero a alias temperaturas, es que se vuelven dictiles a esas temperaturas. De igual modo, se usan cambios favorables en las propiedades de plistiens y vidrios durante su procesamiento para blener formas distintas (ooend las fibeas épticas. En tas siguientes secciones, deseribiremos las propiedades mecinicas de los materiales, Definiremos y deveribiremos diversos Lérminos para describis las propicdades mecSnicas de Jos materiales disefiados. También se describirin los distintos ensayos con que se determinan las propiedades mecsinicas de los materiales. 62 —_Terminologia de les propiedades mecanicas Hay distintas clases de fuerzas 0 “esfuermns” que se presenian al tratar las propiedades mec nicas de los materiales, En general, se define el esfuerge come una fuerza que acta sobre el Grea unitaria.en la que se aplica. Ea la figura 6-a)} se ilustran los esfuerzos de tensidn, com- presidn, corte ¥ flexiéa, Ls deformaciém unitaria se define como el cambio de dimensiGn por unidad de longitud. EI esfuerzo se sucle expresar en Pa (pascales) o en psi (libras por pulgadas cuadradas, por sus siglas en inglés). La deformacidn unitaria no tiene dimensiones an frecuencia se expresa en pulg/pulg o en cm /cm, ‘Al describirel esfuerzo y ladeformacién unitaria, es dil imaginar queel esfuerzo es la com sa ¥ 1a deformacién unitaria es el efecto. Normalmente, los esfuereos de tensiéin y de corte se representan con fos simbolos o-y r, respectivamente. Lax deformaciones de tensién y de cone: se indican con los-simbolos e y y, respectivamente. En muchas aplicaciones sujetas a cargas di- rnimicas, intervienen esfuerzos de tensiGn 0 de-compresién. Los esfuerzos coriantes 0 de ciza- llamientn, se suelen encontrar en el pracesamiento de materiales en wicnicas como la extrusican de polimeros. También se encuentran en aplicaciones estructurales, Obsérvese que aun un €s- fuverzo tensil simple, aplicado en una direccidn, causa un esfuerzo cortante en componentes con ‘otras direceiones (purecido al Caso desert en la ley de Schani, capile 4),Terminalogia de las propiedades mecénices 235 Esfucreo —= Deformacién unitaria & —e (b) Material elstico (@) Material no lineal Figura BI (a) Esfuarzos de tensién, compresién, cortante y flexion. (b} Definicién del médula de Young para un material eListico. (c) Para materiales no linesies se uss Is pendiente de una tangente como variable que reemplaza el médulo de Young, que es constente. La deformacién (unitaria) eléstiea se define como wna deformacién restaurable debide un esfuerzo aplicado. La deformacin es “elistica” si se desarrolla en forma instantinea: es decir, se presenta tan pronto come se aplica la fuerza, permanece mientras se aplica el esfuer- 170 y desaparece tan pronto como se retia Ia fuerza. Un material sujeto 2 una defoemaciGn elistiea no-muestra deformacidn permanente: es decir, regresa a su forma original cuando se refira la fuerza oel esfuerzo. Imagine que un resarte metillco rigide se estira una cantidad pe- (feta y entpanes so mucli, Sl egress com ropes wnat dioeasiones originales, i deform ci6n que se produjo en el resorte era eléstica. En muchos materiales, el esfuerzo y la deformaciéa elisticos siguen una ley lineal, La ‘en Ia porcion lineal de la curva esfuerzo contra deformacién unitaria a tensién de- fine al médula de Young o médulo de elasticidad (F) de un material [Fig. 6-3(b)]. Las uni- dades de E se miden en pascales (Pa) 0-en libras por pulgada cusdrada (psi), las mismas que las del esfuerzo, En los elastémeros se observan deformaciones elisticas grandes, como-en el hu~ Je natural o las siliconas, donde la relacitn entre esfuerza y defarmacign eldsticos no es lineal, En ellos, la-enorme defarmacidn elistica se explica por el enredado y desenredado de mo- léculas semejantes.a resories (capitulo 15). Al manejar esos materiales, se usa la pendiente de la tangente-en cualquier valor determinado del esfuerza 0 de la deformacisn, y se le con- sidera como una cantidad variable que reemplaza