Los Semiconductores

Los "semiconductores" constituyen elementos que poseen características intermedias entre los
cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra.
Normalmente el material de fabricación suele ser Silicio (Si) o Germanio (Ge).

El germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura 1 se muestra un átomo de
germanio. En el centro se halla un núcleo con 32 protones. En este caso los electrones se
distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera órbita, 8 en la segunda y 18 en la tercera.
Los últimos 4 electrones se localizan en la órbita exterior o de valencia.

Figura 1.

El silicio

El material semiconductor más ampliamente utilizado es el silicio. Un átomo aislado de silicio

tiene 14 protones y 14 electrones. Como puede apreciarse en la figura 2, la primera órbita
contiene 2 electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes se hallan en la
órbita exterior. En condiciones normales hay muy pocos electrones libres, provocados por
causas externas ( luz y calor ) y que se conocen como portadores intrínsecos. El término
intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor cuidadosamente refinado para reducir
el número de impurezas a un nivel muy bajo

Los semiconductores aumentan su conductividad si a su estructura se le añaden átomos de

otros materiales. A la adición de átomos (impurezas) a un semiconductor se le denomina
dopaje o impurificación de un semiconductor.
El dopado de un semiconductor se logra introduciendo átomos que posean 5 electrones de
valencia, o bien 3 electrones de valencia en sus última órbita. Un material semiconductor que
ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrínseco.
Los átomos con 5 electrones de valencia son:

 El Arsenio (As),
 El Antimonio (Sb),
 El Fósforo (P),

Y los de 3 electrones son.

 El Indio (In),
 El Galio (Ga),
 El Boro (B)

Hay dos tipos de materiales semiconductores:

 Semiconductores tipo N.
 Semiconductores tipo P.

Semiconductor o Cristal P

Se forman mediante la unión de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en su
última capa, con impurezas de Indio (In), que posee en su última capa tres electrones. Al
crearse los enlaces entre átomos de Silicio (Si) e Indio (In) queda un hueco libre (carga
positiva), que va a ser el que moviéndose por la red atómica genere una circulación de huecos
o cargas positivas (Figura 4).

Figura 4.

Semiconductor o Cristal N

Se forman mediante la unión de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
Su última capa, con impurezas de Arsénico (As), que posee en su última capa cinco electrones.
Al crearse los enlaces entre átomos de Silicio (Si) y Arsénico (As) queda un electrón libre
(carga negativa), que va a ser el que moviéndose por la red atómica genere una circulación de
electrones, es decir, genere una corriente eléctrica (Figura 5).
 Figura 5.

Unión P – N

Figura 6.

Cuando se efectuamos la unión de los cristales P y N, los electrones y los huecos inmediatos a
la unión se atraen, cruzan la unión y se neutralizan.
Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto
queda cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con
lo que queda cargada negativamente.
Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la
zona P que quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión
impedirá el paso de los electrones provenientes de la zona N
Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera
de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no
pudiendo existir corriente (Figura 7). Para el Silicio esta barrera es de 0,7 V y para el
Germanio es de 0,3 V.

Figura 7.
El Diodo

Esta unión de semiconductores, uno del tipo P y otro del tipo N, se denomina “diodo”.
Su función es facilitar el paso de corriente en una sola dirección.
Símbolo

Figura 8.

Imagen Real

Figura 9.

Circulación de la Corriente

Figura 10.

Polarización del Diodo

Con base en la conducción y no conducción del diodo aparecen dos conceptos que se
denominan polarización directa y polarización inversa.

Polarización directa

El diodo permite la circulación de corriente sólo cuando se encuentra polarizado en forma

directa, que es cuando el ánodo tiene polaridad positiva con respecto al cátodo; en este caso,
se dice que el diodo se comporta como un conductor, y se produce una circulación de corriente
por el circuito en el sentido (convencional) que ya sugiere el símbolo del diodo (Figura 12).
VD presionará” a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para
que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región de
empobrecimiento. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el
ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la
corriente

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga
a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los electrones
libres hacia la unión, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unión que
atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.

Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia
el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario
al del electrón.

Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por
el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre.

En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se

desplaza a través de la zona p como electrón de valencia. Tras abandonar el extremo
izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

Polarización inversa
El diodo está en polarización inversa cuando el terminal cátodo tiene polaridad positiva con
respecto al terminal ánodo; en este caso, el diodo no permite el paso de la corriente y se
comporta como un aislante (Figura 11). Pero si se supera un cierto valor de tensión,
entonces se produce un efecto de conducción brusca que puede deteriorar el diodo.

Figura 11.

El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la z.c.e. se
ensancha.

A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión deja de

aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada (V),
entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unión.

A mayor la tensión inversa aplicada mayor será la zona de deplexión

Existe una pequeña corriente en polarización inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco, lo que hace que halla pequeñas concentraciones de
portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios
pero los que están en la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión y tenemos
así una pequeña corriente.

Curva de funcionamiento

Aspecto Comercial del Diodo

Figura 13.

Aplicaciones de los diodos en el automóvil

Como Protector

Un circuito en donde convenga que la corriente circule solamente en un sentido determinado, y

nunca en sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un diodo.
En la figura 14 vemos un ejemplo en donde se ha colocado un diodo entre un generador de
corriente continua y la batería. El diodo no deja pasar la corriente de la batería al generador
aun cuando si lo hace desde el generador a la batería de modo que hace las veces de un
disyuntor sin contactos móviles ni degaste.
 Figura 14.

Descarga Derivada

Puesto en derivación en un circuito dotado de una fuente de autoinducción, tal como se

representa en la imagen, un diodo impide el paso de alguna corriente cuando el circuito está
alimentado por una corriente exterior; pero permite el paso de una extracorriente de ruptura
cuando el interruptor se abre (Figura 15).

Figura 15.

El Diodo como Rectificador

La acción rectificadora es la aplicación más importante que realiza los diodos en el automóvil
pues gracias a ellos ha sido posible utilizar el alternador como generador de electricidad.
Su función principal dentro de un circuito es la de convertir tensión alterna (AC) a continua
(DC).

Existen tres tipos de rectificación:

 Rectificador de media onda.

 Rectificador de onda completa.
 Rectificador trifásico.

Esquema de un Puente Rectificador Trifásico aplicado a un Alternador

(Figura 16)