al médulo-de Young [Fig. 6-3(b)]. El inverso del médiulo de Young se Hama flexibilidad (o capacidad elistica de deformacién) del ma- terial. De forma parecida, se define all médulo de elasticidlad cortante (G) conto la pendiente de la parte lineal de Ta curva de esfverzo cortante contra deformacién cortante, La deformacin permanente en un material se llama deformacién plastica. En este caso, cuando se quita el esfverso, e! material no regresa a su forma original. jLa abolladura cn un suto 6s una deformacidn plistica! Observe que aqui la palabra “plastica” no indica deformacign236 CAP.6 Propiodades y comportami to mecinica en un material pléstico © polimérico, sino més bien una clase de defermacién en cualquier material La rapidez con que se-desurrolla la defarmacie en wa material se define como velocidad de deformacién (20 7, respectivamente, para Ia velocidad de deformacién por tensién y por cortante). Las unidudes de Iu velocidad de deformacién son ~', Mis adelante en este capitulo, ‘vereman que la tapidex con que se deforma un material es importante desde la perspectiva de lus propiedades mecnieas. Muchos mateziaies que se consideran dictiles se comporian como sétidos frégiles cuando la velocidad de deformacién es alts. La masilla Silly Putty®, ua poli- mero de silicoma, ex un ejemplo de esos materiales, Cuando se estira con lentitad (velocidad de deformacidn baja). el material se puede estirar grandes cantidades; sin embargo, cuando se cstira con rapide (velocidad de deformacién alta) no se da tiempo a.que se desenreden y €x- tiendan las grandes moléculas de polimero y, en consecuencia, el material se rompe, Cuando In velocidad de-deformaciin ¢& baja, a masilla Silly Putty® puede manifestar gran dctilided. (Cuando los materiales se sujetan a grandes velocidades de deformacisa, le Hamamos la car- ‘f8 que la genera como carga de impacto o dinémica. ‘Un material viscoso es uno en el cual se desarvolla la deformacisn durante cierto tiem- po. ¢l material no regresa a su forma original al quitar el esfuerzo. El desarrollo de Is defor- macidn toma tiempo, y 0 esti en fase con el esfuerzo aplicado. Ademés, cl material permanece defarmado cuando. se quita el esfuerzo aplicado (ex decir, la deformacisin es plis- {ica}. Un material viscnelistico (0 anelistico) puede concebirse como tno-cuyt respuesta es intermedia enire la de un maierial viscoso y un maicrial elistico, El téemino “anelistico” se suele aplicar en tos metales, mientras que “viscoelastic” se suele asaciar a los materiales po- liméricos, Muchos plisticos (slides y fundidos) son viscoelisticos. Un ejemplo frecuente de un material viscoetistico es la masilla Silly Putty®, ‘En un material viscoelistico, el desarrollo dé una deforiaciéa permanente s¢ paréce all ‘de un material viscoso, Sin embargo, a diferencia de un material viscoso, cuando se quita ef ‘esfuerzo uplicado, parte de la deformacisn desaparece después de cierto tiempo. La recupert- cidn de la deformaci es el cambio en la forma de-un material después de quitar el esfuerzo ‘que causa la deformacidn. Una descripeidn cuslitativa del desarratlo de la deformac fancidin del tiempo, en relacidin con-una fuerza aplicada en Jos maicriales elisticns, viseosos ¥ viscoeldsticos se moesira cn Ja figura 6-4. En los materiales viscoelisticns manteridos bajo ‘deformacién constunte, al pasar el tiempo, la magnitud del esfuerzo disminaye. A esto se le Harna relajaci6n de esfuerzo. La recupetacidn de la deformaci6a y la relajacidn de esfuerzo son términos distintos y no se deben confundir. Un ejemplo frecuente de la relajaciéa de es- furan es el de las cuerdas de nylon tensadas en una raqueta de tenis. Se sabe que la magnitud del esfuverzo, 0 la “teasiéa”, como fa Haman los tenistas, disminuye al pase del tiempo, Al tratar materiales fundidos, fquidos y dispersiones, come pinturas o geles, se requiere luna desctipeién de la resistencia al flujo 0 coerimiento bajo la accidn de un esfuer2© wplicadto, Si In relacién entre el exfuerzo aplicado y la velocidad de deformacién cortante (7) es I neal, e! material se Luma newtoniano, La pendiente del esfuerzo cortante en funcién de Ia defer- macin cortante én négimen estacionario se define como viseasidad (7) del material. El agua es.un ejemplo de un material newtoniano, La siguiemte relacién define a la viscosidad: rem (6-1a) & Las tnidades de 9 son Pa-s en el sistema. SI. 0 paises (Pa ces se usa el términa centipoise (cP); cP = 10°? F La conversidn entre estas unidades es 1 Pa- La viscosidad cinemética (v} se define camo: v=nip 1b) ‘donde la viscosidad (n) estd en poises y Ia densidad (p) estd en g/cm’. La unidad de visco- sidad cinematica ¢sel stokes (St). En la scwaciOn, Stequivate a cm/s, A veces se usa la unidad centistokes (cSt); | cSt = 10°? St Say tel iserma ops. Ave 10 P= 1000

En muchos materiales, la relacién entre esfverzo-cortante y velocidad de deformaciGn cor- tante es no lineal, Esos materiales son mo newtonlanos, La relacidn de esfuerzo en funcidn de la velocidad de deformacidn cortante estable en estos materiales se puede describir como: ram (6-2) ‘en Ia que el expanente m no es igual a 1, Los materiales no ne wionianos se clasifican como fluids por cortante (0 scudoplas- ticos) 0 en espesos par cortante (o dilatantes), Las relaciones entre el esfuerz0 cortante y la velocidad de deformacién cortante para distintas elases de materiales se muestra en la fi- _gura 6-5. Como'se muestra en la figura 6-60), la viscasidad aparente (1,,) del material dis- minuye al aumentar la velocidad de deformacién cortante en estado estactonario. Si se toma la pendiente de ta linea obtenida tiniendo el origen con cualquier punta de la curva, lo que se determina es la viscosidad aparente. La viscosidad aparente de un material newioniano pertanece: constants al cambiar la vekacidad de deformacién por cortante. En los materiales te) Esfuerzo cortante -—> Figuea 6-4 (2) Viscosidad aperente en funcion de log (cortantel (velocidad de efarmacién eortante 7) ye) Ccomportamiento de un plastica de Bingham (ecuactones 6-29 y b). Obsérvese qua en (b), el gia x 8 deformacién por cortante forma contundenie la exisiencia de una resistencia real de cedencia (que a veces también se lama esfuerzo de cedencia) para muchos plisticos y dispersignes, como las pinturas. Para demosirar la existencia de la resistencia de cedencia, se necesitan medicines separadas de es- fuerz0 en funcién de la deformacién unitaria. Para estos materiales, puede ser que una deforma- cidn critica de cedencia sea mejor para describir el comportamiento mecdnico.[5] Muchos lodos cerdmicos (dispersiones como las “barbotinas” que se usan en el procesamienta de Jos cerdmmicos), polimeros fundidos (en e! procesamiento de polimeros), pinturas y geles, asf co- ‘mo productos alimenticios (yogurt, mayonesa, catsup, etc.) muestran un comportamiento seu- daplistico de Bingham. Obsérvese que los plisticos de Bingham tienen un comportamicnter240 Ba" Elerseyo tetesion us dl daprama esterandsormactn unitang GAP.6 Propiedades y comportamiento mecanico uido por conante © seudoplistico; es decir, su viseosidad aparente disminuye al aumentar la velocidad de deformacién cortant. Los materiales seudopkisticos también muestran un comportamiente tixotrépico, como las pinturas, todos de cerimiea, polimeros fundidos, gcles, cic, Los maieriales tixotrSpicos suelen contener algsin tipo de red de particulas o moléculas. Cuando se les aplica una defor- rmacidén cortante suficientemente grande, por ejemplo, mayor que la defarmacién critica de-ce- dencia, la redo estmuctura tixotrdpica se rompe y los materiales comienzan a fluit, AI sdetenerse el esfuerzo cartante, la red se comienza a formar de nievo y atimenta la resistencia al fujo. Las arreglos de particulas o moléculas en la ted recién formada som distintos que en la red original. Es por eso que se dice que el comportamiento de los materiales tixotnpicas -dependen del tiempo y del historial de las deformaciones, Algunos materiales muestran un au- meni en la viscosidad aparente-en funci¢in del tiempo ya una velocidad de deformacién cor- ante constante, A estos materiales se les Hama reopéeticos, Las propiedades reolégicas de los materiales se determinan con instrumentos lama- dos viscastmetro o redmetro, En ellos, se aplica un esfuerze 0 una velocidad de deformacién ‘constante al material que se esté evaluando. Se usan distintos arregios geométricos, como por ‘ejemplo cono y placa, placa paralela, de Couette, evcétera. En las sigiientes seccianes describiremos distintas propiedades meciiticas de materiales solide y algunos de los métodos de ensayo para evaluarlas. El ensayo de tensidn esti muy difundido, porque las propiedades que se obtienen pueden apli- ‘carse en el diseto de distintos componentes, Este ensayo mide la resistencia de un material & una fuerza estitica 0 aplicada lentamente. Las velocidades de deformacién en wn ensayo de ‘ensin suelen ser muy pequefas (é = 10a 10-? s~"), En la figura 6-7 se muestra un ameglo menor 0”, ‘Cuando se diseftan partes para aplicaciones sujetas a cargas dindmicas, es preferible que haya muy poca 6 niniguna deformacién pléstica. En consecuencia, sé debe seleccionar un ma- terial tal que el esfuerzo de disefio sea bastante menor que la resistencia de cedencia a la tempe- rata a la que debert wiarse el material. También se puede hacer mayer la eccidn transversal del material, para que Ia fuerza aplicacl produzca un esfverzo bastame menor que la resistencia246 CAP (psi) = 40000 -== 30000 20000 10.000 a Propiedades y comportamiento mecanico t L 0.002 0,004 0.006 0.008 8 (pulgypule)—> (a) (by Figura 6-11 (a) Determinacién de ta resistencia de cedencie con 0.2% de deformacion convencional €en el hierra colad gris yb} puntos de cedencia superior ¢ inferior de un acero al bajo carbono. de cedencia. Por tra purte, cuando se desea conforma los materiales en componentes (por ejem- plo, tomar wna ldmina de acero-y formar tn chasis de autom6vil), se deben aplicar esfuerzos ‘bastante mayores que la resistencia de cedencia. Resistencia a la tensiGn El esfuerza obtenide con la mixima Fuerza aplicada es la resisten- cia la tensiém o resistencia ala tracciin (c,), que es el esfuerzo maximo en la curva esfverzo- deformacidn ingenieril, En muchos materiales ductile la deformacidn no permanece uniform En alggn punto, una regiin se deforma mis que-atras y se presenta una reduceid local grande de Ja seecidn transversal en dicho punto (Fig, 6-12). Esta regisn de deformacidn local se Hama “cwe- Ho”, Aste ferrimeno se le Llama estriecion « formacién de cuello, Como el drew transversal es ‘menor en ese punto, se necesita una fuera menor para continuar la deformacién, y el esfuerz0 ingenieri, calculado con el éres original A, decrece, La resistencia a la tensién es el esfuerzoen cl cual cortienza la estriceién en los materiales diictiles. Muchos metales y polimieros ddctiles Formacién de un cuetlo Pern Figues 6-12 Deformacién localizeda da un material dict! durante un ensayo de tensién; 6a produ- ‘68 una region de cuello, En la fotografia se observa le parte del cuello en una muestra fracturada,Propiedades obtenidas en ol ensayo de tensién 247 Materiales. 10° ‘Cerimicos Metales: Polimeros = compuestos: a = 108 se me Be 10° rm a Len | 10! Resistencia de cedencia (ME B Ol Figura 6-13 Valores caracteristicos de resistencia para diversos materiales. (Fuente: Reimpreso «do Enginearing Materials 22, ed, MLE Ashby y D.ALH. Jones, 1996, fig. €-12, p. 88. Copyright © ‘Butterworth Heinemann, Reimpreso con autorizacion de Elsevier Science) ‘muestran el fenémeno de formacisin de cuello. En el ensayo de campresicn, los materiales se tensanchan; por consiguiente, la estriccidn slo se observa en low ensayos de tensidn, La figura 6-13 muestra valores normales de resistencia de eedencia para distintos materiales sdisefiados, La resistencia de cetlencia de los metales puros es menor: Por ejemplo, los metales il trapuros tienen una resistencia de cedencia aproximada de ~(1 — 10“), Por otra parte, la re- sistencia de cedencia de las aleaciones es mayor, El reforzamienta en las aleaciones se logra ‘con los distintos mecanismos que ya se describieron, como el refinamiento del tamafo de gra- no, formacién de soluciGn sSlida, endurecimiento por deformacién, etc, La resistencia de ‘cedencin de los plisticns y elastémeros en general es menor que Ia de los metales y aleacio- nes: hasta de (10 — 100 “8). Los valores para los cerdmicos son de resistencia a la compre= sin, obtenida mediante un ensayo de dureza, La resistencia ala tensién de la mayoria de ins ‘cerdmicos es mucho menor, aproximadamente de (~100-200 MPa), La resistencia de los drios a la tensidn es de unos ~70 MPa, y depende de sus imperfecciones en la superficie. Propiedades eldsticas El médulo de elasticidad, o mcdulo de Young (E),€s la pendicnte de [a curva esfuerno-deformacién unitaria en la regi6n elistica. Esta relacién es Ia ley de Hooke-[6] Bat (6) [El middullo tiene tna relaci’n estrecha con la energia de enlace atémico (Fig, 2-26). Uta pendien- ‘te pronunciada de la gréfica fuerza-distancia a la distancia de equilibrio (0 interatdmicay indica que248 © CAP.6 Propiedades y comportamiento mecdnico ‘TABLAG6-3 i Propisdades elésticas y temperatures de fusién (de lgunes materiales Material Tce E\psi) —_Msdulo 6 Poieso (nt Po 227 20x10 945 Ma 50 65 x 108 0.29 al 680 10.0 x 108 933 cu 1085 rer x 108 036 Fo 1538 30.0 x 108 07 w 3810 592 x 108 0.28 ALO, 2020 550 x 198 9.26 SUN, 440 x 108 028 se requieren grandes fuereas para separar los Stomos y hacer que el material se estre en forma eldstica. Ast, el material tiene un midulo de elastcidad grande, Las fuerzas de enlace y, por con- siguiente, el médulo de elasticidad, suelen ser mayores para los materiales de punta de fusién al- to ttabla 6-3), En Jos materiales metilicos, se considera que el médulo de elasticidad ex una prdpiedad insensible «la microestractura, porque el valor esté muy influido por ta fuerza de los enlaces aidmicos, Eltamabo de grane u otras propiedades microestructurales no tienen un efecto my grande sobre el médulo de Young. Obsérvese que el médulo de Young depende de factores como orientacién de un material moocristalino (es decir, depende de la dircocién cristalogréfi- ca), Para los cerdmicos, el médulo de Young depend de la magnitud de 1a porosidad. El médulo cde Young de un material compuesto depende de la rigidez de los componentes individuales. EI médulo de Young es una medida de Ia rigidez de un componente, Un componente rf- sgido con médulo de elasticidad grande prescata cambios dimensionales mucho menores cuan- doel esfuerzo aplicado es relativamente pequefio y, en consecuencia, slo causa deformacién elistica. En Ia figura 6-4 se compara ¢l comportainieato elfstico del acero-con el del alumi- nia. Si se aplica un esfuerzo de 30 000 psi a cada material, el acero se deforma elisticamente 0,001 pulg/palg. mientras que-el aluminio se deforma 0.003 palg,‘palg, En general la mayo- ria de los ingenieros consideran que la rigider.es una funciéin del médule de Young y también de la geometrfa de un componente, Figura 6-14 _Comparacion del compor- tamignto eldstica del acero y del alu- rminio. Para determinado esfuerza al aluminio se deforms elésticsmente tres eves mas que et acer, 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 Deformacién (pulg/pulg)Propiedades obtenidas en el ensayo de tension 248. 108, 10 E(GN or) 101 10%} 103) Fojura 6-15 Intervelos: de médulos eldsticos para diverscs materiales (Fuente: Reimpreso de Engineering Materials | 28. od, MLF Ashby y DLALH. Jones, 1996, fig. 35, p. 35. Copyright © Butterworth-Heinemann. Reimpreso con sutorizacidn de Elsevier Science.) La figura 6-15 muestra los intervalos de médulos de clasticidad para diversos materiales. El médulo de elasticidad de los plisticas es muche menor que los de los metales, de los cerd- micos o de los vidrios. Pot ejemiplo, el médulo de elasticidad del nylon es 2.7 GPa (-0.4 x 10* prij;el médulo de las fibras de vidsio es 72.4 GPa (~10.5 10* psi). El médulo de Young de materiales. compuestos, como: los reforzados con fibra de vidrio (GFRC, por sus siglas ea inglés).o los reforzados con fibra de carbén (CFRC, por sus siglas en inglés), esté entre los valores del polimero de la matriz y de ta fibra (fibras de carbono o de vidrio) y depende de sus fracciones volumétricas relativas. El médulo de Young de muchas aleaciones cerdmicos es mayor; en general, llega hasta 413.7 GPa (~60 X 10° psi). Los cerimicos, debido a la re- sistencia de los enlaces iGnicos y covalentes, tienen los mayares médulos de elasticidad, El médulo de Poisson x: cs el cocicnte de la deformacién eléstica longitudinal produci- dda por un esfuerzo de tensién o compresién simple, entre la deformacidn lateral que sucede simulténeamente: (6 Paint CJ Para muchos metales en la regién elistica, el médulo de Poisson svele ser 0.3, aproximada- mente (tabla 6-3). Durante un ensayo de tensisn, la relacién aumenta més alld de la cedencia hasta 0.5, aproximadamente, porque durante la deformaciéa pldstica el volumen permanece ‘constanie. Algunas esiructuras interesanies muestran una relacién de Poisson negativa.[7] El médulo de resiliencia (£_), 0 drea contenida bajo la parte elistica de una curva de es- fuerzo-deformaciéa ingenieril, € la energia eléstica que absorbe un material durante Ia carga y que después se desprende, cuando se quita fa carga. Para el comportamiento elistico lineal: as250 CAP.6 Propiedades y comportamiento mecinico E, = (4)(tesistencia de cedencia) (deformacién de cedencia) (6-8) El que un resorte 0 una pelota de golf funcionen en forma satisfactoria depende de que ten- gan un médulo de resiliencia alto. Tenacidad a la tensiém La energia absorbida por un material antes de fracturarse se fama tenacidad a la tensién, y a veces se determina como el firea bajo la curva de esfuerzo-defor- ‘macidn ingenieri; tambien se Hama trabaje de fractura, En la secciGn 4-5 se definirdin el es- fuerz0 y Ia deformacién reales. Como ex mds ficil determinar el esfuerzo y la deformacisin ingenieriles, los ingenieros suelen igualar la tenacidad a la tensig con el drea bajo la curva cesfuerzo-deformacidin ingenieril, Module de Young de wna aleacién de alumina ‘Con Tos datos del ejemplo 6-1, eatcule el médulo de elusticidad de la aleacisin de alu- sminio, Use cf médulo para determinar, después de deforma, ta longitid de wha ba rTraque inicialmente mide 50 pulpadas, Supongaque ln magnitud del estueren aplicado es 30000 psi, SOLUCION ‘Cuando se aplica un esfverzo de 33.000 psi, se produce una deformacién unitaria de 10,0035 pulg/pulg, Enianees: @ _ 35000psi Module de elastickdad Cm ae 7 1X 10k pd Segiin la ley de Hooke: _ 30000 psi th 0.0003 = pulg/pule = —* 10 x 10° T= 1, + el, = 50+ (0,003) (50) = $0.15 pulg Ductilided La ductilidad mide la cantidad de deformacion que puede resistir un material sin romperse, Se pucde medir la distancia entre las marcas de calibracién cn cl cspécimen antes y después del ensayo. La elongacién parcentual describe la deformaci6n plistica permanente an tes de la falla (es decir, no-se incluye la deformacién elistica que desaparece despugs de la frac- tra). Obsérvese que la deformacién la fall es menor qué la deformacién en el punto de ruptura. l-b ‘% alargamiento = —[— = 100 69) donde {es la distancia entre las marcas de calibracin después de que se ha rato el espécimen. Un segundo método consiste en medir ¢l cambio porcentual-en el érea de la seccidn trans- versal en el punto de fractura, antes y después del ensayo, La reduccidin porcentual de dea describe la cantidad de adelgazamiento que sufre el espécimen durante el ensayo en dicho Punto: A w reducita en aca = * 100 (6-10) donde A, el rea transversal final en la superficie de tractua. ‘La doctlbded ox irpportonne tanto paca lo dinefdowcs de comnpiossahc ijl w care (di nimicas) como para los fabricantes de semiproductos (bars, varills,slambres,placas. vig I fibras, etc.) que usan procesamiento de materiales. El diseftador de un componente preficre tun mulerial que mueste por lo menos cieta Quctlidad, de modo que si el esfuerzo apicado esEsfuerzo Propiedades obrtenidas en el ensayo de tension 251 demasiado alto, el componente pueda tomar algo del mismo defarmiindose, y'no fallar por frac ‘ura frig. Los fabricantes de componemtes ingenieriles (metilicos y poliméricos) desean que el ‘material sea dictil para moldear formas complicadas sin romper los materiales enel proceso. La dluctilidad de los materiales depende de la temperatura y de la velocidad de deformacién. 5/5) Buctilided de una aleacién de aluminio 1La blesci6n de aluminio del ejempto 6-1 tiene una longitud final, después de fallar, de 2.195 pulgadas, y en la superficie fracturuda el diimetro es 0,398 pulgadas. Calcule la sductilidad de esta aleacia. SOLUCION 195 = 2.000 % de clongacisa 0 100 = 9.759% Ay 6 de reduccién en area = x 100. _ (#/syo.sns) ‘ a (/4)(0505) = 379% ‘La Jongitud final es menor que 2.205 pulgadas (véase la tabla 6-1), porque después de ‘a frnctura se recupera la deformacidin elstica. Efecto de ls temperatura Las propiedudes mecénicas de fos materiales dependen de la temperatura (Fig. 6-16). La resistencia de cedencia, la resistencia a la tensida y ef médulo de ‘elasticidad disminuyen cuando las temperatures son mayores. mientras que la ductilidad suele aumentar. Un fabricante de materiales podri querer deformar un material a alta temperatura 40000 80 ‘Baja temperatura aq 2 Alta temperatura : z z Deformacign Temperatura (°C) @ (oy Figura 6-15 Efecto dea temperatura {a} sobra la curva esfuerzo-deformacién y (b} sobre las propiedades a tensién de una sleacién de aluminio.282 CAP.G Propiedades y compartamiento mecénico do que se lama trabajo en caliente) para aprovechar la mayor ductiidad y el menor esfuerz0 necesarios, Algunas de las lectores habrin ofdo decir “calentar y golpear” 0 “galpear cuando el hierro esté caljente. 3 origen de estas frases se relactona con In ductilidad que desarrollan muchos materiales metdlicos cuande se calientan 2 mayores wemperaturas. Usumos el térming “alta tempenitura” coe uni nota procauloria. En esencia, una alta temperatura €s alge que s acerca a la temperatura de fusién. Asi, 300°C es una alta temperatura para las aleaciones de aluminia; sin embargo, 65 una temperatura relativamente baja para el procesamiento de los aceras. En los metales, la resistencia de cedencia disminuye con rapide? a mayores tempera- ‘tras, porque los materiales metilicos pueden tener menor densidad de dislocaciones y un au- ‘mento en el tamatio de grano, debido-a su crecimiento (capitulo 5) 0 por “recristalizacign’” de rivevos granos que en esenicia estan libres de diskocacianes (como se describiré despues, en él ccapitalo 7). De igual modo, todo reforzamiento que pueda haber ocurtido por la deformacidn de ‘precipitados wbtrafinos (capftulo 4) twmbién puede disminuir cuando el tamaio de los precipita- dos comienza a crever, © los precipitados comicnzan a disolverse en la matriz. Describiremos ‘estos efectos con més detalle en cupitulos pasteriores, Cuando las temperaturas bajun, muchos hetales, ingue no todos, se vuetven frigiles. Las mayores temperaturas también tienen un papel importante en el moldeo de materiales ppolimérioas y de-vidrios inorgiinicas, En muchas operaciones de procesamicnio de polimeras..co- imo extrusidn ol proceso de estirar y soplar (capitulo 4), es deseable In mayor ductitidad de los ppolfmeras a mayores temperaturas. De nuevo, st debe tener precaucién al usar el tgmino “alta ‘temperatura Para los polfmeros, ‘aka temperatura” indicaria.en general que la temperatura cx mayor que la temperatura de transicidn vitrea (F,). No hay “transicién'” a esta temperatura, co- mo indica el nombre. Para noesiros fines, la temperatura de transicign vitrea es aquella por de- ‘hajo-de la cual Jos materiales se comportan pom materiales frdgtles. Arriba de ia temperatura ide transformaciéa vitrea las plisticas se vuelven dictiles. La temperatura de transiciGn vite no fia, sino que depende de la rapidez de enfriamiento y tambien de la distribucién de pevos mo- leculares én el polimers. Muchos plésticos san dictiles a temperatura amabiente, pari sus tem peraturas ce trunsiciin vitrea son énjeriores a la teroperatura ambiente. Resurniendo, muchos materiales polimérices se vuclven mis duras y més frégles cuando se exponen a temperatura mcnores quc sus temnpersturas de transicida vitrea, Las causas.de la pérdida de ductilidad a me roves temperaturas en los polimerus y en los materiales metilicas son distintas; sin embargo, es un factor que desempeis un papel en las fallas de! Thanic en 1912 y del Challenger en 1986. Los materiales cerémicos y vitreas se consideran en general frdgiles a termperatura am- Diente, Al aumentar Ia temperatura, los vidrios pueden fluir mejor y volverse mas ductites. Por esta razén, el procesamicate del vidrio (par ejemplo, trefilado de: fibras o fabricacién de bo- ‘ellas) se hace a altas temperaturas. Los cerimicos poticristatinos también pueden aumentar su ductilided a temperaturas mayares, por mecanisinos en los que interviene el destizantien- ‘to en las limites de grano y otros fenémenos. Esto se describiri en la seccidn 6-21 65 Esfuerzo real y deformaciin. nel = Ladisminuciéa del esfuerzo ingenieril al rebasar cl punto correspondiente a la resistencia a tensién de la curva esfuerzo-deformacién ingenieril se relaciona con la definicién del esfuer- 70 ingenieril. En los cAlcubos, se us6 el drea original A,, pero eso-no es exacto, porque el rea ‘cambia en forma continua, Se definirin cf esfuerzo real y |a deformaciin real con las si- Rulientes ecuaciones: Esfuerso real = 0; (Gell) Deformacign unitari real = {t (612)Esiuerzo real y delormacién real 253 Figura 6-17 Relacién entra ios diagramas de estuerzn real- deformacién unitaria real y esluerzo ingenierildeformacién Ingenierl. Las curves son idénticas hasta el punto de cedencia, Ingenieril Esfuerzo. ‘Deformacién donde A es el rea real a la que se aplica la fuerza F, La expresién In(,/A) s6lo se puede usar A sets de coment a Fossa dec, an el vlan prance sonst 2 otk En In figura 6-17 se comparan las curvas de esfucrro-deformacién reales y esfuerm-deformacin ingenieriles. El esfuerzo real continia aumentando después de la formacigin de cuello porque, saunguc la carga necesaria disminuye, cf area disminuye atin mis. Para aplicaciones éstrictorales, con frecuencia nn se requieren esfuerzos ni deformaciones reales, Cuando se rebasa la resistencia de cedencia, el material se deforma. El companen- te falls porque ya no tiene la forma que se pretendia al principio. Ademis, se desarrolla una di- ferencia apreciable entre las dos curvas slo cuando comienza Ia formacién de cuello. Pero, cuando eso sucede, el componente ya esti muy deformado y ya no sirve pura el uso que se pretende. Los ingenieros que trabajan con el procesamiento de materiales necesitan los datos acerca del esfuerzo y la deformacién reales. SETS) céteuso det estuerzo reat y de ta deformacién real ‘Compare el esfuerzo y ta deformacién ingenieriles con el esfucrzo y la deformacién ‘reales para li aleacién de aluminio det ejemplo 6-1 (a) a la carga mime y (b) ata frac ‘ura. El dilimeira con fa carga miima es 0.497 pula, y en la fractura es 0.398 pul. ‘SOLUCION a) A la carga maxima: Gara ae os -i Emon 1 Deformacién Ingenieit = Ge = 1860 pute /pulg Deformacin real = inf) = 1n( 2222) = 0.058 putg/ratg‘254 —CAP.6 Propiedades y comportamienta mecénico 'b) Ba I fractura: Esfuerzo ingenieril = = 380000 psi = 61090 psi Defrmac ingenien! = Sf = ( 0.1025 pulg/pulg = alte) = (eiaynsosy| Deformacién real uo() 1 = 1n (1.610) = 0.476 pulg/pulg El esfuerzo real es mucho mayor que el ingenieril sélo después de que comienza Ia formacién de cuello, ta Cha En los materiales dctiles. la curva esfuereo-

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